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1
소광계수가 0
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| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 무기물층은 Zr, Mo, Y, Si, Rb, Sr, Nb 또는 Ru를 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클
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3
제1항에 있어서,상기 제1 결합층은 도파민, 폴리도파민, 노르에피네프린, 폴리노르에피네프린, 에피네프린 또는 폴리에피네프린을 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클
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4
제1항에 있어서,상기 제1 결합층의 두께는 10 nm 이하인 EUV 리소그래피용 펠리클
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5
삭제
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6
제1항에 있어서,상기 강도보강층은 탄소나노튜브 그물망인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클
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7
제1항에 있어서,상기 강도보강층 상에 위치하는 카테콜 계열의 작용기를 갖는 유기물을 포함하는 제2 결합층; 및상기 제2 결합층 상에 위치하고, 소광계수가 0
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8
제7항에 있어서,상기 제2 결합층은 상기 강도보강층과 상기 제2 무기물층의 결합력을 강화시키는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클
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| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 제2 결합층은 도파민, 폴리도파민, 노르에피네프린, 폴리노르에피네프린, 에피네프린 또는 폴리에피네프린을 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클
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| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 제2 무기물층은 Zr, Mo, Y, Si, Rb, Sr, Nb 또는 Ru를 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클
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