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광신호 검출기;상기 광신호 검출기로부터 출력된 광전류가 입력되는 증폭기; 입력 부하 효과를 방지하도록 직렬로 연결된 제 3 트랜지스터 및 제 5 트랜지스터를 가지며, 상기 광전류가 기설정값 이상의 과전류인 때 상기 증폭기로 입력되는 DC 전류의 적어도 일부를 상기 제 3 트랜지스터 및 제 5 트랜지스터를 통하여 접지로 출력하여 DC 오프셋을 보상하는 DC 오프셋 보상부; 및상기 광신호 검출기로부터 상기 증폭기로 부궤환되는 전류를 차단하도록 부궤환 전류 패스에 연결된 부궤환 방지 회로를 포함하는 광통신 수신기
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제1항에 있어서, 상기 광신호 검출기는 포토 다이오드이고, 상기 증폭기는 전치 증폭기이며,상기 DC 오프셋 보상부는 상기 포토 다이오드와 전압원 사이에 연결되는 제 1 미러 회로 및 상기 포토 다이오드와 접지 사이에 연결되는 제 2 미러 회로를 포함하되,상기 제 3 트랜지스터 및 상기 제 5 트랜지스터는 상기 제 2 미러 회로에 포함되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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제2항에 있어서, 상기 제 1 미러 회로는 상기 포토 다이오드에 연결된 제 1 트랜지스터, 상기 제 1 트랜지스터와 미러 구조를 형성하는 제 2 트랜지스터를 포함하고,상기 제 2 미러 회로는 상기 제 3 트랜지스터, 상기 제 3 트랜지스터와 미러 구조를 형성하는 제 4 트랜지스터, 상기 제 5 트랜지스터 및 상기 제 5 트랜지스터와 미러 구조를 형성하는 제 6 트랜지스터를 포함하되,상기 제 4 트랜지스터의 게이트와 드레인이 연결되고, 상기 제 5 트랜지스터의 게이트와 드레인이 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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제3항에 있어서, 상기 포토 다이오드, 상기 제 1 트랜지스터, 상기 제 2 트랜지스터, 상기 제 4 트랜지스터, 제 6 트랜지스터, 제 5 트랜지스터 및 상기 제 3 트랜지스터를 통한 상기 부궤환 전류 패스에 상기 부궤환 방지 회로로서 캐패시터가 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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제4항에 있어서, 상기 캐패시터는 상기 제 2 트랜지스터와 상기 제 4 트랜지스터 사이의 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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제4항에 있어서, 상기 캐패시터는 상기 제 1 트랜지스터와 상기 포토 다이오드 사이의 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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제2항에 있어서, 상기 제 1 미러 회로는 상기 포토 다이오드에 연결된 제 1 트랜지스터, 상기 제 1 트랜지스터와 미러 구조를 형성하는 제 2 트랜지스터를 포함하고,상기 제 2 미러 회로는 상기 제 3 트랜지스터, 상기 제 3 트랜지스터의 게이트와 게이트가 연결된 제 4 트랜지스터, 상기 제 5 트랜지스터 및 상기 제 5 트랜지스터와 미러 구조를 형성하는 제 6 트랜지스터를 포함하되,상기 광전류 중 부궤환하는 교류를 제거하기 위한 부궤환 방지 회로로서 캐패시터가 상기 제 3 트랜지스터의 게이트와 상기 제 4 트랜지스터의 게이트 사이의 노드에 연결되며, 상기 제 5 트랜지스터의 게이트와 드레인이 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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광신호 검출기;상기 광신호 검출기로부터 출력된 광전류가 입력되는 증폭기; 및상기 광전류가 기설정값 이상의 과전류인 때 상기 증폭기로 입력되는 DC 전류의 적어도 일부를 방전시켜 DC 오프셋을 보상하는 DC 오프셋 보상부를 포함하되,상가 광신호 검출기 및 상기 DC 오프셋 보상부를 통한 부궤환 전류 패스에 부궤환 방지 회로가 형성되며, 상기 부궤환 방지 회로는 상기 광신호 검출기로부터 출력된 광전류 중 교류가 상기 부궤환 전류 패스를 통하여 상기 증폭기로 부궤환되는 것을 방지하는 광통신 수신기
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제8항에 있어서, 상기 광신호 검출기는 포토 다이오드이고, 상기 증폭기는 전치 증폭기이며,상기 DC 오프셋 보상부는 상기 포토 다이오드와 전압원에 연결되는 제 1 트랜지스터, 상기 제 1 트랜지스터와 미러 구조를 형성하는 제 2 트랜지스터, 상기 포토 다이오드와 접지 사이에 직렬로 연결된 제 3 트랜지스터 및 제 5 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터와 상기 접지 사이에 직렬로 연결된 제 4 트랜지스터와 제 6 트랜지스터를 포함하되,상기 제 5 트랜지터와 상기 제 6 트랜지스터는 미러 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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제9항에 있어서, 상기 부궤환 방지 회로는 캐패시터로서 상기 제 2 트랜지스터와 상기 제 4 트랜지스터 사이의 노드에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터와 상기 제 4 트랜지스터가 미러 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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제9항에 있어서, 상기 부궤환 방지 회로는 캐패시터로서 상기 제 1 트랜지스터와 상기 포토 다이오드 사이의 노드에 연결되며, 상기 제 3 트랜지스터와 상기 제 4 트랜지스터가 미러 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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제9항에 있어서, 상기 부궤환 방지 회로는 상기 제 3 트랜지스터의 게이트와 상기 제 4 트랜지스터의 게이트 사이의 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
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