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복수개의 트렌치를 구비하는 반도체 기판;상기 트렌치의 둘레를 따라 배치되는 기준 유전막;상기 기준 유전막 상에, 상기 트렌치를 매립하도록 배치되는 탐지 전극;상기 반도체 기판의 전면에 배치되는 센싱 유전막;상기 센싱 유전막 상에 고정되는 프로브; 및상기 프로브가 고정된 센싱 유전막 상에 배치되는 세포액 챔버를 포함하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판, 상기 탐지 전극 및 이들 사이에 개재된 상기 기준 유전막이 기준 커패시터를 형성하고, 상기 반도체 기판, 상기 탐지 전극 및 상기 반도체 기판과 상기 탐지 전극에 접하는 상기 센싱 유전막이 센싱 커패시터를 형성하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판, 상기 탐지 전극 및 이들 사이에 개재된 상기 기준 유전막이 기준 커패시터를 형성하고, 상기 복수개의 트렌치 내에 각각 매립된 복수개의 탐지 전극 중 선택되는 두 개의 탐지 전극 및 상기 탐지 전극에 접하는 상기 센싱 유전막이 센싱 커패시터를 형성하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 탐지 전극은 기준 전압의 인가로 상기 반도체 기판에 프린징 필드를 형성하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 탐지 전극은 기준 유전막 및 센싱 유전막으로 둘러싸여, 세포액과의 접촉이 차단되는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 기준 유전막은 SiO2 또는 TiO2를 포함하고, 상기 센싱 유전막은 Si3N4, Al2O3, CeO2, HfO2, La2O3, Ta2O5, Y2O3, ZrO2, ZrAlO, HfAlO, ZrTiO4, SnTiO4 및 SrTiO3 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 세포 계수 장치
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반도체 기판에 복수개의 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치의 둘레를 따라 기준 유전막을 형성하는 단계;상기 트렌치 내부를 매립하는 탐지 전극을 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 전면에 센싱 유전막을 형성하는 단계; 상기 센싱 유전막 상에 프로브를 고정시키는 단계; 및상기 센싱 유전막 상에 세포액 챔버를 형성하는 단계를 포함하는 세포 계수 장치의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 복수개의 트렌치 각각은 5㎛ ∼ 50㎛의 간격을 두고 형성되는 세포 계수 장치의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 기준 유전막은 1㎛ ∼ 5㎛의 두께를 가지도록 형성되고, 상기 센싱 유전막은 1nm ∼ 50nm의 두께를 가지도록 형성되는 세포 계수 장치의 제조방법
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