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탄화수소계 수소 이온 전도성 고분자 막을 포함하며, 표면 접촉각이 80도(°) 내지 180도(°)인 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막
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제1항에 있어서, 상기 고분자 전해질 막의 표면 접촉각이 80도(°) 이상, 120도(°) 미만인 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질막
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제1항에 있어서,상기 탄화수소계 수소 이온 전도성 고분자는 수소 이온 전도성기를 갖는 고분자이고, 상기 고분자는, 벤즈이미다졸계 고분자, 벤즈옥사졸계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌술파이드계 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리페닐퀴녹살린계 고분자, 이들의 공중합체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 탄화수소계 고분자인 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막
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탄화수소계 수소 이온 전도성 고분자 막을 플라즈마를 이용한 소수성 처리하는 공정을 포함하는 표면 처리된 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 플라즈마를 이용한 소수성 처리는 아르곤 가스, 질소 가스, 산소 가스, 헬륨 가스 및 이들의 조합에서 선택되는 제1 가스; 및 하이드로카본 가스, 플루오로카본 가스 및 이들의 조합에서 선택되는 제2 가스를 불어넣으면서 실시하는 것인 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 하이드로카본 가스는 CH4 가스 또는 C2H2 가스인 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 플루오로카본 가스는 C4F8 가스, CF4 가스 또는 이들의 조합인 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막의 제조 방법
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8
제4항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 아르곤 가스, 질소 가스, 산소 가스, 헬륨 가스 및 이들의 조합에서 선택되는 제1 가스; 및 CF4 가스, C4F8 가스 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 제2 가스를 불어넣으면서 실시하는 것인 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 탄화수소계 수소 이온 전도성 고분자는 수소 이온 전도성기를 갖는 고분자이고, 상기 고분자는 벤즈이미다졸계 고분자, 벤즈옥사졸계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌술파이드계 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리페닐퀴녹살린계 고분자, 이들의 공중합체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 탄화수소계 고분자인 고분자 전해질형 연료 전지용 고분자 전해질 막의 제조 방법
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10
서로 대향하여 위치하는 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하고, 상기 애노드 전극과 상기 캐소드 전극 사이에 위치하며, 수소 이온 전도성기를 포함하는 탄화수소계 고분자를 포함하는 고분자 전해질 막을 포함하는 적어도 하나의 막-전극 어셈블리 및 세퍼레이터를 포함하며, 연료의 산화 반응 및 산화제의 환원 반응을 통하여 전기를 생성시키는 적어도 하나의 전기 발생부;연료를 상기 전기 발생부로 공급하는 연료 공급부; 및산화제를 상기 전기 발생부로 공급하는 산화제 공급부를 포함하며,상기 고분자 전해질 막은 상기 애노드 전극과 접촉하는 제1 표면과, 상기 캐소드 전극과 접촉하는 제2 표면을 가지며, 상기 제1 표면과 제2 표면 중 적어도 하나의 표면의 접촉각이 80도(°) 내지 180도(°)인 고분자 전해질형 연료 전지 시스템
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제10항에 있어서,상기 제1 표면과 제2 표면 중 적어도 하나의 표면의 접촉각이 80도(°) 이상, 120도(°) 미만인 고분자 전해질형 연료 전지 시스템
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제10항에 있어서,상기 제2 표면의 접촉각이 80도(°) 내지 180도(°)인 고분자 전해질형 연료 전지 시스템
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제10항에 있어서,상기 제1 표면과 제2 표면은 표면의 접촉각이 80도(°) 내지 180도(°)인 고분자 전해질형 연료 전지 시스템
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