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RF 신호를 제공하는 RF 전원;가스가 주입되어 플라즈마가 생성되는 플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버에 설치되고, 상기 RF 신호를 인가받아 상기 플라즈마 챔버에 전자장을 유도하는 코일;상기 코일의 접지단에 연결된 용량성 소자; 및상기 코일의 임피던스와 상기 용량성 소자의 임피던스 간의 비율을 조절하는 제어기;를 포함하는 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 코일은 상기 플라즈마 챔버의 외부에 감겨서 설치되는 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 용량성 소자는 상기 제어기에 의해 커패시턴스가 조절되는 가변 커패시터를 포함하는 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어기는, 상기 용량성 소자의 임피던스가 상기 코일의 임피던스의 절반이 되도록 상기 용량성 소자의 임피던스를 조절하는 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어기는:상기 코일에 인가되는 RF 신호와 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호를 비교하여, 비교 결과에 따라 상기 용량성 소자의 임피던스를 조절하는 플라즈마 발생 장치
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제 5 항에 있어서,상기 제어기는:상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭과 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭을 비교하는 플라즈마 발생 장치
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제 6 항에 있어서,상기 제어기는:상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭이 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭보다 더 크면, 상기 용량성 소자의 임피던스를 증가시키고,상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭이 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭보다 더 작으면, 상기 용량성 소자의 임피던스를 감소시키는 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어기는, 기설정된 주기마다 반복적으로 상기 비율을 조절하는 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어기는, 상기 RF 신호의 진폭, 위상 및 주파수 중 적어도 하나가 변경되는 경우, 상기 비율을 조절하는 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어기는, 상기 플라즈마 챔버에 주입되는 가스의 성분, 조성 및 압력 중 적어도 하나가 변경되는 경우, 상기 비율을 조절하는 플라즈마 발생 장치
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코일에 인가되는 RF 신호에 관한 정보 및 상기 코일의 접지단에 연결된 용량성 소자에 인가되는 RF 신호에 관한 정보를 수신하는 단계;상기 코일에 인가되는 RF 신호와 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호를 비교하는 단계; 및비교 결과에 따라 상기 코일의 임피던스와 상기 용량성 소자의 임피던스 간의 비율을 조절하는 단계;를 포함하는 플라즈마 발생 장치 제어 방법
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제 11 항에 있어서,상기 수신하는 단계는: 상기 코일의 입력단에 연결된 RF 신호 센서로부터 상기 코일에 인가되는 RF 신호에 관한 정보를 수신하는 단계; 및 상기 용량성 소자의 입력단에 연결된 RF 신호 센서로부터 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호에 관한 정보를 수신하는 단계;를 포함하는 플라즈마 발생 장치 제어 방법
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제 11 항에 있어서,상기 비교하는 단계는:상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭과 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭을 비교하는 단계를 포함하는 플라즈마 발생 장치 제어 방법
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제 13 항에 있어서,상기 조절하는 단계는:상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭이 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭보다 더 크면, 상기 용량성 소자의 임피던스를 증가시키는 단계를 포함하는 플라즈마 발생 장치 제어 방법
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제 13 항에 있어서,상기 조절하는 단계는:상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭이 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭보다 더 작으면, 상기 용량성 소자의 임피던스를 감소시키는 단계를 포함하는 플라즈마 발생 장치 제어 방법
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제 11 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 장치 제어 방법은, 기설정된 주기마다 반복적으로 수행되는 플라즈마 발생 장치 제어 방법
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제 11 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 장치 제어 방법은, 상기 RF 신호의 진폭, 위상 및 주파수 중 적어도 하나가 변경되는 경우 수행되는 플라즈마 발생 장치 제어 방법
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제 11 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 장치 제어 방법은, 플라즈마 챔버에 주입되는 가스의 성분, 조성 및 압력 중 적어도 하나가 변경되는 경우 수행되는 플라즈마 발생 장치 제어 방법
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내부에 기판이 배치되어 플라즈마 처리가 수행되는 공간을 제공하는 공정 유닛; 및가스로부터 플라즈마를 발생시켜 상기 공정 유닛으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생 유닛을 포함하며,상기 플라즈마 발생 유닛은: RF 신호를 제공하는 RF 전원; 가스가 주입되어 플라즈마가 생성되는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버에 설치되고, 상기 RF 신호를 인가받아 상기 플라즈마 챔버에 전자장을 유도하는 코일; 상기 코일의 접지단에 연결된 용량성 소자; 및 상기 코일의 임피던스와 상기 용량성 소자의 임피던스 간의 비율을 조절하는 제어기;를 포함하는 기판 처리 장치
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제 19 항에 있어서,상기 용량성 소자는 상기 제어기에 의해 커패시턴스가 조절되는 가변 커패시터를 포함하는 기판 처리 장치
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제 19 항에 있어서,상기 제어기는, 상기 용량성 소자의 임피던스가 상기 코일의 임피던스의 절반이 되도록 상기 용량성 소자의 임피던스를 조절하는 기판 처리 장치
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제 19 항에 있어서,상기 제어기는:상기 코일에 인가되는 RF 신호와 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호를 비교하여, 비교 결과에 따라 상기 용량성 소자의 임피던스를 조절하는 기판 처리 장치
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제 22 항에 있어서,상기 제어기는:상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭과 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭을 비교하는 기판 처리 장치
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제 23 항에 있어서,상기 제어기는:상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭이 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭보다 더 크면, 상기 용량성 소자의 임피던스를 증가시키고,상기 코일에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭이 상기 용량성 소자에 인가되는 RF 신호의 전압의 진폭보다 더 작으면, 상기 용량성 소자의 임피던스를 감소시키는 기판 처리 장치
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제 19 항에 있어서,상기 제어기는, 기설정된 주기마다 반복적으로 상기 비율을 조절하는 기판 처리 장치
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제 19 항에 있어서,상기 제어기는, 상기 RF 신호의 진폭, 위상 및 주파수 중 적어도 하나가 변경되는 경우, 상기 비율을 조절하는 기판 처리 장치
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제 19 항에 있어서,상기 제어기는, 상기 플라즈마 챔버에 주입되는 가스의 성분, 조성 및 압력 중 적어도 하나가 변경되는 경우, 상기 비율을 조절하는 기판 처리 장치
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