맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141406
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지는 복수개의 필러들(pillars)을 포함하는 기판의 각 필러 사이가 연결되도록 서로 얽힌 구조로 형성되는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 광전변환층으로 사용하여 광전변환을 위한 별도의 구성이 필요치 않고, 넓은 표면적을 가져 광흡수에 유리하며, 다양한 직경을 가지는 탄소나노튜브가 3차원 네트워크 형태로 구성되어 넓은 파장대의 광흡수를 통해 광전변환 효율을 극대화할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법은 양극 및 음극 전면을 덮으며, 상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 완전히 감싸도록 유전막을 형성하고, 유전막을 사이에 두고 상기 양극과 음극의 일측에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써 누설전류를 방지하고, 스플릿 게이트(split gate) 구조의 전극 형태를 채용하여 전기적으로 유도된 p-n 접합을 형성하는 태양전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020110117103 (2011.11.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1420905-0000 (2014.07.11)
공개번호/일자 10-2013-0051767 (2013.05.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140723) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.24)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 안진호 대한민국 서울특별시 강남구
2 고기영 대한민국 서울특별시 강북구
3 최윤식 대한민국 충청남도 서산시 고북
4 이길복 대한민국 서울특별시 강서구
5 이해원 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 서정은 대한민국 인천광역시 부평구
7 여해구 대한민국 경기도 하남시 대청로 ,
8 이병훈 대한민국 광주광역시 광산구
9 강창구 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0889409-93
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0867619-04
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0867409-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0033770-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0183102-26
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0183092-57
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0359668-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수개의 필러들(pillars)이 이격 배치된 기판;서로 얽힌 구조로 형성되어, 상기 각 필러 사이들 사이를 연결하고, 광전변환 역할을 수행하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크;상기 기판의 일단에 형성되는 양극 및 상기 기판의 타단에 형성되는 음극;상기 양극 및 음극의 전면을 덮으며, 상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 완전히 감싸도록 형성되는 유전막;상기 유전막을 사이에 두고 상기 양극과 인접하게 배치되는 제1 전극; 및상기 유전막을 사이에 두고 상기 음극과 인접하게 배치되는 제2 전극을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 SiO2 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 구성하는 각 탄소나노튜브의 직경은 5nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 전극에는 (-) 전압을 인가하고, 상기 제2 전극에는 (+) 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
기판을 식각하여 복수개의 필러들을 형성하는 단계;상기 복수개의 각 필러들 사이가 연결되도록 광전변환 역할을 수행하는 탄소나노튜브를 3차원 네트워크 형태로 성장시키는 단계;상기 복수개의 필러들이 형성된 기판의 일단에 양극을 형성하고, 타단에 음극을 형성하는 단계; 상기 양극 및 음극 전면을 덮으며, 상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 완전히 감싸도록 유전막을 형성하는 단계;상기 유전막을 사이에 두고, 상기 양극에 인접하도록 제1 전극을 형성하고 상기 음극에 인접하도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 양극 및 음극 전면을 덮으며, 상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 완전히 감싸도록 유전막을 형성하는 단계 이전에 상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크의 표면을 개질하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크의 표면을 개질하는 단계는 UV-오존처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 유전막을 형성하는 단계는 원자층 증착 공정(ALD)을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 지식경제부(한국기계연구원) 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) 비노광 기반 나노구조체 제작기술