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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015142062
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 형성된 제 1 전극과, 제 1 전극 상에 접촉 형성된 복수의 나노 크리스탈을 포함하는 나노 크리스탈층과, 복수의 나노 크리스탈을 덮도록 제 1 전극 상에 형성된 정공 이동층과, 정공 이동층 상에 형성된 광활성층과, 광활성층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제시한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020140018183 (2014.02.18)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0042121 (2015.04.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020130120520   |   2013.10.10
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.18)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 심태헌 대한민국 경기 수원시 영통구
3 김달호 대한민국 경기 성남시 분당구
4 김지헌 대한민국 울산광역시 남구
5 신재우 대한민국 충북 청주시 상당구
6 박주형 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0155054-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0404354-79
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0787138-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0787136-13
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0882333-09
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.01.15 수리 (Accepted) 7-1-2016-0001924-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0168364-43
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.02.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0168462-19
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0203045-07
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0288860-69
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0289062-19
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0472037-73
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 접촉 형성된 복수의 나노 크리스탈을 포함하는 나노 크리스탈층;상기 복수의 나노 크리스탈을 덮도록 상기 제 1 전극 상에 형성된 정공 이동층;상기 정공 이동층 상에 형성된 광활성층; 및상기 광활성층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 나노 크리스탈층은 5㎚ 내지 8㎚의 두께로 형성되며,상기 나노 크리스탈은 일축의 길이가 이와 직교하는 타축의 길이보다 긴 타원형으로 형성되고,인접한 나노 크리스탈 사이의 평균 이격 거리가 25㎚ 내지 75㎚로 형성된 태양 전지
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 광활성층과 상기 제 2 전극 사이에 형성된 엑시톤 및 정공 블록킹층과, 전자 주입 및 계면층을 더 포함하는 태양 전지
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 엑시톤 및 정공 블록킹층은 BCP 또는 금속 산화물을 이용하여 형성하는 태양 전지
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 전자 주입 및 계면층은 LiF, CsF, Liq, LiCoO2, Cs2CO3 중 적어도 어느 하나로 형성되는 태양 전지
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 나노 크리스탈층은 광에 대한 반사도가 50% 이상인 물질로 형성되는 태양 전지
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
청구항 5에 있어서, 상기 나노 크리스탈은 장축의 길이가 15㎚ 내지 45㎚로 형성되고, 단축의 길이가 8㎚ 내지 17㎚로 형성되는 태양 전지
9 9
삭제
10 10
청구항 5에 있어서, 상기 나노 크리스탈은 평균 직경이 15㎚ 내지 45㎚로 형성되는 태양 전지
11 11
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 정공 이동층은 MoOx, V2O5, VOx, WO3, NiOx, Cu2O 중 적어도 어느 하나로 형성되는 태양 전지
12 12
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 광활성층은 벌크 헤테로 접합의 전자 공여체와 전자 수용체를 포함하는 태양 전지
13 13
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 복수의 나노 크리스탈을 포함하는 나노 크리스탈층을 형성하는 단계;상기 나노 크리스탈을 덮도록 상기 제 1 전극 상에 정공 이동층을 형성하는 단계;상기 정공 이동층 상에 전자 수용체와 전자 공여체가 혼합된 물질을 도포하여 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 나노크리스탈층은 열 증착에 의해 상기 제 1 전극 상에 형성되며,상기 나노 크리스탈층은 5㎚ 내지 8㎚의 두께로 형성되고,상기 나노 크리스탈은 일축의 길이가 이와 직교하는 타축의 길이보다 긴 타원형으로 형성되며,인접한 나노 크리스탈 사이의 평균 이격 거리가 25㎚ 내지 75㎚로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 나노 크리스탈층을 형성하기 이전에 상기 기판에 플라즈마 처리 및 자외선 처리의 적어도 어느 하나를 실시하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15 15
청구항 13 또는 청구항 14에 있어서, 상기 광활성층과 상기 제 2 전극 사이에 엑시톤 및 정공 블록킹층과, 전자 주입 및 계면층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
16 16
삭제
17 17
청구항 15에 있어서, 상기 나노 크리스탈은 장축의 길이를 15㎚ 내지 45㎚로 형성하고, 단축의 길이를 8㎚ 내지 17㎚로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
18 18
삭제
19 19
청구항 17에 있어서, 상기 나노 크리스탈은 평균 직경을 15㎚ 내지 45㎚로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20160322592 US 미국 FAMILY
2 WO2015053578 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105981181 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105981181 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2016322592 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.