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기판 상에 위치하는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고, 상기 제1 반도체층의 일부가 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층에 의해 덮히지 않고 노출되는 발광 구조물;상기 노출된 제1 반도체층 상에 위치하는 제1 전극;상기 제2 반도체층 상에 위치하는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 상기 발광 구조물 상에, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 이격된 제1 도전 패턴을 포함하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제2 반도체층과 접촉하는 투명전극을 포함하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 반도체층 상에 위치하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 상기 노출된 제2 반도체층 상에 위치하는 발광다이오드
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 제1 반도체층 또는 상기 제2 반도체층과 상기 제1 도전 패턴 사이에 절연 패턴이 개재하는 발광다이오드
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6
제 1 항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 금속물질로 이루어진 발광다이오드
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7
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간 흐르는 전류의 방향이 상기 제1 도전 패턴과 교차하도록 상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 둘러싸는 발광다이오드
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8
제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 아래에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 방향으로 신장하는 제2 도전 패턴을 포함하는 발광다이오드
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9
기판 상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고, 상기 제1 반도체층의 일부가 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층에 의해 덮히지 않고 노출되는 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 노출된 제1 반도체층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 상기 발광 구조물 상에, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 이격되는 제1 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 형성 방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 제2 반도체층과 접촉하는 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 반도체층 상에 형성되는 발광다이오드의 형성 방법
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12
제 9 항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 상기 노출된 제2 반도체층 상에 형성되는 발광다이오드의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제1 도전 패턴을 형성하는 단계는,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 포함하는 상기 발광 구조물 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 도전막을 형성하는 단계; 및상기 절연막과 상기 도전막을 패터닝하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제1 도전 패턴은 금속물질로 형성되는 발광다이오드의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제1 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 하부 반도체층을 형성하는 단계;상기 하부 반도체층 상에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 방향으로 신장하는 제2 도전 패턴을 형성하는 단계; 및상기 하부 반도체층 상에 상기 제2 도전 패턴을 덮는 상부 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 형성 방법
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