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챔버;상기 챔버 내부에 형성된 플라즈마에 정현파 신호를 인가하는 정현파 인가부;상기 정현파 신호를 생성하여 상기 정현파 인가부에 공급하는 교류전원부; 상기 정현파 인가부와 상기 교류전원부 사이에 연결되는 자기 바이어스 발생부; 및상기 자기 바이어스 발생부를 이용하여 플라즈마 변수를 측정하는 변수계산부;를 구비하며,상기 정현파 신호는 주파수가 서로 다른 제1 정현파 신호 및 제2 정현파 신호를 포함하며,상기 자기 바이어스 발생부에는 상기 제1 정현파 신호와 상기 제2 정현파 신호가 서로 정수배 관계의 주파수를 가지며 위상 차이가 있을 경우에 자기 바이어스가 생기는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장비
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제1항에 있어서,상기 교류전원부는 상기 제1 정현파 신호의 주파수 및 상기 제2 정현파 신호의 주파수 중 어느 하나가 다른 하나의 정수배가 되게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장비
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제2항에 있어서,상기 교류전원부는 상기 제1 정현파 신호의 위상과 상기 제2 정현파 신호의 위상을 서로 다르게 생성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장비
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자기 바이어스 발생부는 상기 정현파 인가부에 직렬로 연결된 캐패시터인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장비
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정현파 인가부는 상기 챔버에 관통 형성된 부유 탐침 또는 상기 챔버의 내부에 형성된 하부전극 또는 피처리물 지지부인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장비
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 플라즈마 처리 장비를 이용한 플라즈마 변수 측정 방법에 있어서,상기 챔버 내부에 플라즈마를 방전시키는 단계;상기 정현파 신호를 인가하기 전에 플라즈마에 걸리는 전압을 측정하는 단계;상기 플라즈마에 정현파 신호를 인가하는 단계;상기 자기 바이어스 발생부에 걸리는 자기 바이어스 전압을 측정하는 단계;상기 자기 바이어스의 변화량을 계산하는 단계; 및상기 자기 바이어스의 변화량을 이용하여 플라즈마의 전자온도를 계산하는 단계;를 포함하는, 플라즈마 변수 측정 방법
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제7항에 있어서,상기 자기 바이어스의 변화량을 계산하는 단계는 상기 플라즈마에 걸리는 전압과 상기 자기 바이어스 발생부에 걸리는 자기 바이어스 전압의 차이를 계산하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 변수 측정 방법
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제7항에 있어서,상기 정현파 신호를 인가하는 단계는,서로 다른 주파수를 가지며 각 주파수가 서로 정수배 관계에 있는 제1 정현파 신호 및 제2 정현파 신호를 포함하는 신호를 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 변수 측정 방법
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제9항에 있어서,상기 자기 바이어스를 측정하는 단계는,상기 제1 정현파 신호 및 상기 제2 정현파 신호를 각각 상기 정현파 인가부에 인가한 경우 상기 제1 정현파 신호의 주파수와 상기 제2 정현파 신호의 주파수 간의 위상차이에 의해 생기는 자기 바이어스를 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 변수 측정 방법
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제10항에 있어서,상기 자기 바이어스를 측정하는 단계는,상기 제1 정현파 신호의 주파수와 상기 제2 정현파 신호의 주파수가 서로 정수배가 될 때 나타나는 사이드밴드 신호를 이용하여 자기 바이어스를 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 변수 측정 방법
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제11항에 있어서,상기 플라즈마의 전자온도를 계산하는 단계는,상기 제1 정현파 신호 및 상기 제2 정현파 신호의 진폭 크기, 상기 자기 바이어스의 변화량, 상기 제1 정현파 신호와 상기 제2 정현파 신호의 위상차이를 이용하여 플라즈마의 전자온도를 계산하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 변수 측정 방법
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