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기판의 재사용이 가능한 태양 전지

  • 기술번호 : KST2015142182
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 재사용이 가능한 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는 i) 상호 이격되어 배치되고 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들, ii) 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체의 일단을 덮는 제1 도전체층, iii) 제1 도전체층과 이격되어 위치하고, 나노 구조체의 타단을 덮는 제2 도전체층, 및 iv) 제1 도전체층 및 상기 제2 도전체층의 사이에 위치한 유전체층을 포함한다.기판, 재사용, 태양 전지, PDMS, 도핑 영역
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/028 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1020090101966 (2009.10.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1542249-0000 (2015.07.30)
공개번호/일자 10-2010-0138703 (2010.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20150805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090056909   |   2009.06.25
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.20)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 엄한돈 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 박광태 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 서홍석 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 정진영 대한민국 경기도 안산시 상록구
6 지상원 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아이엠디더블유 전라북도 전주시 완산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0655688-89
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0997653-86
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0997711-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0339940-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0662565-33
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0494544-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상호 이격되어 배치되고 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들,상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체의 일단을 덮는 제1 도전체층,상기 제1 도전체층과 이격되어 위치하고, 상기 나노 구조체의 타단을 덮는 제2 도전체층, 및상기 제1 도전체층 및 상기 제2 도전체층의 사이에 위치한 유전체층을 포함하는 태양 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 나노 구조체의 일단에 실리사이드층이 형성되고, 상기 실리사이드층과 접한 상기 나노 구조체에는 고농도의 p형 도핑 영역이 형성된 태양 전지
3 3
제2항에 있어서,상기 고농도의 p형 도핑 영역은 상기 제1 도전층내에 위치하는 태양 전지
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 도전체층과 접하여 위치한 투명 컨택층, 및상기 투명 컨택층과 접하여 위치한 광투과 기판을 더 포함하는 태양 전지
5 5
제4항에 있어서,상기 투명 컨택층은 ITO(indium tin oxide, 인듐 틴 옥사이드)를 포함하는 태양 전지
6 6
제1항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체의 표면 위에 금속나노입자가 위치한 태양 전지
7 7
제1항에 있어서,상기 제2 도전체층 및 상기 유전체층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층과 접하는 상기 나노 구조체는, 제1 도핑 영역, 및 상기 제2 도전체층의 판면에 평행인 방향으로 상기 제1 도핑 영역을 둘러싸는 제2 도핑 영역을 포함하는 태양 전지
8 8
제7항에 있어서,상기 제2 도핑 영역은 n형으로 도핑된 태양 전지
9 9
제1항에 있어서,상기 제2 도전체층 및 상기 유전체층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층과 접하는 상기 나노 구조체는, 제1 도핑 영역, 및 상기 나노 구조체의 길이 방향으로 상기 제1 도핑 영역과 접하는 제2 도핑 영역을 포함하는 태양 전지
10 10
제1항에 있어서,상기 제2 도전체층 및 상기 유전체층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층과 접하는 상기 나노 구조체는, 제1 도핑 영역, 상기 나노 구조체의 길이 방향으로 상기 제1 도핑 영역과 접하는 진성 영역, 및 상기 나노 구조체의 길이 방향으로 상기 진성 영역과 접하는 제2 도핑 영역을 포함하는 태양 전지
11 11
제1항에 있어서,상기 나노 구조체의 일단 및 상기 나노 구조체의 타단에 각각 실리사이드층이 형성된 태양 전지
12 12
제1항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들은, 상기 제1 도전층과 접하는 제1 직경, 및 상기 제2 도전층과 접하는 제2 직경을 포함하고,상기 제1 직경은 상기 제2 직경보다 작은 태양 전지
13 13
제12항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들의 직경은 상기 나노 구조체의 길이 방향을 따라 상기 제1 도전층에 가까울수록 점차 작아지는 태양 전지
14 14
제12항에 있어서,상기 나노 구조체의 일단에는 고농도 도핑 영역이 형성되고, 상기 고농도 도핑 영역은 상기 제1 도전층과 접하는 태양 전지
15 15
제14항에 있어서,상기 나노 구조체들의 사이에서 상기 제1 도전층 위에 위치하고, 상기 고농도의 p형 도핑 영역을 덮는 차단층을 더 포함하는 태양 전지
16 16
제12항에 있어서,상기 제2 도전층을 사이에 두고 상기 유전체층의 반대편에 위치하는 또다른 유전체층을 더 포함하는 태양 전지
17 17
제16항에 있어서,상기 또다른 유전체층의 두께는 0
18 18
제17항에 있어서,상기 유전체층 및 또다른 유전체층은 각각 PDMS(polydimethylsiloxane, 폴리디메틸실록산)를 포함하는 태양 전지
19 19
제1항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들은 그 길이 방향을 따라 농도 구배를 가지는 태양 전지
20 20
제19항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들은 Si1-xGex (0003c#x≤0
21 21
제20항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들은 Si1-xGex (0003c#x≤0
22 22
제1항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들의 표면을 덮고, 상기 유전체층 및 상기 제2 도전층과 접하는 투명 도전층을 더 포함하는 태양 전지
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3 US20110240104 US 미국 FAMILY
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1 교육과학기술부(과기부) 한국과학재단 미래유망융합기술 파이오니어사업 미래형 태양광 열전 통합 나노소자