| 1 |
1
제1 기판,상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극,상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 배향막,상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판,상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 공통 전극,상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 고분자층, 그리고상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 협지되어 있는 액정층을 포함하고,상기 고분자층은 복수개의 그루브를 포함하는 액정 표시 장치
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 그루브는 상기 고분자층 전체에 형성되어 있는 액정 표시 장치
|
| 3 |
3
제2항에서,상기 고분자층은 접착력을 가지는 자외선 경화성 물질을 포함하는 액정 표시 장치
|
| 4 |
4
제3항에서,상기 자외선 경화성 물질은 자외선에 의해 경화가 가능한 폴리우레탄 또는 자외선에 의해 경화가 가능한 에폭시 수지 중 하나인 액정 표시 장치
|
| 5 |
5
제1항에서,상기 제1 기판 위에 상기 화소 전극과 같은 층에 형성되어 있으며, 상기 액정층의 두께를 결정하는 간격재를 더 포함하는 액정 표시 장치
|
| 6 |
6
제1 기판 위에 화소 전극 및 배향막을 형성하여 박막 트랜지스터 표시판을 단계,제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계,상기 공통 전극 위에 고분자물질을 코팅하여 고분자층을 형성하는 단계,상기 고분자층 위에 복수개의 돌기를 포함하는 몰드로 임프린팅(impriting)하여 상기 고분자층에 복수개의 그루브를 형성하는 단계,상기 고분자층에 자외선을 조사하여 상기 고분자층의 상기 그루브의 모양을 유지하게 하는 제1 자외선 조사 공정을 실시하는 단계,상기 고분자층에서 상기 몰드를 떼어 내어 공통 전극 표시판을 형성하는 단계,상기 박막 트랜지스터 표시판 및 상기 공통 전극 표시판을 합착하는 단계, 그리고상기 고분자층에 자외선을 조사하여 상기 고분자층을 경화시키는 제2 자외선 조사 공정을 실시하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에서,상기 그루브는 상기 고분자층 전체에 형성되어 있는 액정 표시 장치의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에서,상기 고분자층은 접착력을 가지는 자외선 경화성 물질을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에서,상기 자외선 경화성 물질은 자외선에 의해 경화가 가능한 폴리우레탄 또는 자외선에 의해 경화가 가능한 에폭시 수지 중 하나인 액정 표시 장치의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에서,상기 제1 자외선 공정과 상기 제2 자외선 공정에서 자외선의 세기는 동일하고, 자외선의 조사 시간은 서로 다른 액정 표시 장치의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에서,상기 제1 자외선 공정에서의 자외선의 복사강도는 60mW/cm2, 파장은 365nm 이고, 자외선의 조사 시간은 3분이며,상기 제2 자외선 공정에서의 자외선의 복사강도는 60mW/cm2, 파장은 365nm 이고, 자외선의 조사 시간은 30분인 액정 표시 장치의 제조 방법
|
| 12 |
12
제11항에서,상기 박막 트랜지스터 표시판 및 상기 공통 전극 표시판을 합착하는 단계 전에 상기 박막 트랜지스터 표시판 위에 액정층을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
|
| 13 |
13
제6항에서,상기 제1 기판 위에 상기 화소 전극과 같은 층에 간격재를 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
|
