1 |
1
SiOx(0003c#x003c#2) 비정질 상에 Si와 SiO2 결정립이 석출된 미세 구조를 가지며, 평균 입경이 40nm∼100㎛인 것인 SiOx계 복합 분말
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 SiOx는 0
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 Si와 SiO2 결정립의 크기는 1∼5nm인 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 복합 분말은 원자비로 SiOx 20∼30%, Si 50∼70%, 및 SiO2 5∼30%를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제1항에 있어서, 상기 복합 분말은 평균 입경이 20㎛∼50㎛인 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말
|
7 |
7
챔버 내부에 실리콘 전구체를 기상 상태로 분사시키는 단계;상기 기상 상태의 실리콘 전구체를 화염 버너 장치 내부에 분사시켜 미세화하는 단계;상기 미세 기상을 고온에서 화염 가수 분해시켜 복합 분말을 생성시키는 단계;생성된 복합 분말을 회수하는 단계; 및회수한 복합 분말을 후-열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하는 제1항의 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
8 |
8
제7항에 있어서, 상기 화염 버너 장치는 원료를 주입하기 위한 노즐관을 3∼5개 구비하여 화염을 발생하기 위한 토치와, 화염 가수 분해 반응이 이루어지는 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
9 |
9
제8항에 있어서, 상기 토치는 노즐관의 안쪽으로부터 실리콘 전구체와 이송 가스의 혼합가스, 열원 가스, 쉴드 가스 및 산화 가스의 순서로 주입되어 구성된 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
10 |
10
제8항에 있어서, 상기 토치는 노즐관의 안쪽으로부터 실리콘 전구체와 이송 가스의 혼합가스, 열원 가스, 쉴드 가스, 산화 가스 및 쉴드 가스의 순서로 주입되어 구성된 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
11 |
11
제9항에 있어서, 상기 열원 가스는 수소, 메탄, 프로판 및 천연 가스로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
12 |
12
제9항에 있어서, 상기 산화 가스는 산소, 공기 및 산소가 포함된 혼합기체로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
13 |
13
제9항에 있어서, 상기 쉴드 가스는 아르곤, 질소, 공기 및 산소로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
14 |
14
제9항에 있어서, 상기 이송 가스는 아르곤, 질소, 및 이들의 혼합기체로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
15 |
15
제7항에 있어서, 상기 실리콘 전구체는 20∼80sccm의 유량으로 유입하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
16 |
16
제7항에 있어서, 상기 화염 가수 분해시 원료 가스로 사용하는 실리콘 전구체와 이송 가스의 혼합 기체, 열원 가스, 산화 가스 및 쉴드 가스는 각각 1∼5 slm의 유량으로 유입시키는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
17 |
17
제16항에 있어서, 상기 열원 가스와 산화 가스는 1:1∼2:1의 비(slm)로 주입하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
18 |
18
제16항에 있어서, 상기 실리콘 전구체:산화 가스는 1:50∼1:150의 비(slm)로 주입하는 것을 특징으로 하는 SiOx계 복합 분말의 제조방법
|
19 |
19
제1항의 SiOx계 복합 분말을 포함하는 리튬 이차 전지 음극용 활물질
|