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기판;상기 기판 상에 배치되고, 하부 폭에 비해 상부 폭이 좁은 다면체; 및상기 다면체 상에 배치된 반도체층을 구비하되,상기 다면체는 다수 개의 결정면들을 구비하고, 상기 결정면들이 상기 기판의 표면과 이루는 각은 상부로 갈수록 줄어들며, 그의 최상부에 뾰족한 꼭지점 또는 모서리를 구비하는 광전변환소자
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제1항에 있어서,상기 다면체는 그의 상부에 4개의 {111}면들을 구비하고, 상기 꼭지점은 상기 4개의 {111}면들의 꼭지점들이 만나 이루어진 광전변환소자
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제1항에 있어서,상기 다면체는 그의 상부에 2개의 {111}면들을 구비하고, 상기 모서리는 상기 2개의 {111}면들의 모서리들이 만나 이루어진 광전변환소자
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제1항에 있어서,상기 다면체는 결정성을 갖는 다면체이고,상기 반도체층은 에피층인 광전변환소자
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제1항에 있어서,상기 반도체층의 두께는 상기 다면체의 높이에 비해 낮은 광전변환소자
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제1항에 있어서,상기 다면체는 제1 도전형을 갖고,상기 반도체층은 제2 도전형을 가지며,상기 제1 도전형 다면체에 전기적으로 연결된 제1 전극과 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 구비하는 광전변환소자
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8
제7항에 있어서,상기 다면체는 결정성 실리콘 다면체이고,상기 반도체층은 실리콘 에피층인 광전변환소자
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기판;상기 기판 상에 배치되고 하부 폭에 비해 상부 폭이 좁은 제1 도전형 다면체;상기 다면체 상에 배치된 제2 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 다면체에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 구비하고,상기 제1 도전형 다면체는 다수 개의 결정면들을 구비하고, 상기 결정면들이 상기 기판의 표면과 이루는 각은 상부로 갈수록 줄어들며, 그의 최상부에 뾰족한 꼭지점 또는 모서리를 구비하는 태양전지
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제9항에 있어서,상기 제1 도전형 다면체는 결정성 실리콘 다면체이고,상기 제2 도전형 반도체층은 실리콘 에피층인 태양전지
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제9항에 있어서,상기 제1 도전형 다면체는 그의 상부에 4개의 {111}면들을 구비하고, 상기 꼭지점은 상기 4개의 {111}면들의 꼭지점들이 만나 이루어진 태양전지
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제9항에 있어서,상기 제1 도전형 다면체는 그의 상부에 2개의 {111}면들을 구비하고, 상기 모서리는 상기 2개의 {111}면들의 모서리들이 만나 이루어진 태양전지
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제9항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층의 두께는 상기 제1 도전형 다면체의 높이에 비해 낮은 태양전지
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기판;상기 기판 상에 배치되고 다수 개의 결정면들을 구비하고, 상기 결정면들이 상기 기판의 표면과 이루는 각은 상부로 갈수록 줄어들며, 그의 최상부에 뾰족한 꼭지점 또는 모서리를 구비하는 다면체; 및상기 다면체 상에 배치된 반도체층을 구비하는 광전변환소자
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제15항에 있어서,상기 다면체는 결정성을 갖는 다면체이고,상기 반도체층은 에피층인 광전변환소자
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제15항에 있어서,상기 반도체층의 두께는 상기 다면체의 높이에 비해 낮은 광전변환소자
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결정성 기판을 제공하고,상기 결정성 기판을 건식 식각하여 가로방향 폭에 비해 세로방향 높이가 높은 필라를 형성하고,상기 필라 상에 반도체층을 에피택셜하게 성장시켜 결정성 다면체를 형성하는 결정성 다면체 제조방법
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제19항에 있어서,상기 반도체층을 에피택셜하게 성장시키기 전에,상기 필라를 수소 어닐링하여 상기 필라의 모서리를 둥글게 하는 것을 더 포함하는 결정성 다면체 제조방법
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제19항에 있어서,상기 필라를 식각하는 것은 이방성 식각법을 사용하는 결정성 다면체 제조방법
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제21항에 있어서,상기 필라를 식각하는 것은 상기 이방성 식각법을 수행한 후 등방성 식각법을 수행하는 결정성 다면체 제조방법
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제19항에 있어서,상기 기판은 실리콘 단결정 기판인 결정성 다면체 제조방법
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제23항에 있어서,상기 반도체층은 실리콘층인 결정성 다면체 제조방법
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제23항 또는 제24항에 있어서,상기 기판은 003c#100003e# 방향, 003c#110003e# 방향, 또는 003c#111003e# 방향으로 성장된 기판인 결정성 다면체 제조방법
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