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반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141456
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수소 플라즈마 처리를 통해 탄소나노튜브의 손상 없이 간단한 방법으로 탄소나노튜브 3차원 네트워크 중에서 금속성 탄소나노튜브를 선택적으로 제거하여, 전자 소자, 에너지 소자 또는 센서 등에 활용가능한 반도체성 탄소나노튜브로 이루어진 단일벽 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 제공하는 것이다.
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01) C01B 31/02 (2006.01.01) H01B 1/04 (2006.01.01)
CPC C01B 32/172(2013.01) C01B 32/172(2013.01) C01B 32/172(2013.01) C01B 32/172(2013.01) C01B 32/172(2013.01) C01B 32/172(2013.01)
출원번호/일자 1020110072994 (2011.07.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0130668 (2012.12.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110048538   |   2011.05.23
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해원 대한민국 서울특별시 강남구
2 서정은 대한민국 인천광역시 부평구
3 여해구 대한민국 경기도 하남시 대청로 , 대명

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0567681-21
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0738557-15
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0298275-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 실리콘 기판 위에 실리콘 필러(pillar)를 형성하는 단계;b) 상기 실리콘 기판을 금속 이촉매 용액에 침지시켜 기판 위에 금속 촉매를 균일하게 흡착시키는 단계;c) 상기 이촉매가 흡착된 기판 위에 탄소 소스 기체를 공급하여 상기 실리콘 필러 사이에 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 형성하는 단계; 및 d) 상기 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 가스 플라즈마 처리하여 금속성 탄소나노튜브를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 5 ~ 25 W에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 60 ~ 90 초간 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 사용된 가스는 수소인 것을 특징으로 하는 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 금속 촉매는 Fe-Mo 촉매인 것을 특징으로 하는 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 탄소소스 기체는 메탄, 에틸렌, 아세틸렌, 벤젠, 헥산, 에탄올, 메탄올 및 프로판올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 제조 방법
8 8
제1항에 따라 금속성 탄소나노튜브가 선택적으로 제거된 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크
9 9
제8항에 따라 금속성 탄소나노튜브가 선택적으로 제거된 반도체성 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 에너지 또는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 기술료사업 녹색성장을 위한 NT-BT-IT 융합기술 연구개발 및 국제협력 기반구축 사업