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기판 상에 일차적으로 제1 폴리머를 코팅한 후, 상기 제1 폴리머 상에 광섬유를 로딩하고 이어서 제2 폴리머를 상기 광섬유 상에 코팅하는, 폴리머 형성 단계;상기 기판의 상부에 개방 부분 및 차단 부분이 구비된 마스크를 배치한 후 상기 마스크를 통해 자외선을 노출시킴으로써 상기 제2 폴리머를 노광시키는, 노광 단계;상기 제2 폴리머의 일부분을 현상하는, 현상 단계; 및상기 제2 폴리머의 일부분의 현상을 통해 노출되는 상기 광섬유의 표면을 식각함으로써 상기 광섬유에 비대칭의 장주기 격자를 형성하는, 식각 단계;를 포함하며,상기 제2 폴리머는 상기 제1 폴리머에 비해 자외선에 대한 반응 정도가 크며, 상기 노광 단계에 이은 상기 현상 단계 시 상기 제2 폴리머에 한해 현상이 이루어짐으로써 상기 광섬유에 비대칭의 장주기 격자가 형성되는, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리머 형성 단계 시, 상기 제1 폴리머에 상기 광섬유를 로딩시킨 후 베이킹(baking)하고, 상기 제2 폴리머를 코팅한 후 베이킹하며,상기 노광 단계 후 상기 제1 폴리머 및 상기 제2 폴리머로 코팅된 기판을 베이킹하는, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 폴리머 및 상기 제2 폴리머가 코팅되는 상기 기판에 대한 베이킹 공정은 열을 제공하는 핫 플레이트(hot plate) 상에서 진행되는, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광섬유는 상기 비대칭의 장주기 격자가 형성되는 부분에 한해서 재킷이 제거된 후 상기 제1 폴리머 및 상기 제2 폴리머에 개재되는, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 노광 단계에서 사용되는 상기 마스크는 자외선을 노출시키는 상기 개방 부분의 폭과 자외선을 차단하는 상기 차단 부분의 폭이 1:2 내지 1:4의 비율로 형성되는, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 노광 단계에서 사용되는 상기 마스크는 상기 개방 부분과 상기 차단 부분의 비율이 다른 복수 개의 마스크 중 선택된 마스크이며, 하나의 상기 기판에 대해 복수 개의 상기 마스크가 배치 가능한, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 노광 단계에서 상기 마스크를 향해 자외선을 발산하는 광원은 UV 램프(Ultra Violet lamp) 또는 UV 레이저인, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각 단계 시, 상기 현상 단계에 의해 상기 비대칭의 장주기 격자가 새겨진 상기 광섬유에 불산 용액을 제공하여 상기 광섬유에 구비되는 클래딩 부분을 일정 주기 및 깊이로 식각하는, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리머가 코팅된 상기 기판은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), 쿼츠 플레이트(quartz plate), 유리 기판 및 플라스틱 기판 중 어느 하나로 마련되는, 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법
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제1항에 따른 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법에 의해 제조되는 광섬유를 기반으로 하는 광섬유 기반 센서에 있어서,상기 비대칭의 장주기 격자에 비대칭 클래딩 모드를 이용하여 분산보상을 하거나, 상기 비대칭의 장주기 격자에 장력을 인가하여 코어 모드 또는 클래딩 모드를 변환시키는 광섬유 기반 센서
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