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내구도를 복수의 단계로 구분하는 플래시 메모리 제어장치

  • 기술번호 : KST2015141477
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내구도를 복수의 단계로 구분하는 플래시 메모리 제어장치가 개시된다. 시간정보 저장부에는 호스트로부터 순차적으로 입력된 복수의 쓰기 명령 또는 소거 명령을 수행하기 위해 플래시 메모리가 비지(busy) 상태로 동작하는 시간인 비지 시간이 플래시 메모리의 복수의 블록 각각에 대응하여 순차적으로 누적 저장되며, 내구도 관리부는 시간정보 저장부에 저장된 비지 시간을 기초로 플래시 메모리의 각 블록의 내구도를 복수의 단계로 구분한다. 본 발명에 따르면, 플래시 메모리가 비지 상태로 동작하는 시간정보를 저장하여 플래시 메모리의 각 블록의 내구도 정보로 사용함으로써, 플래시 메모리의 각 블록이 동일한 내구도 단계를 가지도록 정확한 웨어 레벨링이 가능하다.
Int. CL G06F 3/06 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01)
CPC G06F 13/1668(2013.01) G06F 13/1668(2013.01) G06F 13/1668(2013.01)
출원번호/일자 1020120023848 (2012.03.08)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1368834-0000 (2014.02.24)
공개번호/일자 10-2013-0102760 (2013.09.23) 문서열기
공고번호/일자 (20140304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송용호 대한민국 서울특별시 성동구
2 정재형 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0188600-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080241-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0578078-83
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0954313-92
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0954297-48
7 등록결정서
Decision to grant
2014.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0126778-35
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
호스트로부터 순차적으로 입력된 복수의 쓰기 명령 또는 소거 명령을 수행하기 위해 플래시 메모리가 비지(busy) 상태로 동작하는 시간인 비지 시간이 상기 플래시 메모리의 복수의 블록 각각에 대응하여 순차적으로 누적 저장되는 시간정보 저장부; 및상기 시간정보 저장부에 저장된 비지 시간을 기초로 상기 플래시 메모리의 각 블록의 내구도를 복수의 단계로 구분하는 내구도 관리부;를 포함하며,상기 내구도 관리부는 상기 복수의 블록 각각에 대해 저장되어 있는 비지 시간들 사이의 변화량이 사전에 설정되어 있는 임계치 이상인 지점을 상기 내구도의 단계가 변화하는 지점으로 결정하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 제어장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 내구도 관리부는 상기 비지 시간을 기초로 결정된 상기 플래시 메모리를 구성하는 각 블록의 내구도 단계를 기초로 상기 각 블록이 동일한 내구도 단계를 가지도록 상기 각 블록의 사용 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 제어장치
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 내구도 관리부는 상기 비지 시간을 기초로 결정된 상기 플래시 메모리의 각 블록의 내구도 단계를 기초로 상기 복수의 블록의 사용 가능 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 제어장치
4 4
제 3항에 있어서,상기 호스트로부터 입력된 쓰기 명령 또는 소거 명령에 대응하는 상기 플래시 메모리의 쓰기 동작 또는 소거 동작의 횟수가 상기 플래시 메모리의 복수의 블록 각각에 대응하여 누적 저장되는 횟수정보 저장부를 더 포함하며,상기 내구도 관리부는 상기 비지 시간을 기초로 상기 플래시 메모리의 각 블록의 내구도를 복수의 단계로 구분한 후 상기 횟수정보 저장부에 저장된 쓰기 동작 또는 소거 동작의 횟수를 기초로 상기 플래시 메모리의 각 블록의 사용 가능 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 제어장치
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 시간정보 저장부에 저장되는 비지 시간은 상기 플래시 메모리의 레디/비지 신호를 카운터에 의해 측정하여 얻어진 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 제어장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구사업(중견연구자지원사업) 차세대 낸드 플래시 메모리 기반 저장장치의 신뢰성과 내구성 향상을 위한 진보된 MSP/ECC 기술 연구