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그래핀 옥사이드 코팅층을 포함하는 복합 분리막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141698
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 옥사이드 코팅층을 포함하는 복합 분리막 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 그래핀 옥사이드 코팅층을 포함하는 복합 분리막에 따르면, 이산화탄소의 투과도 및 질소, 수소 또는 메탄 가스에 대한 이산화탄소의 선택도가 동시에 우수하고, 막 표면의 결함이 없으며, 특히 수분에 노출되어도 이산화탄소의 투과도 변화 없이 이산화탄소/기체(수소, 질소, 메탄 등)의 선택도를 크게 증가시킨다. 따라서 본 발명에서 제조된 그래핀 옥사이드 코팅층을 포함하는 복합 분리막은 이산화탄소의 분리 및 회수 공정을 수반하는 산업현장에 적용가능하다.
Int. CL B01D 69/12 (2006.01) B01D 71/76 (2006.01) B01D 71/02 (2006.01) B01D 69/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130045135 (2013.04.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1421219-0000 (2014.07.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.27)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박호범 대한민국 서울 성동구
2 김효원 대한민국 서울 광진구
3 윤희욱 대한민국 경기 과천시 온온사로 ,
4 유병민 대한민국 경기 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0358676-25
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0466742-07
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0879321-64
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-1128378-75
5 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2013.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2013.12.19 수리 (Accepted) 9-1-2013-0107590-31
7 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination
2014.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0002790-63
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0064093-36
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0294511-67
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0266738-69
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0398609-48
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0398580-13
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0320591-01
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0448636-88
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0448647-80
16 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0460184-24
17 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0340674-50
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다공성 고분자 지지체; 및상기 다공성 고분자 지지체 위에 그래핀 옥사이드 코팅층;을 포함하고,상기 코팅층은 복수층의 그래핀 옥사이드로 이루어지며, 각 층은 기체를 통과시키는 기공을 포함하여 이루어지고,상기 기공은 상기 기공이 포함된 층 위에 적층된 일측 또는 타측의 층에 존재하는 다른 기공과 지그재그 형태로 이격되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 분리막
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 지그재그 형태로 이격된 기공간 평균 이격의 거리는 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 기공의 평균 직경은 0
5 5
제 1항에 있어서, 상기 다공성 고분자 지지체는 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 폴리아크릴로니트릴, 셀룰로오즈 아세테이트, 셀룰로오스 트리아세테이트, 및 폴리비닐리덴플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 것을 특징으로 하는 복합 분리막
6 6
제 5항에 있어서, 상기 다공성 고분자 지지체는 기공을 포함하며, 상기 기공의 크기는 10nm ~ 100nm인 것을 특징으로 하는 복합 분리막
7 7
제 1항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드의 크기는 0
8 8
제 1항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드는 그래핀 옥사이드에 존재하는 히드록실기, 카르복실기, 카르보닐기, 또는 에폭시기가 에스테르기, 에테르기, 아미드기, 또는 아미노기로 전환된 관능화 그래핀 옥사이드인 것을 특징으로 하는 복합 분리막
9 9
제 1항에 있어서,상기 그래핀 옥사이드 코팅층의 두께는 3~20 nm인 것을 특징으로 하는 복합 분리막
10 10
1) 그래핀 옥사이드를 증류수에 분산시킨 분산 용액을 얻는 단계;2) 상기 분산 용액을 다공성 고분자 지지체 위에 스핀 코팅하며, 상기 스핀 코팅은 복수회로 실시하여 복수층의 그래핀 옥사이드 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 복수회의 스핀 코팅을 실시하여 형성된 복수층의 그래핀 옥사이드 코팅층은 각 층에 기체를 통과시키는 기공을 포함하여 이루어지고,상기 기공은 상기 기공이 포함된 층 위에 적층된 일측 또는 타측의 층에 존재하는 다른 기공과 지그재그 형태로 이격되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 분리막의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 1)단계의 분산 용액에서 상기 그래핀 옥사이드의 농도는 0
12 12
제 10항에 있어서,상기 스핀 코팅의 조건은 2,000-4,000 rpm의 속도로, 15-60 초 시간 동안, 0
13 13
제 10항에 있어서,상기 2)단계의 코팅층 두께는 3~20 nm 인 것을 특징으로 하는 복합 분리막의 제조방법
14 14
제 10항에 있어서,상기 1)단계 이후 상기 분산 용액을 초음파로 분쇄하는 단계를 더 포함하는 복합 분리막의 제조방법
15 15
제 10항에 있어서,상기 다공성 고분자 지지체는 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 폴리아크릴로니트릴, 셀룰로오즈 아세테이트, 셀룰로오스 트리아세테이트, 및 폴리비닐리덴플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 것을 특징으로 하는 복합 분리막의 제조방법
16 16
제 15항에 있어서, 상기 다공성 고분자 지지체는 기공을 포함하며, 상기 기공의 크기는 10nm ~ 100nm인 것을 특징으로 하는 복합 분리막의 제조방법
17 17
제 10항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드의 크기는 0
18 18
제 10항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드는 그래핀 옥사이드에 존재하는 히드록실기, 카르복실기, 카르보닐기, 또는 에폭시기가 에스테르기, 에테르기, 아미드기, 또는 아미노기로 전환된 관능화 그래핀 옥사이드인 것을 특징으로 하는 복합 분리막의 제조방법
19 19
제 10항에 있어서,상기 지그재그 형태로 이격된 기공간 평균 이격의 거리는 0
20 20
제 1항 및 제3항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 복합 분리막을 포함하는 수처리 분리막
21 21
제 1항 및 제3항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 복합 분리막을 포함하는 메모리 소자
22 22
제 1항 및 제3항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 복합 분리막을 포함하는 전극 소재
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10232322 US 미국 FAMILY
2 US20160074814 US 미국 FAMILY
3 WO2014175517 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US10232322 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2016074814 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2014175517 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 거대과학연구개발사업(기후변화대응 기초원천사업) 고투과선택성 CO₂분리막소재를 위한 기공·채널 엔지니어링 기술개발