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아날로그 디지털 변환기 및 이를 사용한 아날로그 디지털 변환 방법

  • 기술번호 : KST2015141605
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기술은 CDS 동작을 수행하면서도 면적을 줄인 아날로그 디지털 변환기에 관한 것으로, 본 발명에 따른 아날로그 디지털 변환기는 입력노드의 전압과 비교전압을 비교한 결과를 출력하는 비교부; 상기 입력노드에 일단이 연결된 제1 내지 제N캐패시터; 및 상기 제2 내지 제N캐패시터 각각에 대응하며 제1기준전압, 제2기준전압 및 상기 비교전압 중 하나를 선택하여 자신에게 대응하는 캐패시터의 타단에 인가하는 제1 내지 제N-1전압 선택부를 포함하고, 제1샘플링 동작시 상기 입력노드에 제1신호를 샘플링하고, 제1변환 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부는 상기 비교부의 출력에 응답하여 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 하나를 선택하고, 제2샘플링 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부가 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 상기 제1변환 동작에서 선택하지 않은 기준전압을 선택하고 상기 입력노드에 상기 제1신호와 다른 레벨을 가지는 제2신호를 인가하고, 상기 제2변환 동작시 상기 제2샘플링 동작시 상기 입력노드에 샘플링된 값을 디지털 신호로 변환한다.
Int. CL H03M 1/12 (2006.01)
CPC H03M 3/342(2013.01) H03M 3/342(2013.01) H03M 3/342(2013.01) H03M 3/342(2013.01) H03M 3/342(2013.01) H03M 3/342(2013.01)
출원번호/일자 1020120149943 (2012.12.20)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0080900 (2014.07.01) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.09)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구자승 대한민국 서울 송파구
2 권오경 대한민국 서울특별시 강남구
3 김민규 대한민국 울산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
2 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-1061390-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0138119-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0768371-15
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0000514-34
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0288797-06
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0633806-87
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0745107-29
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0848663-20
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0954222-18
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0954223-64
16 등록결정서
Decision to grant
2019.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0132098-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력노드의 전압과 비교전압을 비교한 결과를 출력하는 비교부;상기 입력노드에 일단이 연결된 제1 내지 제N캐패시터; 및상기 제2 내지 제N캐패시터 각각에 대응하며 제1기준전압, 제2기준전압 및 상기 비교전압 중 하나를 선택하여 자신에게 대응하는 캐패시터의 타단에 인가하는 제1 내지 제N-1전압 선택부를 포함하고,제1샘플링 동작시 상기 입력노드에 제1신호를 샘플링하고, 제1변환 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부는 상기 비교부의 출력에 응답하여 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 하나를 선택하고, 제2샘플링 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부가 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 상기 제1변환 동작에서 선택하지 않은 기준전압을 선택하고 상기 입력노드에 상기 제1신호와 다른 레벨을 가지는 제2신호를 인가하고, 제2변환 동작시 상기 제2샘플링 동작시 상기 입력노드에 샘플링된 값을 디지털 신호로 변환하는 아날로그 디지털 변환기
2 2
제 1항에 있어서,상기 제2샘플링 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부가 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 상기 제1변환 동작에서 선택하지 않은 기준전압을 선택하고 상기 입력노드에 상기 제2신호를 인가하고, 상기 제1 내지 제N캐패시터가 충전된 후 상기 입력노드에 신호를 인가하지 않고 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부가 상기 비교전압을 선택하여 상기 입력노드에 상기 제1신호를 상기 제1변환 동작에서 상기 입력노드에 상기 제1신호와 상기 제2신호의 차이를 샘플링하는 아날로그 디지털 변환기
3 3
제 2항에 있어서,상기 제2샘플링 동작시 상기 입력노드에 샘플링되는 값은 상기 제1변환 동작을 수행한 결과 생성된 제1디지털 신호에 대응하는 값을 가지는 아날로그 신호인 제1아날로그 신호와 제2신호의 차이인 아날로그 디지털 변환기
4 4
제 2항에 있어서,상기 제1샘플링 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부가 상기 비교전압을 선택하고 상기 입력노드에 상기 제1신호를 인가하고, 상기 제1 내지 제N캐패시터를 충전하여 상기 입력노드에 상기 제1신호를 샘플링하는 아날로그 디지털 변환기
5 5
제 1항에 있어서,상기 제1변환 동작 및 상기 제2변환 동작시 상기 비교부의 출력에 응답하여 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 아날로그 디지털 변환기
6 6
제 1항에 있어서,상기 제2 내지 제N캐패시터 중 제K(2≤K≤N)캐패시터의 캐패시턴스 값은 제1캐패시터의 캐패시턴스 값의 2^(K-2)배인 아날로그 디지털 변환기
7 7
제 3항에 있어서,상기 디지털 신호는 상기 제2신호에서 상기 제1신호를 뺀 값을 아날로그 디지털 변환한 값이고, 상기 디지털 신호의 각 비트를 반전한 반전 디지털 신호는 상기 제1신호에서 상기 제2신호를 뺀 값을 아날로그 디지털 변환한 값인 아날로그 디지털 변환기
8 8
제 7항에 있어서,상기 디지털 신호는 상기 제2신호에서 상기 제1아날로그 신호를 뺀 값을 아날로그 디지털 변환한 값이고, 상기 디지털 신호의 각 비트를 반전한 반전 디지털 신호는 상기 제1아날로그 신호에서 상기 제2신호를 뺀 값을 아날로그 디지털 변환한 값인 아날로그 디지털 변환기
9 9
제 1항에 있어서,상기 제1기준전압은 상기 비교전압보다 기준전압만큼 큰 전압이고, 상기 제2기준전압은 상기 비교전압보다 기준전압만큼 작은 전압인 아날로그 디지털 변환기
10 10
제1구간에서 리셋신호을 출력하고, 제2구간에서 입사된 빛에 응답하여 영상신호를 출력하는 픽셀부;입력노드의 전압과 비교전압을 비교한 결과를 출력하는 비교부;상기 입력노드에 일단이 연결된 제1 내지 제N캐패시터; 및상기 제2 내지 제N캐패시터 각각에 대응하며 제1기준전압, 제2기준전압 및 상기 비교전압 중 하나를 선택하여 자신에게 대응하는 캐패시터의 타단에 인가하는 제1 내지 제N-1전압 선택부를 포함하고,제1샘플링 동작시 상기 입력노드에 상기 리셋신호을 샘플링하고, 제1변환 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부는 상기 비교부의 출력에 응답하여 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 하나를 선택하고, 제2샘플링 동작시 상기 제1내지 제N-1전압 선택부가 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 상기 제1변환 동작에서 선택하지 않은 기준전압을 선택하고 상기 입력노드에 상기 영상신호를 인가하고, 제2변환 동작시 상기 제2샘플링 동작시 상기 입력노드에 샘플링된 값을 이용하여 픽셀 데이터를 생성하는 이미지 센서
11 11
제 10항에 있어서,상기 제2샘플링 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부가 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 상기 제1변환 동작에서 선택하지 않은 기준전압을 선택하고 상기 입력노드에 상기 영상신호를 인가하고, 상기 제1 내지 제N캐패시터가 충전된 후 상기 입력노드에 신호를 인가하지 않고 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부가 상기 비교전압을 선택하여 상기 입력노드에 상기 리셋신호과 상기 영상신호의 차이를 샘플링하는 이미지 센서
12 12
제 11항에 있어서,상기 제2샘플링 동작시 상기 입력노드에 샘플링되는 값은 상기 제1변환 동작을 수행한 결과 생성된 제1디지털 신호에 대응하는 값을 가지는 아날로그 신호인 제1아날로그 신호와 상기 영상신호의 차이인 이미지 센서
13 13
제 11항에 있어서,상기 제1샘플링 동작시 상기 제1 내지 제N-1전압 선택부가 상기 비교전압을 선택하고 상기 입력노드에 상기 리셋신호을 인가하고, 상기 제1 내지 제N캐패시터를 충전하여 상기 입력노드에 상기 리셋신호을 샘플링하는 이미지 센서
14 14
제 10항에 있어서,상기 제2 내지 제N캐패시터 중 제K(2≤K≤N)캐패시터의 캐패시턴스 값은 제1캐패시터의 캐패시턴스 값의 2^(K-2)배인 이미지 센서
15 15
제 12항에 있어서,상기 픽셀 데이터는 상기 제2변환 동작시 상기 입력노드에 샘플링된 상기 영상신호에서 상기 리셋신호를 뺀 값을 아날로그 디지털 변환하여 생성된 디지털 신호를 반전하여 생성된 데이터인 이미지 센서
16 16
제 15항에 있어서,상기 픽셀 데이터는 상기 영상신호에서 상기 제1아날로그 신호를 뺀 값을 아날로그 디지털 변환하여 생성된 디지털 신호를 반전하여 생성된 데이터인 이미지 센서
17 17
제 10항에 있어서,상기 픽셀부는입사된 빛에 응답하여 광전하를 생성하는 광다이오드;초기화 신호에 응답하여 플로팅 디퓨전 노드를 초기화 전압으로 구동하는 리셋 트랜지스터;전송신호에 응답하여 상기 광다이오드에 의해 생성된 광전하를 상기 플로팅 디퓨전 노드로 전송하는 전송 트랜지스터; 및상기 플로팅 디퓨전 노드의 전압에 응답하여 출력노드를 풀업구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서
18 18
제 10항에 있어서,상기 제1기준전압은 상기 비교전압보다 기준전압만큼 큰 전압이고, 상기 제2기준전압은 상기 비교전압보다 기준전압만큼 작은 전압인 이미지 센서
19 19
입력노드의 전압과 비교전압을 비교한 결과를 출력하는 비교부 및 상기 입력노드에 일단이 연결된 제1 내지 제N캐패시터를 포함하는 아날로그 디지털 변환기를 이용한 아날로그 디지털 변환방법에 있어서,상기 입력노드에 제1신호를 샘플링하는 제1샘플링 단계;상기 비교부의 출력에 응답하여 제1기준전압 및 제2기준전압 중 하나를 선택하여 상기 제2 내지 제N캐패시터 타단에 인가하는 제1변환 단계;상기 제2 내지 제N캐패시터의 타단에 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 상기 제1변환 단계에서 인가되지 않은 기준전압을 인가하고 상기 입력노드에 상기 제1신호와 다른 레벨을 가지는 제2신호를 인가하여 상기 제1 내지 제N캐패시터를 충전하고, 상기 입력노드에 신호를 인가하지 않고 상기 제2 내지 제N캐패시터 타단에 상기 비교전압을 인가하여 상기 제1신호와 상기 제2신호의 차이를 샘플링하는 제2샘플링 단계; 및상기 비교부의 출력에 응답하여 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 하나를 선택하여 상기 제1 내지 제N캐패시터 타단에 인가하여 상기 제2샘플링 단계에서 상기 입력노드에 샘플링된 신호를 디지털 신호로 변환하는 제2변환 단계를 포함하는 아날로그 디지털 변환방법
20 20
제 19항에 있어서,상기 제2샘플링 단계에서 샘플링되는 값은 상기 제1변환 단계가 완료된 후 생성된 제1디지털 신호에 대응하는 값을 가지는 아날로그 신호인 제1아날로그 신호와 제2신호의 차이인 아날로그 디지털 변환방법
21 21
픽셀부, 입력노드의 전압과 비교전압을 비교한 결과를 출력하는 비교부 및 상기 입력노드에 일단이 연결된 제1 내지 제N캐패시터를 포함하는 이미지 센서를 이용한 픽셀 데이터 생성방법에 있어서,상기 픽셀부에서 리셋신호을 출력하는 단계;상기 입력노드에 상기 리셋신호을 샘플링하는 제1샘플링 단계;상기 비교부의 출력에 응답하여 제1기준전압 및 제2기준전압 중 하나를 선택하여 상기 제2 내지 제N캐패시터 타단에 인가하는 제1변환 단계;입사된 빛에 응답하여 상기 픽셀부에서 영상신호를 출력하는 단계;상기 제2 내지 제N캐패시터의 타단에 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 상기 제1변환 단계에서 인가되지 않은 기준전압을 인가하고 상기 입력노드에 상기 영상신호를 인가하여 상기 제1 내지 제N캐패시터를 충전하고, 상기 입력노드에 신호를 인가하지 않고 상기 제2 내지 제N캐패시터 타단에 상기 비교전압을 인가하여 상기 리셋신호와 상기 영상신호의 차이를 샘플링하는 제2샘플링 단계; 및상기 비교부의 출력에 응답하여 상기 제1기준전압 및 상기 제2기준전압 중 하나를 선택하여 상기 제2 내지 제N캐패시터의 타단에 인가하여 상기 제2샘플링 단계에서 상기 입력노드에 샘플링된 신호를 디지털 신호로 변환하는 제2변환 단계를 포함하는 픽셀 데이터 생성방법
22 22
제 21항에 있어서,상기 디지털 신호를 반전하여 픽셀 데이터를 생성하는 단계를 더 포함하는 픽셀 데이터 생성방법
23 23
제 21항에 있어서,상기 제2샘플링 단계에서 샘플링되는 값은 상기 제1변환 단계가 완료된 후 생성된 제1디지털 신호에 대응하는 값을 가지는 아날로그 신호인 제1아날로그 신호와 상기 영상신호의 차이인 픽셀 데이터 생성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.