맞춤기술찾기

이전대상기술

신규한 아크릴아미드계 메조다공성 중합체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141408
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 제조방법을 통해 제조될 수 있으면서도, 균일한 미세 기공들을 가질 뿐 아니라 이러한 기공 크기의 조절이 가능하여 다양한 분야에 적용될 수 있는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 상기 아크릴아미드계 메조다공성 중합체는 소정의 반복단위를 1종 이상 포함하고, 고체 상태에서 2.0 내지 10.0 nm의 직경을 갖는 복수의 기공을 포함하는 것이다.
Int. CL C08F 20/56 (2006.01.01) C08F 20/50 (2006.01.01) C08J 9/28 (2006.01.01) B01J 20/26 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110087290 (2011.08.30)
출원인 주식회사 엘지화학, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1163659-0000 (2012.07.02)
공개번호/일자 10-2012-0046005 (2012.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100107067   |   2010.10.29
법적상태 등록
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.30)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양규 대한민국 서울특별시 노원구
2 이제권 대한민국 서울특별시 마포구
3 정지수 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 손대원 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 한성환 대한민국 서울특별시 종로구
6 송현훈 대한민국 대전광역시 유성구
7 김관묵 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0676887-53
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0680397-32
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2011.08.31 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2011.09.07 수리 (Accepted) 9-1-2011-0071426-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0530978-77
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0920364-00
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1009361-17
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0056279-73
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0136360-28
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0136361-74
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0222566-13
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0400183-14
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.05.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0400184-60
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0350573-57
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 반복단위를 1종 이상 포함하고, 고체 상태에서 2
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 Z는 오르소페닐렌(ortho-phenylene,), 메타페닐렌(meta-phenylene,), 파라페닐렌(para-phenylene,), 나프탈렌(naphthalene,), 아조벤젠(azobenzene, ), 안트라센(anthracene,), 페난스렌(phenanthrene, ), 테트라센(tetracene, ), 파이렌(pyrene, ) 및 벤조파이렌(benzopyrene, )으로 이루어진 군에서 선택된 아릴렌인 아크릴아미드계 메조다공성 중합체
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 R"는 Z에 포함된 방향족 고리의 오르소, 메타 또는 파라 위치에 치환되어 있는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체
4 4
제 1 항에 있어서, 5000 내지 500000의 수평균분자량을 갖는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체
5 5
제 1 항에 있어서, 200 내지 300℃의 융점(Tm)을 갖는 결정성 중합체인 아크릴아미드계 메조다공성 중합체
6 6
제 1 항에 있어서, 200℃ 이상 융점 미만의 온도에서 열처리하였을 때, 상기 기공 직경이 0
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 R''에 포함된 아릴렌(Z)의 화학구조가 페닐렌에서 나프탈렌 또는 안트라센으로 변화하거나, R"의 탄소수가 12 에서 16까지 증가함에 따라, 0
8 8
하기 화학식 2의 단량체를 형성하고, 극성 용매 내에서 복수회 재결정하는 단계;재결정화된 화학식 2의 단량체를 극성 용매에 가한 후, 비극성 용매를 첨가하여 결정 성장시키는 단계; 라디칼 개시제 및 RAFT 시약의 존재 하에, 결정 성장시킨 화학식 2의 단량체를 1종 이상 포함하는 반응물을 RAFT 중합하는 단계; 및상기 중합 생성물을 비용매 내에서 침전시키는 단계를 포함하는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법:[화학식 2]상기 화학식 2에서, R은 수소 또는 메틸이고, R''는 X, , , 또는 이고, X는 -Z-R"이고, Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌이고, Z는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌이고, R"은 탄소수 10 내지 20의 선형 또는 분지형 탄화수소, 또는 탄소수 10 내지 20의 선형 또는 분지형 퍼플루오로하이드로카본(perfluorohydrocarbon)이다
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 중합 단계 전에, 상기 라디칼 개시제, RAFT 시약 및 반응물을 포함하는 반응용액을 형성하는 단계; 상기 반응용액을 중합 앰플에 넣고 동결-해동 방법으로 산소를 제거하는 단계; 및 상기 앰플을 밀봉하는 단계를 더 포함하는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 침전 단계 후에, 상기 침전된 중합 생성물을 유기용매에 용해시키는 단계; 및비용매를 사용하여, 상기 중합 생성물 용액을 재침전시키는 단계를 더 포함하는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 화학식 2의 단량체는 파라도데실페닐아크릴아미드[N-(p-dodecyl)phenyl acrylamide, DOPAM], 파라테트라데실페닐아크릴아미드[N-(p-tetradecyl)phenyl acrylamide, TEPAM], 파라헥사데실페닐아크릴아미드[N-(p-hexadecyl)phenyl acrylamide, HEPAM), 파라도데실나프틸아크릴아미드[N-(p-dodecyl)naphthyl acrylamide, DONAM], 파라테트라데실나프틸아크릴아미드[N-(p-tetradecyl)naphthyl acrylamide, TENAM], 파라헥사데실나프틸아크릴아미드[N-(p-hexadecyl)naphthyl acrylamide, HENAM), 파라도데실아조벤젠닐아크릴아미드[N-(p-dodecyl)azobenzenyl acrylamide, DOAZAM], 파라테트라데실아조벤젠닐아크릴아미드[N-(p-tetradecyl)azobenzenyl acrylamide, TEAZAM], 파라헥사데실아조벤젠닐아크릴아미드[N-(p-hexadecyl)azobenzenyl acrylamide, HEAZAM] 및 N-[4-(3-(5-(4-도데실-페닐카바모일)펜틸-카바모일)-프로필)페닐 아크릴아미드 {N-[4-(3-(5-(4-dodecyl-phenylcarbamoyl)pentyl-carbamoyl)-propyl)phenyl acrylamide, DOPPPAM)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 단량체는 단사정 단결정의 형태를 띠고 있는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 단량체는 노르말헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 메틸렌클로라이드, 1,2-디클로로에탄, 아세톤, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란(THF), 디옥산(dioxane), 모노글라임(monoglyme), 디글라임(diglyme), 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸술폭사이드(DMSO) 및 디메틸아세트아미드(DMAC)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 유기용매에 용해된 반응용액으로 준비되는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 단량체는 상기 유기용매에 대해 3
15 15
제 8 항에 있어서, 상기 라디칼 개시제는 아조비스이소부티로니트릴 (azobisisobutyronitrile, AIBN), 2,2''-아조비스-2,4-디메틸발러로니트릴(2,2''-azobis-(2,4-dimethylvaleronitrile), 벤조일퍼옥시드(benzoyl peroxide, BPO) 및 디터시아리부틸퍼옥시드(di-t-butyl peroxide, DTBP)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
16 16
제 8 항에 있어서, 상기 RAFT 시약은 S-1-도데실-S′-(α,α′-디메틸-α"-아세틱에시드)트리티오카보네이트, 시아노이소프로필 디티오벤조에이트, 큐밀디티오벤조에이트, 큐밀페닐티오아세테이트, 1-페닐에틸-1-페닐디티오아세테이트 및 4-시아노-4-(티오벤조일티오)-N-숙신이미드바러레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
17 17
제 8 항에 있어서, 상기 RAFT 중합은 60 내지 140℃의 온도에서 진행되는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
18 18
제 8 항에 있어서, 상기 RAFT 중합은 30 내지 200시간 동안 진행되는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
19 19
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 비용매는 메탄올, 에탄올, 노르말 프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 노르말 헥산, 시클로헥산 및 노르말 헵탄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 아크릴아미드계 메조다공성 중합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103237822 CN 중국 FAMILY
2 US09109063 US 미국 FAMILY
3 US09353236 US 미국 FAMILY
4 US20130245145 US 미국 FAMILY
5 US20160039991 US 미국 FAMILY
6 WO2012057443 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2012057443 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103237822 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103237822 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2013245145 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2016039991 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US9109063 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US9353236 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2012057443 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
8 WO2012057443 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.