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저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 프로브 및 그를 구비한 지문 인식 장치

  • 기술번호 : KST2015141738
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치는, 광을 발생시키는 광원과 연결된 연결부의 갈래 중 일 갈래에 결합되며, 사람의 지문을 인식하는 지문 인식 프로브; 연결부의 갈래 중 다른 갈래에 결합되며 광원으로부터의 광을 반사시키는 리퍼런스 미러; 및 연결부의 또 다른 갈래에 결합되며, 지문 인식 프로브 및 리퍼런스 미러를 지나온 광을 검출하는 광 검출부;를 포함하며, 지문 인식 프로브는 광원으로부터 제공되는 광의 저 결맞음 현상을 이용하여 지문의 외부 지문층 또는 내부 지문층을 인식할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 지문의 층 중 외부 지문층이 훼손된 경우에도, 저 결맞음 간섭계에 기반하여 내부 지문층에 대한 정보를 획득할 수 있고 이를 통해 측정 대상자의 신원을 정확하게 조회할 수 있다.
Int. CL G06K 9/20 (2006.01) G06K 9/00 (2006.01)
CPC G06K 9/00046(2013.01) G06K 9/00046(2013.01)
출원번호/일자 1020130082026 (2013.07.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1417663-0000 (2014.06.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.12)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한영근 대한민국 서울 광진구
2 김선덕 대한민국 전북 군산시 영명길 ,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0628193-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0028485-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0266722-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0564102-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0564101-62
8 등록결정서
Decision to grant
2014.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0433286-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광을 발생시키는 광원과 연결된 연결부의 갈래 중 일 갈래에 결합되며, 사람의 지문을 인식하는 지문 인식 프로브;상기 연결부의 갈래 중 다른 갈래에 결합되며 상기 광원으로부터의 광을 반사시키는 리퍼런스 미러; 및상기 연결부의 또 다른 갈래에 결합되며, 상기 지문 인식 프로브 및 상기 리퍼런스 미러를 지나온 광을 검출하는 광 검출부;를 포함하며,상기 지문 인식 프로브는 상기 광원으로부터 제공되는 광의 저 결맞음 현상을 이용하여 지문의 외부 지문층 또는 내부 지문층을 인식하며,상기 지문 인식 프로브는 투명 박막으로 형성된 지문면을 갖는 케이스를 포함하는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 지문 인식 프로브는 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 프로브이며,상기 지문 인식 프로브는,상기 케이스 내에 배치되며 상기 연결부를 통해 인입된 선 형태의 광을 면 형태의 광으로 확장함으로써 일 방향 및 그의 수직 방향으로 평면 스캔을 수행하는 MEMS 미러; 및상기 MEMS 미러의 일측에 위치되도록 상기 케이스에 장착되며 상기 MEMS 미러를 지난 광신호를 평행하게 방향 전환하여 상기 지문면으로 제공하는 평행 구현 렌즈를 더 포함하는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 투명 박막은 유리, 아크릴, PMMA, 폴리프로필렌, PET 중 어느 하나의 폴리머 기반 박막이며, 상기 투명 박막은 광투과도 증대를 위해 안티-리플렉션(anti-reflection) 코팅 처리되는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
4 4
제2항에 있어서,상기 평행 구현 렌즈는 초점이 평면을 이루는 F-세타(F-theta) 렌즈인, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 지문 인식 프로브의 지문면에는 복수 개의 지문이 로딩 가능하며,상기 지문 인식 프로브를 통해 상기 투명 박막의 전 구간을 스캔한 후 상기 복수 개의 지문이 닿은 영역에 해당하는 정보를 분류하거나 상기 투명 박막의 영역 중 상기 복수 개의 지문이 닿은 부분에 한해 스캔하여 지문 정보를 획득함으로써 복수 개의 지문에 대한 정보를 획득하는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 연결부에는 커플러가 구비되며,상기 커플러는, LiNbO3 웨이브가이드 커플러, 이온 변환 글래스 커플러, SiO2/Si 웨이브가이드 커플러, 폴리머 웨이브가이드 커플러 중 어느 하나의 웨이브가이드 커플러로 마련되는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 광원은, 반도체 기반 광대역 광원 및 반도체 기반 파장가변 레이저 중 어느 하나이며, 상기 광원을 사용하고 상기 리퍼런스 미러를 이동시키면서 단층 정보를 획득하는 시간 영역의 저 결맞음 간섭계 기술과, 상기 광원을 사용하여 상기 지문을 측정하고 돌아오는 광의 스펙트럼 정보를 이용하여 단층 정보를 획득하는 스펙트럼 영역의 저 결맞음 간섭계 기술을 이용하여 상기 지문을 인식하는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 광 검출부에 연결되며, 광전 변환 과정을 통해 상기 지문 인식 프로브를 지나온 광 및 상기 리퍼런스 미러를 지나온 광의 위상 차이 정보를 획득하는 데이터 획득부; 및상기 데이터 획득부로부터 전달된 데이터를 토대로 저 결맞음 간섭 정보를 획득함으로써 상기 지문에 대한 정보를 획득하는 신호 처리부를 더 포함하는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 신호 처리부와 연결되어, 상기 신호 처리부에 의해 신호 처리된 상기 지문에 대한 영상 정보를 실시간으로 디스플레이하는 디스플레이부를 더 포함하는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 장치
10 10
적어도 하나의 지문이 로딩 가능한 투명 박막으로 마련되는 지문면을 갖는 케이스;상기 케이스 내에 배치되며, 인입된 선 형태의 광을 면 형태의 광으로 확장함으로써 일 방향 및 그의 수직 방향으로 평면 스캔을 수행하는 MEMS 미러; 및상기 MEMS 미러의 일측에 위치되도록 상기 케이스에 장착되며 상기 MEMS 미러를 지난 광신호를 평행하게 방향 전환하여 상기 지문면으로 제공하는 평행 구현 렌즈;를 포함하며,상기 광의 저 결맞음 현상을 이용하여 지문의 외부 지문층 또는 내부 지문층을 인식하는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 프로브
11 11
제10항에 있어서,상기 광의 조사를 통해 상기 투명 박막의 전 구간을 스캔한 후 상기 적어도 하나의 지문이 닿은 영역에 해당하는 정보를 분류하거나 상기 투명 박막의 영역 중 상기 적어도 하나의 지문이 닿은 부분에 한해 스캔하여 지문 정보를 획득함으로써 상기 적어도 하나의 지문에 대한 정보를 획득하는, 저 결맞음 간섭계 기반 지문 인식 프로브
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.