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박막형 태양전지, 이의 제조방법 및 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142030
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막형 태양전지, 이의 제조방법 및 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 하나의 광흡수층 내에 서로 다른 에너지 밴드갭을 가지는 복수의 층들을 포함하여, 보다 넓은 파장 대역의 태양광을 흡수할 수 있다. 이로써, 태양전지의 광전 변환효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 하나의 장비 내에서 간단하고 용이하게, 단일의 광흡수층 내에 서로 다른 에너지 밴드갭을 가지는 복수의 층들을 형성할 수 있다. 이로써, 공정을 단순화하고, 제조비용을 절감할 수 있다. 더욱이, 공정 진행시 산소와 질소의 분압 조건을 최적화하여, 광흡수층의 에너지 밴드갭 내에 중간 밴드(intermediate-band)를 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0725 (2012.01)
CPC H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01)
출원번호/일자 1020120127453 (2012.11.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0061576 (2014.05.22) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울 성동구
2 이동욱 대한민국 인천 부평구
3 김선필 대한민국 서울 성동구
4 이경수 대한민국 서울 강남구
5 박상우 대한민국 서울 광진구
6 오규진 대한민국 서울 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0927552-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1045326-12
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0072382-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0430825-61
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0779253-48
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0779264-40
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0941777-19
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0196425-76
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0196426-11
13 등록결정서
Decision to grant
2017.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0448611-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일면에 제1 전극을 구비하는 기판;상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 화합물 반도체층;상기 제1 도전형 화합물 반도체층 상에 배치되며, 상부 또는 하부로부터 순차적으로 감소된 서로 다른 에너지 밴드갭을 가지는 복수의 서브층들을 포함하여, 광을 흡수하는 단일한 제2 도전형 화합물 반도체층; 및상기 제2 도전형 화합물 반도체층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,상기 제2 도전형 화합물 반도체층은 ZnTe 또는 ZnSe층에 산소 및 질소 중 적어도 어느 하나가 함유된 층인 박막형 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 화합물 반도체층은 1
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 화합물 반도체층은 전도대와 가전자대 사이에 중간 밴드가 형성된 층인 박막형 태양전지
5 5
기재를 스퍼터 장비 내에 도입하는 단계; 상기 스퍼터 장비 내에 스퍼터 타겟을 준비하는 단계; 및상기 스퍼터 장비 내에 반응가스를 주입하고, 스퍼터링 파워를 인가하면서 상기 기재 상에 단일한 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반응가스의 분압을 조절하여 상기 광흡수층 내에 상부 또는 하부로부터 순차적으로 감소된 서로 다른 에너지 밴드갭을 가지는 복수의 서브층들을 형성하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 스퍼터 타겟은 Zn, Te, ZnO, Zn-Te 또는 Zn-Se를 포함하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 반응가스는 산소 및 질소 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 반응가스는 산소를 포함하며,상기 산소의 분압은 2% ∼ 8%에서 조절하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법
9 9
제5항에 있어서,상기 반응가스는 산소 및 질소를 포함하며,상기 산소의 분압은 2%로, 상기 질소의 분압은 1%로 조절하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법
10 10
제5항에 있어서,상기 스퍼터링 파워는 30W ∼ 50W인 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법
11 11
제5항에 있어서,상기 기재의 온도는 25℃ ∼ 500℃인 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법
12 12
기판의 일면에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상에 제1 도전형 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 화합물 반도체층 상에 상부 또는 하부로부터 순차적으로 감소된 서로 다른 에너지 밴드갭을 가지는 복수의 서브층들을 포함하여, 광을 흡수하는 단일한 제2 도전형 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전형 화합물 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 도전형 화합물 반도체층을 형성하는 단계는 스퍼터링을 이용하여 수행하며, 상기 제2 도전형 화합물 반도체층은 ZnTe층이며, 상기 스퍼터링시 산소 및 질소 가스의 분압을 조절하여 상기 제2 도전형 화합물 반도체층 내에 상기 순차적으로 감소된 서로 다른 에너지 밴드갭을 가지는 서브층들을 형성하는 박막형 태양전지의 제조방법
13 13
삭제
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구사업(일반연구자지원사업) 다중 에너지밴드형 반도체 형성 및 고효율 광전변환 장치 응응 연구