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액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결구조 및 방법

  • 기술번호 : KST2015142194
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 스위치 중에 2개 이상의 IGBT를 사용하여 상기 스위치 각각에 인가되는 전압을 비슷하게 걸리도록 캐패시터를 형성시켜 전압을 보상시키게 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 구조 및 방법을 제공하는데 그 특징이 있다.또한, 본 발명은 RC분압회로에 의해 스위치에 과전압이 인가될 경우 전체적인 회로를 보호하기 위해 전압을 분배하게 하고, 바이폴라 트랜지스터를 통해 전류를 구동시켜 직렬로 연결한 스위치가 급격한 부하 변동에 의해 과전압이 걸릴 때 안정적인 동작이 가능하게 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 구조 및 방법을 제공하는데 있다.액티브 클램핑, Active clamping, 반도체 스위치, IGBT, BJT, RC분압회로, 질렬 연결, 전압 분배, 전압 보상, 과전압
Int. CL H03K 17/30 (2006.01.01) H03K 17/56 (2006.01.01) G05F 3/30 (2006.01.01)
CPC H03K 17/30(2013.01)H03K 17/30(2013.01)H03K 17/30(2013.01)
출원번호/일자 1020060018637 (2006.02.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0801560-0000 (2008.01.30)
공개번호/일자 10-2007-0088869 (2007.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20080211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고광철 대한민국 서울 강남구
2 송인호 대한민국 경북 포항시 남구
3 김봉석 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0140243-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0078827-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0067864-15
5 의견서
Written Opinion
2007.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0235636-17
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0235645-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0425019-59
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0577632-56
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0577631-11
10 등록결정서
Decision to grant
2008.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0043091-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수개의 반도체 스위치를 연결하여 이용하는 고전압 스위치에 있어서,상기 반도체 스위치 중에 2개 이상의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 사용하되, 상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 각각에 인가되는 전압을 비슷하게 걸리도록 하는 전압보상부;상기의 전압보상부를 통해 인가되는 전압이 비슷하게 걸리는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에 과전압이 인가될 경우 전압을 분배하여 회로를 보호하기 위한 보호회로부;상기 전압보상부와 보호회로부의 각각에 연결되되, 상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 온/오프 하는 시간을 조정하도록 전하량을 조정하기 위한 전류구동부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 구조
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삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 전압보상부는 캐페시터로 이루어지되, 상기 캐페시터는 각 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에 병렬로 연결되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 구조
5 5
제1항에 있어서,상기 보호회로부는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 병렬로 연결되어 있는 RC분압회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 구조
6 6
제1항에 있어서,상기 전류구동부는 전류에 의해 구동하는 바이폴라 트랜지스터(BJT)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 구조
7 7
다수개의 반도체 스위치를 연결하여 이용하는 고전압 스위치에 있어서,상기 반도체 스위치 중에 2개 이상의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 사용하되, 상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 각각에 인가되는 전압을 비슷하게 걸리도록 하는 전압보상부와, 상기의 전압보상부를 통해 인가되는 전압이 비슷하게 걸리는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에 과전압이 인가될 경우 전압을 분배하여 회로를 보호하기 위한 보호회로부와, 상기 전압보상부와 보호회로부의 각각에 연결되되, 상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 온/오프 하는 시간을 조정하도록 전하량을 조정하기 위한 전류구동부를 포함하되,상기 전압보상부는 캐페시터로 이루어지고, 상기 캐페시터는 각 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에 병렬로 연결되어 이루어지며, 상기 보호회로부는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 병렬로 연결되어 있는 RC분압회로로 이루어지는고, 상기 전류구동부는 전류에 의해 구동하는 바이폴라 트랜지스터(BJT)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 구조
8 8
다수개의 반도체 스위치를 연결하여 이용하는 고전압 스위치를 사용하도록 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 방법에 있어서,상기 반도체 스위치 중에 2개 이상의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 사용하여 상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 각각에 인가되는 전압을 비슷하게 걸리도록 캐패시터를 형성시켜 전압을 보상시키는 단계;상기의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에 과전압이 인가될 경우 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 병렬로 연결되어 있는 RC분압회로에 의해 전압을 분배하여 회로를 보호시키는 단계;상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 온/오프 하는 시간의 조정에 따른 전하량을 조정하도록 바이폴라 트랜지스터에 의해 전류를 구동시키는 단계;를 실행하는 것을 특징으로 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 방법
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삭제
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제8항에 있어서,상기의 캐패시터를 형성시켜 전압을 보상시키는 단계에서,상기 캐페시터를 각 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에 병렬로 연결시켜 실행하는 것을 특징으로 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 방법
11 11
다수개의 반도체 스위치를 연결하여 이용하는 고전압 스위치를 사용하도록 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 방법에 있어서,상기 반도체 스위치 중에 2개 이상의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 사용하여 상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 각각에 인가되는 전압을 비슷하게 걸리도록 캐패시터를 형성시켜 전압을 보상시키는 단계;상기 캐페시터를 각 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에 병렬로 연결시키는 단계;상기의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에 과전압이 인가될 경우 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 병렬로 연결되어 있는 RC분압회로에 의해 전압을 분배하여 회로를 보호시키는 단계;상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 온/오프 하는 시간의 조정에 따른 전하량을 조정하도록 바이폴라 트랜지스터에 의해 전류를 구동시키는 단계;를 실행하는 것을 특징으로 하는 액티브 클램핑 방식을 이용한 전력 반도체의 직렬 연결 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.