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실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체

  • 기술번호 : KST2015141576
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 닷 또는 나노 홀 형태의 나노 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 이를 이용해 형성된 금속 나노 패턴 등을 차세대 정보저장용 자기 기록 매체 등에 적절히 적용 가능하게 하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법과, 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체에 관한 것이다. 상기 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법은 기재 상의 실리콘 옥사이드 상에, 소정의 하드세그먼트와, (메타)아크릴레이트계 반복단위를 포함한 소프트세그먼트를 포함하는 블록공중합체의 박막을 형성하는 단계; 박막을 배향시키는 단계; 블록공중합체의 박막에서 소프트세그먼트를 선택적으로 제거하는 단계; 및 소프트세그먼트가 제거된 블록공중합체 박막을 마스크로, 실리콘 옥사이드를 반응성 이온 식각하여 실리콘 옥사이드의 나노 닷 또는 나노 홀 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G11B 5/746(2013.01) G11B 5/746(2013.01) G11B 5/746(2013.01) G11B 5/746(2013.01) G11B 5/746(2013.01)
출원번호/일자 1020120100033 (2012.09.10)
출원인 주식회사 엘지화학, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1529646-0000 (2015.06.11)
공개번호/일자 10-2014-0033761 (2014.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20150617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.31)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한양규 대한민국 서울 노원구
2 이제권 대한민국 서울 마포구
3 이현진 대한민국 대전 유성구
4 김노마 대한민국 대전 유성구
5 윤성수 대한민국 대전 유성구
6 신은지 대한민국 대전 유성구
7 정연식 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0729608-09
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0991431-83
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0874382-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0169326-52
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0169327-08
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0382191-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 상의 실리콘 옥사이드 상에, 하기 화학식 1의 반복단위를 포함한 하드세그먼트와, 하기 화학식 2의 (메타)아크릴레이트계 반복단위를 포함한 소프트세그먼트를 포함하는 블록공중합체의 박막을 형성하는 단계; 블록공중합체의 박막에서 소프트세그먼트를 선택적으로 제거하는 단계; 및 소프트세그먼트가 제거된 블록공중합체 박막을 마스크로, 실리콘 옥사이드를 반응성 이온 식각하여 실리콘 옥사이드의 나노 닷 또는 나노 홀 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법: [화학식 1][화학식 2] 상기 화학식 1에서, n은 5 내지 600의 정수이고, R은 수소 또는 메틸이고, R＇는 X, , , 또는 이고, X는 -Z-R＂이고, Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌이고, Z는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌이고, R＂은 탄소수 10 내지 20의 선형 또는 분지형 탄화수소, 또는 탄소수 10 내지 20의 선형 또는 분지형 퍼플루오로하이드로카본(perfluorohydrocarbon)이고, 상기 화학식 2에서, m은 30 내지 1000의 정수이고, R1은 수소 또는 메틸이고, R2는 탄소수 1 내지 20의 알킬이다
2 2
제 1 항에 있어서, 블록공중합체는 40 내지 90중량%의 하드세그먼트와, 60 내지 10중량%의 소프트세그먼트를 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 블록공중합체는 결정성 하드세그먼트 및 무정형 소프트세그먼트를 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 나노 닷 패턴은 5 내지 60 nm의 직경을 갖는 실리콘 옥사이드 나노 닷(dot)들이 10 내지 100nm의 간격을 두고 형성되어 있는 형태를 갖는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 나노 홀 패턴은 5 내지 60 nm의 직경을 갖는 실리콘 옥사이드 상의 나노 홀(hole)들이 10 내지 100nm의 간격을 두고 형성되어 있는 형태를 갖는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 나노 닷 또는 나노 홀 패턴은 실리콘 옥사이드 나노 닷들과, 실리콘 옥사이드 상의 나노 홀들을 함께 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 나노 닷 또는 나노 홀 패턴은 1
8 8
제 1 항에 있어서, 블록공중합체의 박막 형성 단계는 블록공중합체의 용액을 기재 상에 도포하여 박막을 형성하는 단계; 및상기 도포된 박막을 용매숙성시키거나, 하드세그먼트의 융점 및 소프트세그먼트의 유리 전이 온도 이상에서 열처리하여 상기 블록공중합체의 각 세그먼트를 배향시키는 단계를 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 용매숙성 단계에서는 상기 도포된 박막을 상온의 비극성 용매 및 극성 용매의 혼합 용매 내에서 용매숙성시키는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 블록공중합체의 박막을 형성한 후에, 하드세그먼트에 선택적으로 흡착 가능한 물질을 상기 박막 상에 흡착시키는 단계를 더 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
11 11
제 1 항에 있어서, 소프트세그먼트의 선택적 제거 단계는 상기 블록공중합체의 박막에 자외선을 조사하여 소프트세그먼트를 제거하는 단계를 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 자외선 조사 단계는 254 nm 파장의 자외선을 1 내지 60분 동안 조사하는 방법으로 진행하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
13 13
제 11 항에 있어서, 자외선 조사 단계 후에, 상기 블록공중합체의 박막을 산(acid)으로 처리하여 자외선 분해된 소프트세그먼트를 제거하는 단계를 더 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
14 14
제 13 항에 있어서, 산 처리 단계에서는 염산, 초산 또는 트리플루오로 초산의 수용액을 사용하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 산 처리 단계 후에, 상기 블록공중합체의 박막을 탈이온수로 세정하는 단계를 더 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
16 16
제 1 항에 있어서, 반응성 이온 식각 단계는 CF4/Ar기체 이온을 사용하여 진행하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 반응성 이온 식각 단계 후에, 산소 플라즈마로 처리하여 상기 블록공중합체 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법
18 18
기재 상에, 하기 화학식 1의 반복단위를 포함한 하드세그먼트와, 하기 화학식 2의 (메타)아크릴레이트계 반복단위를 포함한 소프트세그먼트를 포함하는 블록공중합체의 박막을 형성하는 단계; 블록공중합체의 박막에서 소프트세그먼트를 선택적으로 제거하는 단계; 및 소프트세그먼트가 제거된 블록공중합체 박막 상에, 금속을 증착하는 단계를 포함하는 나노 닷 형태의 금속 나노 패턴의 형성 방법: [화학식 1][화학식 2] 상기 화학식 1에서, n은 5 내지 600의 정수이고, R은 수소 또는 메틸이고, R＇는 X, , , 또는 이고, X는 -Z-R＂이고, Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌이고, Z는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌이고, R＂은 탄소수 10 내지 20의 선형 또는 분지형 탄화수소, 또는 탄소수 10 내지 20의 선형 또는 분지형 퍼플루오로하이드로카본(perfluorohydrocarbon)이고, 상기 화학식 2에서, m은 30 내지 1000의 정수이고, R1은 수소 또는 메틸이고, R2는 탄소수 1 내지 20의 알킬이다
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 블록 공중합체의 박막 형성 단계 전에, 기재 상에, 실리콘 옥사이드를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 실리콘 옥사이드가 형성된 기재 상에 상기 블록공중합체의 박막을 형성하며, 상기 금속 증착 단계 전에, 소프트세그먼트가 제거된 블록공중합체 박막을 마스크로, 실리콘 옥사이드를 반응성 이온 식각하여 실리콘 옥사이드의 나노 닷 또는 나노 홀 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 나노 패턴의 형성 방법
20 20
제 18 항에 있어서, 금속 증착 단계에서는, 상기 소프트세그먼트가 제거되고 남은 블록공중합체의 박막보다 낮은 두께의 금속이 증착되는 금속 나노 패턴의 형성 방법
21 21
제 18 항에 있어서, 금속 증착 단계에서는, 상기 소프트세그먼트가 제거되고 남은 블록공중합체의 박막이 매립되도록 상기 박막보다 보다 높은 두께의 금속이 증착되고, 상기 금속 증착 단계 후에, 상기 블록공중합체 박막 위의 금속과, 블록공중합체 박막을 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 금속 나노 패턴의 형성 방법
22 22
제 20 항에 있어서, 금속 증착 단계 후에, 상기 금속이 증착된 블록공중합체 박막을 리프트 오프(lift off)하여 제거하는 단계를 더 포함하는 금속 나노 패턴의 형성 방법
23 23
제 19 항에 있어서, 상기 금속은 코발트, 크롬, 백금, 니켈 및 철로 이루어진 군에 선택된 자성 금속, 또는 이들 중에 선택된 2종 이상을 포함하는 자성 합금인 금속 나노 패턴의 형성 방법
24 24
제 18 항에 있어서, 상기 금속은 전자빔 증발법, 진공 스퍼터링 또는 진공 증발의 방법으로 증착되는 금속 나노 패턴의 형성 방법
25 25
제 18 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항의 방법으로 형성된 금속 나노 패턴을 포함하는 정보저장용 자기 기록 매체
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3 EP02894660 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
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8 WO2014038869 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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7 JP6042986 JP 일본 DOCDBFAMILY
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9 US9495991 US 미국 DOCDBFAMILY
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