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다층금속나노튜브를 포함하는 음극활물질, 이를 포함하는 음극과 리튬전지 및 음극활물질 제조방법
- 기술번호 : KST2015141369
- 담당센터 : 인천기술혁신센터
- 전화번호 : 032-420-3580
| 요약 | 금속나노튜브의 내표면(inner surface)을 포함하는 내층과 금속나노튜브의 외표면(outer surface)을 포함하는 외층을 포함하며, 상기 내층이 원자번호 13 이상인 제 1 금속을 포함하며, 상기 외층이 상기 제 1 금속과 다른 제 2 금속을 포함하는 다층금속나노튜브를 포함하는 음극활물질, 상기 음극활물질을 포함하는 음극, 상기 음극을 채용한 리튬전지, 및 상기 음극활물질의 제조방법이 제시된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01M 4/38 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) H01M 4/1395 (2010.01.01) |
| CPC | H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110071549 (2011.07.19) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1890742-0000 (2018.08.16) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0010733 (2013.01.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20180823) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2016.07.19) |
| 심사청구항수 | 37 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최재만 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 2 | 황승식 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 3 | 권문석 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 4 | 송민상 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 5 | 손정국 | 대한민국 | 충청남도 천안시 동남구 |
| 6 | 김명훈 | 대한민국 | 서울특별시 광진구 |
| 7 | 김한수 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
| 8 | 백운규 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 9 | 송태섭 | 대한민국 | 서울특별시 은평구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0556216-67 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2016.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0699272-51 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.12.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0894547-67 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2018.02.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0178432-19 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0178431-63 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2018.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0433892-04 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 금속나노튜브의 내표면(inner surface)을 포함하는 내층; 및금속나노튜브의 외표면(outer surface)을 포함하는 외층을 포함하며,상기 내층이 원자번호 13 이상인 제 1 금속을 포함하며,상기 외층이 상기 제 1 금속과 다른 제 2 금속을 포함하며,상기 제 1 금속이 4B족 금속이며,상기 제 2 금속이 게르마늄, 안티몬, 주석, 알루미늄, 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 다층금속나노튜브를 포함하는 음극활물질 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속이 제 1 금속에 비하여 비저항(resistivity)이 낮은 음극활물질 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속이 제 1 금속에 비하여 리튬 이온의 확산계수(diffusivity)가 높은 음극활물질 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속이 제 1 금속에 비하여 충전시의 부피 팽창율이 낮은 음극활물질 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 외층이 상기 제 1 금속과 제 2 금속의 복합체를 포함하는 음극활물질 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 내층이 결정성(crystalline)이고 상기 외층이 비정질(amorphous)인 음극활물질 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 내층 및 외층 중 하나 이상이 도판트를 추가적으로 포함하는 음극활물질 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 도판트가 3B족 또는 5B족 원소인 음극활물질 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 내층과 외층 사이에 하나 이상의 층을 추가적으로 포함하는 음극활물질 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 벽 두께(wall thickness)가 10nm 내지 200nm인 음극활물질 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서, 상기 내층의 두께가 5nm 내지 100nm인 음극활물질 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서, 상기 외층의 두께가 5nm 내지 100nm인 음극활물질 |
| 16 |
16 제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 외경이 30nm 내지 400nm인 음극활물질 |
| 17 |
17 제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 내경이 20nm 내지 200nm인 음극활물질 |
| 18 |
18 제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 길이가 1㎛ 내지 50㎛인 음극활물질 |
| 19 |
19 제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 일말단이 밀폐된 음극활물질 |
| 20 |
20 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 8 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 따른 음극활물질을 포함하는 음극 |
| 21 |
21 제 20 항에 있어서,전도성 기판; 및상기 기판상에 배열된 복수의 다층금속나노튜브;를 포함하는 음극 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 다층금속나노튜브가 기판 상에 이격되어 배열된 음극 |
| 23 |
23 제 21 항에 있어서, 상기 다층금속나노튜브가 기판의 표면으로부터 돌출되는 방향으로 배향된 음극 |
| 24 |
24 제 21 항에 있어서, 상기 다층금속나노튜브가 기판에 대하여 수직 방향으로 배향된 음극 |
| 25 |
25 제 21 항에 있어서, 상기 전도성 기판이 스테인레스 스틸, 구리, 철, 니켈, 알루미늄 및 코발트로 이루어진 군에서 선택된 하나인 음극 |
| 26 |
26 제 21 항에 따른 음극을 채용한 리튬전지 |
| 27 |
27 전도성 기판 상에 기판의 표면으로부터 돌출되는 방향으로 금속산화물 나노막대를 성장시키는 단계;상기 금속산화물 나노막대 상에 제 1 금속층을 코팅하는 단계;상기 제 1 금속층이 코팅된 금속산화물 나노막대를 열처리하여 금속산화물 나노막대를 선택적으로 제거함에 의하여 제 1 금속나노튜브를 제조하는 단계; 및상기 제 1 금속나노튜브 상에 제 2 금속층을 코팅하여 다층금속나노튜브를 제조하는 단계;를 포함하는 음극활물질 제조방법 |
| 28 |
28 제 27 항에 있어서, 상기 금속산화물이 ZnO, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2 및 MgO 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 음극활물질 제조방법 |
| 29 |
29 제 27 항에 있어서, 상기 제 1 금속층이 실리콘, 게르마늄, 안티몬, 주석, 알루미늄, 아연, 은, 금, 백금, 몰리브덴, 텅스텐 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 음극활물질 제조방법 |
| 30 |
30 제 27 항에 있어서, 상기 제 2 금속층이 게르마늄, 안티몬, 주석, 알루미늄, 아연, 은, 금, 백금, 몰리브덴, 텅스텐 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 음극활물질 제조방법 |
| 31 |
31 제 27 항에 있어서, 상기 제 1 금속층은 제 1 금속 전구체 가스를 상기 금속산화물 나노막대와 접촉시킴에 의하여 코팅되는 음극활물질 제조방법 |
| 32 |
32 제 31 항에 있어서, 상기 제 1 금속 전구체 가스가 SiH4, SiCl4, GeH4, GeF4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 음극활물질 제조방법 |
| 33 |
33 제 31 항에 있어서, 상기 제 1 금속 전구체 가스가 도판트 전구체 가스를 추가적으로 포함하는 음극활물질 제조방법 |
| 34 |
34 제 31 항에 있어서, 상기 제 1 금속 전구체 가스와 상기 금속산화물 나노막대의 접촉이 200 내지 800℃의 온도에서 1 내지 1000분 동안 수행되는 음극활물질 제조방법 |
| 35 |
35 제 27 항에 있어서, 상기 금속산화물 나노막대의 선택적 제거가 수소, 아르곤, 질소, 네온, 헬륨 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 분위기에서 수행되는 음극활물질 제조방법 |
| 36 |
36 제 27 항에 있어서, 상기 금속산화물 나노막대의 선택적 제거가 200℃ 이상의 온도에서 수행되는 음극활물질 제조방법 |
| 37 |
37 제 27 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 제 2 금속전구체 가스를 제 1 금속나노튜브와 접촉시킴에 의하여 코팅되는 음극활물질 제조방법 |
| 38 |
38 제 37 항에 있어서, 상기 제 2 금속 전구체 가스가 SiH4, SiCl4, GeH4, GeF4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 음극활물질 제조방법 |
| 39 |
39 제 37 항에 있어서, 상기 제 2 전구체 가스가 도판트 전구체 가스를 추가적으로 포함하는 음극활물질 제조방법 |
| 40 |
40 제 27 항에 있어서, 상기 제 2 금속 전구체 가스와 상기 제 1 금속나노튜브의 접촉이 200 내지 800℃의 온도에서 1 내지 1000분 동안 수행되는 음극활물질 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP02549567 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 2 | EP02549567 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | US09070943 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20130022870 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | US20150162605 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP2549567 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | EP2549567 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 3 | US2013022870 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US2015162605 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US9070943 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1890742-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110719 출원 번호 : 1020110071549 공고 연월일 : 20180823 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20180626 청구범위의 항수 : 37 유별 : H01M 4/38 발명의 명칭 : 다층금속나노튜브를 포함하는 음극활물질, 이를 포함하는 음극과 리튬전지 및 음극활물질 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,488,000 원 | 2018년 08월 17일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0556216-67 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2016.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0699272-51 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2017.12.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0894547-67 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2018.02.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0178432-19 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0178431-63 |
| 9 | 등록결정서 | 2018.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0433892-04 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345158858 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-00114 |
| 연구과제명 | 나노 전자소자응용을 위해 설계된 Inorganic-Organic Hybrid 물질의 설계 및 배열 기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200706~201603 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345165210 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2011-000-10092-0 |
| 연구과제명 | 그린에너지 및 지구온난화 대응 융합기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
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