기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

플라즈마 챔버 및 기판 처리 장치

기술번호 : KST2015141593
담당센터 : 인천기술혁신센터
전화번호 : 032-420-3580

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 플라즈마 챔버 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 챔버는, 가스가 주입되어 플라즈마가 생성되는 하우징; 상기 하우징의 일면에 설치되는 제 1 코일; 및 상기 하우징의 타면에 설치되는 제 2 코일;을 포함할 수 있다.
Int. CL	H05H 1/46 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자	1020130001200 (2013.01.04)
출원인	피에스케이홀딩스 (주), 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0089458 (2014.07.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.01.04)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	피에스케이홀딩스 (주)	대한민국	경기도 화성시 삼
2	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이종식	대한민국	경기 성남시 분당구
2	조정희	대한민국	경기 화성시 삼성로
3	김현준	대한민국	부산 남구
4	정진욱	대한민국	서울 송파구
5	한덕선	대한민국	서울 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
최종권리자 정보가 없습니다

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.01.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0011258-61
2	보정요구서 Request for Amendment	2013.01.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2013-0004283-21
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2013.02.01	수리 (Accepted)	1-1-2013-0097738-68
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.03.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0163689-82
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2014.05.07	수리 (Accepted)	1-1-2014-0428366-97
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2014.06.05	수리 (Accepted)	1-1-2014-0532247-24
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
8	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2014.07.07	수리 (Accepted)	1-1-2014-0637502-57
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.08.05	수리 (Accepted)	1-1-2014-0741772-29
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.08.05	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0741773-75
11	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2014.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0815056-62
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
13	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2015.05.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0333173-68
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2017-0063071-79
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.11	수리 (Accepted)	4-1-2019-5071739-10
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 가스가 주입되어 플라즈마가 생성되는 하우징;상기 하우징의 일면에 설치되는 제 1 코일; 및상기 하우징의 타면에 설치되는 제 2 코일;을 포함하는 플라즈마 챔버
2	2 제 1 항에 있어서,상기 하우징은 기둥형으로 형성되며,상기 제 1 코일은 상기 하우징의 상면에 설치되고,상기 제 2 코일은 상기 하우징의 측면에 설치되는 플라즈마 챔버
3	3 제 1 항에 있어서,상기 하우징은 밑면의 면적이 서로 다른 복수의 기둥이 연결된 형상을 가지며,상기 제 1 코일은 상기 복수의 기둥 중 제 1 기둥의 측면에 설치되고,상기 제 2 코일은 상기 복수의 기둥 중 제 2 기둥의 측면에 설치되는 플라즈마 챔버
4	4 제 1 항에 있어서,상기 하우징은 밑면의 면적이 서로 다른 복수의 기둥이 연결된 형상을 가지며,상기 제 1 코일은 상기 복수의 기둥 중 제 1 기둥의 측면에 설치되고,상기 제 2 코일은 상기 복수의 기둥 중 제 2 기둥의 상면에 설치되는 플라즈마 챔버
5	5 제 4 항에 있어서,상기 제 1 기둥의 밑면의 면적은 상기 제 2 기둥의 밑면의 면적보다 더 작은 플라즈마 챔버
6	6 제 4 항에 있어서,상기 제 1 기둥의 상면에 설치되는 제 3 코일을 더 포함하는 플라즈마 챔버
7	7 제 4 항에 있어서,상기 제 2 기둥의 측면에 설치되는 제 4 코일을 더 포함하는 플라즈마 챔버
8	8 제 1 항에 있어서,상기 하우징은 밑면의 면적이 서로 다른 복수의 기둥 사이에 뿔대가 연결된 형상을 가지며,상기 제 1 코일은 상기 복수의 기둥 중 하나의 기둥의 측면에 설치되고,상기 제 2 코일은 상기 뿔대의 측면에 설치되는 플라즈마 챔버
9	9 제 8 항에 있어서,상기 복수의 기둥 중 다른 하나의 기둥의 측면에 설치되는 제 5 코일을 더 포함하는 플라즈마 챔버
10	10 제 1 항에 있어서,상기 제 1 코일 및 상기 제 2 코일 중 하나는 코어에 감겨 상기 하우징의 측면에 설치되는 플라즈마 챔버
11	11 제 1 항에 있어서,상기 제 1 코일 및 상기 제 2 코일은, RF 신호를 제공하는 RF 전원에 연결되는 플라즈마 챔버
12	12 제 11 항에 있어서,상기 제 1 코일 및 상기 제 2 코일은 상기 RF 전원에 병렬로 연결되는 플라즈마 챔버
13	13 제 11 항에 있어서,상기 제 1 코일의 입력단에 직렬로 연결되는 제 1 가변 커패시터; 및상기 제 2 코일의 입력단에 직렬로 연결되는 제 2 가변 커패시터;를 더 포함하는 플라즈마 챔버
14	14 제 11 항에 있어서,상기 제 1 코일의 접지단에 직렬로 연결되는 제 1 용량성 소자; 및상기 제 2 코일의 접지단에 직렬로 연결되는 제 2 용량성 소자;를 더 포함하는 플라즈마 챔버
15	15 제 14 항에 있어서,상기 제 1 용량성 소자의 임피던스는 상기 제 1 코일의 임피던스의 절반으로 설정되고,상기 제 2 용량성 소자의 임피던스는 상기 제 2 코일의 임피던스의 절반으로 설정되는 플라즈마 챔버
16	16 내부에 기판이 배치되어 플라즈마 처리가 수행되는 공간을 제공하는 공정 유닛; 및가스로부터 플라즈마를 발생시켜 상기 공정 유닛으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생 유닛을 포함하며,상기 플라즈마 발생 유닛은: RF 신호를 제공하는 RF 전원; 가스가 주입되어 플라즈마가 생성되는 하우징; 상기 하우징의 일면에 설치되고, 상기 RF 신호를 인가받아 상기 하우징에 전자장을 유도하는 제 1 코일; 및 상기 하우징의 타면에 설치되고, 상기 RF 신호를 인가받아 상기 하우징에 전자장을 유도하는 제 2 코일;을 포함하는 기판 처리 장치
17	17 제 16 항에 있어서,상기 하우징은 기둥형으로 형성되며,상기 제 1 코일은 상기 하우징의 상면에 설치되고,상기 제 2 코일은 상기 하우징의 측면에 설치되는 기판 처리 장치
18	18 제 16 항에 있어서,상기 하우징은 밑면의 면적이 서로 다른 복수의 기둥이 연결된 형상을 가지며,상기 제 1 코일은 상기 복수의 기둥 중 제 1 기둥의 측면에 설치되고,상기 제 2 코일은 상기 복수의 기둥 중 제 2 기둥의 측면에 설치되는 기판 처리 장치
19	19 제 16 항에 있어서,상기 하우징은 밑면의 면적이 서로 다른 복수의 기둥이 연결된 형상을 가지며,상기 제 1 코일은 상기 복수의 기둥 중 제 1 기둥의 측면에 설치되고,상기 제 2 코일은 상기 복수의 기둥 중 제 2 기둥의 상면에 설치되는 기판 처리 장치
20	20 제 19 항에 있어서,상기 제 1 기둥의 밑면의 면적은 상기 제 2 기둥의 밑면의 면적보다 더 작은 기판 처리 장치
21	21 제 19 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 유닛은, 상기 제 1 기둥의 상면에 설치되는 제 3 코일을 더 포함하는 기판 처리 장치
22	22 제 19 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 유닛은, 상기 제 2 기둥의 측면에 설치되는 제 4 코일을 더 포함하는 기판 처리 장치
23	23 제 16 항에 있어서,상기 하우징은 밑면의 면적이 서로 다른 복수의 기둥 사이에 뿔대가 연결된 형상을 가지며,상기 제 1 코일은 상기 복수의 기둥 중 하나의 기둥의 측면에 설치되고,상기 제 2 코일은 상기 뿔대의 측면에 설치되는 기판 처리 장치
24	24 제 23 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 유닛은, 상기 복수의 기둥 중 다른 하나의 기둥의 측면에 설치되는 제 5 코일을 더 포함하는 기판 처리 장치
25	25 제 16 항에 있어서,상기 제 1 코일 및 상기 제 2 코일 중 하나는 코어에 감겨 상기 하우징의 측면에 설치되는 기판 처리 장치

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP26132570	JP	일본	FAMILY
2	TWI561123	TW	대만	FAMILY
3	US20140190635	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2014132570	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	TW201429323	TW	대만	DOCDBFAMILY
3	TWI561123	TW	대만	DOCDBFAMILY
4	US2014190635	US	미국	DOCDBFAMILY

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.01.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0011258-61
2	보정요구서	2013.01.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2013-0004283-21
3	[출원서등 보정]보정서	2013.02.01	수리 (Accepted)	1-1-2013-0097738-68
4	의견제출통지서	2014.03.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0163689-82
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.05.07	수리 (Accepted)	1-1-2014-0428366-97
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.06.05	수리 (Accepted)	1-1-2014-0532247-24
7	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
8	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.07.07	수리 (Accepted)	1-1-2014-0637502-57
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.08.05	수리 (Accepted)	1-1-2014-0741772-29
10	[명세서등 보정]보정서	2014.08.05	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0741773-75
11	최후의견제출통지서	2014.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0815056-62
12	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
13	거절결정서	2015.05.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0333173-68
14	출원인정보변경(경정)신고서	2017.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2017-0063071-79
15	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.11	수리 (Accepted)	4-1-2019-5071739-10
16	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
17	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09


과제고유번호	1415123652
세부과제번호	10032293
연구과제명	40나노급 이하 및 450mm 반도체 공정용 차세대 애셔 개발
성과구분	출원
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2012
연구기간	200812~201309
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020130001200]	플라즈마 챔버 및 기판 처리 장치	새창보기
[1020130001198]	플라즈마 발생 장치, 플라즈마 발생 장치를 제어하는 방법 그리고 플라즈마 발생 장치를 사용하는 기판 처리 장치	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015141230][한양대학교 에리카캠퍼스]	플라즈마 발생용 안테나 장치	새창보기
[KST2015142455][한양대학교 에리카캠퍼스]	정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 경도가 우수한 내플라즈마 부재의 제조방법	새창보기
[KST2015141674][한양대학교 에리카캠퍼스]	플라즈마 진단방법 및 장치	새창보기
[KST2015142004][한양대학교 에리카캠퍼스]	정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 경도가 우수한 내플라즈마 부재의 제조방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.