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스핀 자화 방향이 고정되는 핀드층;스핀 자화 방향이 스위칭되는 자유층; 상기 핀드층과 자유층 사이에 개재되는 터널 배리어층; 상기 핀드층과 상기 자유층 중 어느 일면에 배치되는 제1 전극; 및상기 핀드층과 상기 자유층 중 다른 일면에 배치되는 제2 전극을 포함하고,상기 자유층과 핀드층 중 적어도 어느 하나는 스핀의 자화 방향이 서로 다른 복수 개의 도메인을 구비하는 멀티 마그네틱 도메인(multi magnetic domain)을 가지는 난수 발생기
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제1항에 있어서,상기 자유층의 자화 방향은 스핀 주입 전류에 의해 결정되는 난수 발생기
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제1항에 있어서,상기 제1 전극과 핀드층 사이에 배치되는 씨드층을 더 포함하는 난수 발생기
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제1항에 있어서,상기 자유층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는 난수 발생기
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제1 전극이 형성된 기판 상에 핀드층, 터널 배리어층 및 자유층을 순차 적층하여 자기터널접합층을 형성하는 단계; 및상기 자기터널접합층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 자유층과 핀드층 중 적어도 어느 하나는 스핀의 자화 방향이 서로 다른 복수 개의 도메인을 구비하는 멀티 마그네틱 도메인(multi magnetic domain)을 가지는 난수 발생기의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 멀티 마그네틱 도메인은,상기 자기터널접합층을 형성하는 단계와, 상기 제2 전극을 형성하는 단계 사이에 형성되며,상기 자기터널접합층 상에 하드 마스크를 형성하는 단계; 및상기 하드 마스크를 이용하여 상기 기판을 식각함으로써 적어도 하나의 자기터널접합 구조물을 형성하되, 상기 식각으로 상기 자기터널접합 구조물의 측벽에 비균등한 결정구조를 발생시켜, 상기 핀드층 및 상기 자유층 중 적어도 어느 하나에 멀티 마그네틱 도메인을 형성하는 단계를 거쳐 형성되는 난수 발생기의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 멀티 마그네틱 도메인을 형성하는 단계와, 상기 제2 전극을 형성하는 단계 사이에, 상기 자기터널접합 구조물을 덮도록 패시베이션층을 형성하는 단계; 및상기 패시베이션층을 평탄화하여 상기 자기터널접합 구조물을 노출시키는 단계를 더 포함하는 난수 발생기의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 자기터널접합층을 형성하는 단계와, 상기 하드 마스크를 형성하는 단계 사이에,상기 자기터널접합층이 형성된 기판을 자화 어닐링하는 단계를 더 포함하는 난수 발생기의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 자화 어닐링은 상기 터널 배리어층이 결정화되는 온도, 및 상기 핀드층과 상기 자유층의 큐리 온도 이하에서 수행되는 난수 발생기의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 자기터널접합층을 형성하는 단계와, 상기 제2 전극을 형성하는 단계 사이에,상기 자기터널접합층이 형성된 기판의 자화 어닐링은 수행되지 않는 난수 발생기의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 자기터널접합층 상에 하드 마스크를 형성하는 단계는 전자빔 리소그래피를 이용하여 수행되는 난수 발생기의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 식각은 건식 식각인 난수 발생기의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 건식 식각은 이온빔 식각인 난수 발생기의 제조방법
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