| 1 |
1
기판의 일면에 P형 반도체들 및 N형 반도체들이 교대로 적층되어 형성되며, 입사되는 입사빔의 적색, 녹색 및 청색 파장대역의 빛을 선택적으로 흡수하는 복수의 광전변환층; 상기 복수의 광전변환층 중 적색 파장대역의 빛을 흡수하는 광전변환층의 일측에 구비되어, 상기 적색 파장영역의 빛이 상기 적색 파장대역의 빛을 흡수하는 광전변환층에 도달하기 전에 산란시키는 적색광 산란층; 및상기 P형 반도체들 및 상기 N형 반도체들 중 최상단에 적층된 반도체의 표면에 표면 처리를 통하여 형성되어 상기 입사빔의 반사율을 저하시키는 표면 나노 구조층;을 포함하는 적층형 이미지 센서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 복수의 광전변환층은 상기 P형 반도체들 및 상기 N형 반도체들의 접합 영역에서 형성되는 적어도 3개의 광전변환층이며,상기 광전변환층은, 상기 기판으로부터 가장 인접하도록 형성되어 상기 적색 파장대역의 빛을 흡수하는 적색광 광전변환층; 상기 기판과 대향되도록 상기 적색광 광전변환층의 일측에 형성되어 녹색 파장대역의 빛을 흡수하는 녹색광 광전변환층; 및 상기 적색광 광전변환층과 대향되도록 상기 녹색광 광전변환층의 일측에 형성되어 청색 파장대역의 빛을 흡수하는 청색광 광전변환층으로 이루어지며, 상기 적색광 산란층은 상기 적색광 광전변환층 및 상기 녹색광 광전변환층의 사이의 상기 반도체 내에 형성되는 적층형 이미지 센서
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 기판은 상기 적색광 산란층에 의해 확산되어 상기 기판 방향으로 이동하는 상기 적색 파장대역의 빛을 다시 상기 적색광 광전변환층으로 반사시키는 금속 반사층으로 형성되는 적층형 이미지 센서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 적색광 산란층은 미정질 물질에 의해 나노(nano) 구조로 형성되는 적층형 이미지 센서
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 표면 나노 구조층은 상기 최상단에 적층된 반도체의 표면에 형성된 패턴의 주기, 크기 또는 모양의 프로파일에 따라 상기 입사빔의 반사율 또는 상기 입사빔의 입사각에 대한 의존도를 조절하는 적층형 이미지 센서
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 표면 나노 구조층은, 간섭무늬를 이용한 홀로그램 리소그래피 방법을 이용하여 나노 크기의 주기적인 포토감광(photoresist) 마스크 패턴을 상기 반도체의 표면에 형성시키고 유도 결합 플라즈마(Inductively coupled plasma) 건식 식각을 통해 상기 반도체의 표면에 형성되는 적층형 이미지 센서
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 표면 나노 구조층은 금속 입자 마스크 패턴을 상기 반도체의 표면에 형성한 후 유도 결합 플라즈마 건식 식각을 통해 상기 반도체의 표면에 형성되는 적층형 이미지 센서
|
| 9 |
9
제2항에 있어서,상기 기판의 일면에 두 쌍으로 구비되는 제1 P형 반도체, 제1 N형 반도체, 제2 P형 반도체 및 제2 N형 반도체가 순서대로 적층되고, 상기 제1 P형 반도체 및 상기 제1 N형 반도체의 접합 영역에 상기 적색광 광전변환층이 형성되고, 상기 제1 N형 반도체 및 상기 제2 P형 반도체의 접합 영역에 상기 녹색광 광전변환층이 형성되며, 상기 제2 P형 반도체 및 상기 제2 N형 반도체의 접합 영역에 상기 청색광 광전변환층이 형성되고, 상기 제1 N형 반도체 내에 상기 적색광 산란층이 형성되는 적층형 이미지 센서
|
| 10 |
10
제2항에 있어서,상기 기판의 일면에 세 쌍으로 구비되는 제1 P형 반도체와 제1 N형 반도체, 제2 P형 반도체와 제2 N형 반도체, 제3 P형 반도체와 제3 N형 반도체가 순서대로 적층되고, 상기 제1 P형 반도체와 상기 제1 N형 반도체의 접합 영역에 상기 적색광 광전변환층이 형성되고, 상기 제2 P형 반도체와 상기 제2 N형 반도체의 접합 영역에 상기 녹색광 광전변환층이 형성되며, 상기 제3 P형 반도체와 상기 제3 N형 반도체의 접합 영역에 상기 청색광 광전변환층이 형성되고, 상기 제2 P형 반도체 내에 상기 적색광 산란층이 형성되는 적층형 이미지 센서
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,각각의 쌍을 이루는 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체의 상하에는 각각 한 쌍의 전극인 공통 전극과 광전변환층 전극이 배치되는 적층형 이미지 센서
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 제1 N형 반도체 및 상기 제2 P형 반도체의 사이, 상기 제2 N형 반도체 및 상기 제3 P형 반도체의 사이에는 층간 절연을 위한 절연층이 형성되는 적층형 이미지 센서
|
| 13 |
13
제1항에 따른 적층형 이미지 센서의 형성 방법에 있어서,상기 기판을 형성하는 금속 반사층 상에 P형 반도체들 및 N형 반도체들을 교대로 적층하여 광전변환층들을 형성하는, 적층 단계; 및 입사빔 중 적색 파장영역의 빛이 상기 광전변환층들 중 상기 적색 파장영역의 빛을 흡수하는 적색광 광전변환층에 도달하기 전에 산란될 수 있도록, 상기 적색광 광전변환층과 상기 광전변환층들 중 녹색 파장대역의 빛을 흡수하는 녹색광 광전변환층 사이의 반도체에 미정질 물질의 나노 구조로 형성되는 적색광 산란층을 형성하는, 산란층 형성 단계;를 포함하는 적층형 이미지 센서의 형성 방법
|
