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기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층, 그리고상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공 전달층을 포함하고,상기 정공 전달층은제1 물질을 포함하는 제1 정공 전달층, 상기 제1 물질 그리고 상기 제1 물질과 에너지 밴드 갭이 다른 제2 물질이 혼합되어 있는 제2 정공 전달층, 그리고상기 제1 물질을 포함하는 제3 정공 전달층을 포함하며,상기 제2 정공 전달층 및 상기 제3 정공 전달층은 교대로 반복 적층되어 있는 유기 발광 표시 장치
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제1항에서,상기 제1 물질과 상기 제2 물질의 에너지 밴드 갭 차이는 1 내지 30%인 유기 발광 표시 장치
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제2항에서,상기 제2 물질의 에너지 밴드 갭은 상기 제1 물질보다 1 내지 30% 작은 유기 발광 표시 장치
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제2항에서,상기 제1 물질은 NPB(N,N'-bis-(1-naphtyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), PPD(p-phenylenediamine), 프탈로시아닌(phthalocyanine), CuPc, m-MTDATA, TPTE, 폴리아닐린(polyaniline) 및 폴리티오펜(polythiophene)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제4항에서,상기 제2 물질은 루브렌(rubrene), 퀴나크리돈(quinacridone), 페릴렌(perylene), 쿠마린(coumarin), DPT, PMDFB, DCJT, DCM, ABTX, BTX, PMDFB, PtOEP에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제5항에서,상기 제1 물질은 NPB이고, 상기 제2 물질은 루브렌인 유기 발광 표시 장치
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제1항에서,상기 제2 정공 전달층은 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 90:10 내지 10:90의 비율로 혼합되어 있는 유기 발광 표시 장치
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제1항에서,상기 제2 정공 전달층은 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 1:1의 비율로 혼합되어 있는 유기 발광 표시 장치
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제1항에서,상기 제2 정공 전달층과 상기 제3 정공 전달층은 3 내지 6회 교대로 반복 적층되어 있는 유기 발광 표시 장치
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제9항에서,상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 형성되어 있는 전자 주입층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제1항에서,상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는서로 교차하는 제1 및 제2 신호선,상기 제1 및 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 그리고상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치
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기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 제1 정공 전달층을 형성하는 단계,상기 제1 정공 전달층 위에 에너지 밴드 갭이 다른 두 물질이 혼합되어 있는 제2 정공 전달층을 형성하는 단계,상기 제2 정공 전달층 위에 제3 정공 전달층을 형성하는 단계,상기 제2 정공 전달층 및 상기 제3 정공 전달층을 교대로 반복 적층하는 단계, 그리고상기 제3 정공 전달층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제12항에서, 상기 제1 정공 전달층과 상기 제3 정공 전달층은 동일한 물질로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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