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ｐ형 Ｚｎ 산화물 나노 와이어의 제조 방법 및 ｐ형 Ｚｎ 산화물을 포함하는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015141149
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법 및 p형 Zn 산화물을 포함하는 전자 소자가 개시된다. 개시된 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법은 수열 합성법에 의해 수용액 상태에서 Zn 산화물 나노 와이어를 형성한 후, 열처리를 통하여 p형 Zn 산화물 나노 와이어를 형성할 수 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100055108 (2010.06.10)
출원인 삼성전자주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0135293 (2011.12.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차승남 대한민국 서울특별시 광진구
2 박영준 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0374659-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 시드층을 형성하는 단계;상기 시드층이 형성된 상기 기판을 Zn 염, 환원제 및 도핑 물질을 포함하는 수용액 속에서 Zn 산화물 나노 와이어를 형성하는 단계; 및 상기 Zn 산화물 나노 와이어를 열처리를 통하여 p형 산화물 나노 와이어로 형성하는 단계;를 포함하는 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 반도체, 부도체 또는 금속으로 형성된 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판은 Si, Glass, 플라스틱 또는 폴리머로 형성된 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 시드층은 Zn 산화물인 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 환원제는 HMTA(Hexamethylenetetramine)인 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 도핑 물질은 리튬염인 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 수용액의 온도는 섭씨 85도 내지 100도인 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 수용액의 pH는 10 내지 11의 범위인 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 열처리는 섭씨 400도 내지 600 범위에서 이루어지는 p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법
10 10
기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 n형 Zn 산화층;상기 n형 Zn 산화층 상에 다수 형성된 것으로 리튬을 포함하는 p형 Zn 산화물 나노 와이어 및상기 p형 Zn 산화물 나노 와이어 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 p형 Zn 산화물 나노 와이어를 포함하는 전자 소자
11 11
기판의 제 1면에 형성된 하부 전극;상기 기판의 제 2면에 형성된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 다수 형성된 것으로 리튬을 포함하는 p형 Zn 산화물 나노 와이어 및상기 p형 Zn 산화물 나노 와이어 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 p형 Zn 산화물 나노 와이어를 포함하는 전자 소자
12 12
제 11항에 있어서,상기 기판은 n형 반도체 물질로 형성된 p형 Zn 산화물 나노 와이어를 포함하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20110303912 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011303912 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.