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수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 자성소자

  • 기술번호 : KST2015142395
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 자성소자를 제공한다. 수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조는 제1 비자성 물질을 포함하는 비자성층, 이러한 비자성층 상에 위치하고, 이러한 제1 비자성 물질을 주원소로 하는 산화물계 물질을 포함하는 확산 방지층, 이러한 확산 방지층 상에 위치하는 보론 흡수층, 이러한 보론 흡수층 상에 위치하고, 보론 계열의 강자성물질을 포함하는 제1 강자성층 및 이러한 제1 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층 및 이러한 터널링 배리어층 상에 위치하는 제2 강자성층을 포함할 수 있다. 따라서, 고온의 어닐링에서도 열적 안정성과 자기 저항 변화비가 동시에 향상된 MTJ 구조를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 43/02 (2006.01) H01L 43/10 (2006.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020130141458 (2013.11.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1476932-0000 (2014.12.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울 성동구
2 양승모 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1056702-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0055506-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0590831-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1026787-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1026786-65
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0860512-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 비자성 물질을 포함하는 비자성층;상기 비자성층 상에 위치하고, 상기 제1 비자성 물질을 주원소로 하는 산화물계 물질을 포함하는 상기 제1 비자성 물질의 확산을 방지하는 확산 방지층;상기 확산 방지층 상에 위치하는 보론 흡수층;상기 보론 흡수층 상에 위치하고, 보론 계열의 강자성물질을 포함하는 제1 강자성층; 및상기 제1 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층; 및상기 터널링 배리어층 상에 위치하는 제2 강자성층을 포함하고,상기 보론 흡수층은 상기 제1 강자성층의 보론을 흡수하고,상기 보론 흡수층의 두께는 0
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 비자성 물질은 탄탈륨인 것을 특징으로 하는 수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조
3 3
제1항에 있어서,상기 확산 방지층은 탄탈륨 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조
4 4
제1항에 있어서,상기 보론 흡수층은 탄탈륨을 포함하는 수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 강자성층은 CoFeB 물질을 포함하는 수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조
6 6
기판 상에 제1 비자성 물질을 포함하는 비자성층을 형성하는 단계;상기 비자성층 상에 상기 제1 비자성 물질을 주 원소로 하는 산화물계 물질을 포함하는 상기 제1 비자성 물질의 확산을 방지하는 확산 방지층을 형성하는 단계;상기 확산 방지층 상에 보론 흡수층을 형성하는 단계;상기 보론 흡수층 상에 보론 계열의 강자성물질을 포함하는 제1 강자성층을 형성하는 단계;상기 제1 강자성층 상에 터널링 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 터널링 배리어층 상에 제2 강자성층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 보론 흡수층은 상기 제1 강자성층의 보론을 흡수하고,상기 보론 흡수층의 두께는 0
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 비자성 물질은 탄탈륨인 것을 특징으로 하는 수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 보론 흡수층은 탄탈륨을 포함하는 수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조의 제조방법
9 9
복수개의 디짓 라인들;상기 디짓 라인들의 상부를 가로지르는 복수개의 비트 라인들; 및상기 디짓 라인과 상기 비트 라인 사이에 개재된 제1항의 MTJ 구조를 포함하는 자성소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.