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전기화학적 식각법을 이용한 태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141355
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학적 식각법을 이용한 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지의 제조 방법은, i) 도핑된 실리콘으로 된 모재를 제공하는 단계, ii) 모재를 전기화학적으로 부분 에칭하여 모재 상부를 제1 다공성 실리콘층으로 변환시키는 단계, iii) 모재를 전기화학적으로 부분 에칭하여 모재 상부와 접한 모재의 하부를 제2 다공성 실리콘층으로 변환시키는 단계, iv) 제1 다공성 실리콘층을 열처리하여 재결정화층으로 변환시키는 단계, v) 재결정화층의 표면을 화학 처리하여 재결정화층의 표면의 조도를 증가시키는 단계, vi) 재결정화층의 표면을 카운터 도핑(counter doping)하여 재결정화층 위에 에미터층을 제공하는 단계, vii) 에미터층 위에 제1 전극을 제공하는 단계, viii) 제2 다공성 실리콘층을 재결정화층으로부터 분리시키는 단계, 및 ix) 재결정화층의 하부에 제2 전극을 제공하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/028 (2006.01.01) H01L 31/036 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0284(2013.01) H01L 31/0284(2013.01) H01L 31/0284(2013.01) H01L 31/0284(2013.01) H01L 31/0284(2013.01) H01L 31/0284(2013.01)
출원번호/일자 1020110009532 (2011.01.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1763319-0000 (2017.07.25)
공개번호/일자 10-2012-0088281 (2012.08.08) 문서열기
공고번호/일자 (20170801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 대한민국 서울특별시 강남구
2 백종욱 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 엄한돈 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 박광태 대한민국 경기도 성남시 수정구
5 정진영 대한민국 울산광역시 북구
6 지상원 대한민국 경기도 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0077144-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0023541-17
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0039534-70
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0817424-87
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-1237659-37
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1237660-84
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0325043-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도핑된 실리콘으로 된 모재를 제공하는 단계,상기 모재를 전기화학적으로 부분 에칭하여 상기 모재 상부를 제1 다공성 실리콘층으로 변환시키는 단계,상기 모재를 전기화학적으로 부분 에칭하여 상기 모재 상부와 접한 상기 모재의 하부를 제2 다공성 실리콘층으로 변환시키는 단계,상기 제1 다공성 실리콘층을 열처리하여 재결정화층으로 변환시키는 단계,상기 재결정화층의 표면을 화학 처리하여 상기 재결정화층의 표면의 조도를 증가시키는 단계,상기 재결정화층의 표면을 카운터 도핑(counter doping)하여 상기 재결정화층 위에 에미터층을 제공하는 단계,상기 에미터층 위에 제1 전극을 제공하는 단계,상기 제2 다공성 실리콘층을 상기 재결정화층으로부터 분리시키는 단계, 및상기 재결정화층의 하부에 제2 전극을 제공하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 모재의 하부를 제2 다공성 실리콘층으로 변환시키는 단계에서, 상기 제2 다공성 실리콘층의 공공율은 상기 제1 다공성 실리콘층의 공공율보다 큰 태양 전지의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제2 다공성 실리콘층의 공공율은 상기 제1 다공성 실리콘층의 공공율의 4배 내지 7배인 태양 전지의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제2 다공성 실리콘층의 공공율은 20vol% 내지 40vol%인 태양 전지의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 에미터층 위에 반사방지막을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 전극을 제공하는 단계에서 상기 반사방지막 위에 상기 제1 전극을 제공하는 태양 전지의 제조 방법
6 6
도핑된 실리콘으로 된 모재를 제공하는 단계,상기 모재를 부분 에칭하여 상호 이격되어 길게 뻗은 복수의 홀들과 상기 복수의 홀들 사이에 위치한 지지부를 제공하는 단계,상기 모재를 전기화학적으로 부분 에칭하여 상기 홀의 저면을 포함하는 상기 모재의 일부를 다공성 실리콘층으로 변환시키는 단계,상기 모재를 열처리하여 상기 다공성 실리콘층을 재결정화되지 않은 다공층 및 상기 다공층 위에 위치한 재결정화층으로 변환시키는 단계,상기 복수의 홀들의 표면과 상기 지지부의 상면을 카운터 도핑하여 상기 복수의 홀들의 표면과 상기 지지부의 상면 위에 에미터층을 제공하는 단계,상기 지지부의 상면 위에 제1 전극을 제공하는 단계,상기 다공층을 상기 재결정화층으로부터 분리시키는 단계, 및상기 재결정화층의 하부에 제2 전극을 제공하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 다공성 실리콘층을 다공층 및 재결정화층으로 변환시키는 단계에서, 상기 다공성 실리콘층을 1000℃ 이상에서 10분 내지 100분 동안 수소 분위기하에서 열처리하는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 모재의 일부를 다공성 실리콘층으로 변환시키는 단계에서, 상기 모재의 일부는,상기 홀의 저면을 포함하는 제1 하부, 및상기 제1 하부와 접한 제2 하부를 포함하고,상기 제1 하부만 상기 다공성 실리콘층으로 변환되는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 하부의 결함비율은 상기 지지부의 결함비율보다 큰 태양 전지의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 제1 전극을 제공하는 단계에서, 상기 제1 전극은 상기 홀의 저면과 이격된 태양 전지의 제조 방법
11 11
제6항에 있어서,상기 모재를 열처리하여 다공층 및 재결정화층으로 변환시키는 단계에서, 상기 재결정화층의 두께는 0보다 크고 50 nm 이하인 태양 전지의 제조 방법
12 12
제6항에 있어서,상기 복수의 홀들을 제공하는 단계에서, 상기 복수의 홀 중 하나 이상의 홀의 직경은 10nm 내지 1㎛인 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 에너지기술개발사업(신재생에너지기술개발사업) 실리콘와이어기반의 차세대 박막 태양전지 연구센터