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광통신 수신기 및 이에 사용되는 칩

  • 기술번호 : KST2015142438
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광통신 수신기 및 이에 사용되는 칩이 제공된다. 본 발명에 따른 광통신 송신기로부터 수신된 광 신호를 전기 신호인 광전류로 변환하여 출력하는 포토 다이오드(Photo Diode), 상기 출력된 광전류를 증폭시켜 출력하는 전치 증폭기(Transimpedance amplifier) 및 상기 포토 다이오드로부터 출력된 광전류가 특정 값을 초과하는 경우 상기 전치 증폭기로 입력되는 광전류를 감소시키는 복수의 과전류 보상 회로부를 포함하되, 상기 복수의 과전류 보상 회로부는 광통신 수신 모드 별로 상기 포토 다이오드와 전치 증폭기로 각각 스위칭 연결되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H04B 10/60 (2013.01)
CPC H04B 10/60(2013.01)
출원번호/일자 1020130163927 (2013.12.26)
출원인 한양대학교 산학협력단, 주식회사 오이솔루션
등록번호/일자 10-1541975-0000 (2015.07.29)
공개번호/일자 10-2015-0076339 (2015.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20150806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.26)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 오이솔루션 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤태열 대한민국 서울 서초구
2 박문수 대한민국 경기 안양시 동안구
3 이지영 대한민국 서울 성동구
4 이지영 대한민국 서울 구로구
5 박준영 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 오이솔루션 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1189443-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0036782-53
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0195189-94
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0235099-11
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0550151-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0550149-15
10 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0451628-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2016-0064827-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광통신 송신기로부터 수신된 광 신호를 전기 신호인 광전류로 변환하여 출력하는 포토 다이오드(Photo Diode);상기 출력된 광전류를 증폭시켜 출력하는 전치 증폭기(Trans Impedance amplifier); 및상기 포토 다이오드로부터 출력된 광전류가 특정 값을 초과하는 경우 상기 전치 증폭기로 입력되는 광전류를 감소시키는 복수의 과전류 보상 회로부;를 포함하되,상기 복수의 과전류 보상 회로부는 각각 복수의 포트를 포함하고, 광통신 수신 모드 별로 그에 대응하는 과전류 보상 회로의 해당 포트들을 통하여 상기 포토 다이오드와 전치 증폭기로 각각 스위칭 연결되며, 상기 복수의 과전류 보상 회로부와 전치 증폭기는 하나의 칩 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 복수의 과전류 보상 회로부는,상기 광통신 수신 모드로서 이더넷 수동 광통신망(Ethernet Passive Optical Network;EPON) PIN 모드, 이더넷 수동 광통신망 avalanche 모드 및 버스트 avalanche 모드 중 어느 하나의 모드에 각각 대응되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
3 3
제 2 항에 있어서,상기 광통신 수신 모드 중 이더넷 수동 광통신망 PIN 모드 또는 이더넷 수동 광통신망 avalanche 모드 시 해당 과전류 보상 회로부와 연결되고, 상기 버스트 avalanche 모드 시 해당 과전류 보상 회로부와 연결되지 않는 필터링부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
4 4
제 3 항에 있어서,상기 필터링부는 커패시터이며, 상기 광통신 수신 모드 중 어느 하나에서의 상기 커패시터의 용량은 다른 모드에서의 용량과 다른 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
5 5
제 1 항에 있어서,상기 복수의 과전류 보상 회로부는 와이어 본딩(wire bonding)을 통해 상기 스위칭 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
6 6
광통신 수신기용 칩에 있어서,포토 다이오드(Photo Diode)로부터 출력된 광전류를 증폭시켜 출력하는 전치 증폭기(Trans Impedance Amplifier); 및상기 포토 다이오드와 연결되며, 상기 포토 다이오드로부터 출력된 광전류가 특정 값을 초과하는 경우 상기 전치 증폭기로 입력되는 광전류를 감소시키는 복수의 과전류 보상 회로부;를 포함하되,상기 복수의 과전류 보상 회로부는 각각 복수의 포트를 포함하고, 광통신 수신 모드 별로 그에 대응하는 과전류 보상 회로의 해당 포트들을 통하여 상기 포토 다이오드와 전치 증폭기로 각각 스위칭 연결되며, 상기 복수의 과전류 보상 회로부와 전치 증폭기는 하나의 칩 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
7 7
제 6 항에 있어서,상기 복수의 과전류 보상 회로부는,상기 광통신 수신 모드로서 이더넷 수동 광통신망(Ethernet Passive Optical Network;EPON) PIN 모드, 이더넷 수동 광통신망 avalanche 모드 및 버스트 avalanche 모드 중 어느 하나의 모드에 각각 대응되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
8 8
제 7 항에 있어서,상기 복수의 과전류 보상 회로부에 포함된 복수의 포트 중 제 1 포트는 상기 포토 다이오드의 출력단과 연결되고,제 2 포트는 상기 포토 다이오드의 입력단 및 상기 전치 증폭기의 입력단에 연결되며,제 3 포트는 전압원에 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
9 9
제 8 항에 있어서,상기 복수의 과전류 보상 회로부 중 이더넷 수동 광통신망 PIN 모드 또는 이더넷 수동 광통신망 avalanche 모드를 가지는 과전류 보상 회로부는 상기 복수의 포트 중 제 4 포트가 상기 광전류 중 교류를 필터링하는 필터링부와 연결되고,상기 버스트 avalanche 모드를 가지는 과전류 보상 회로부는 상기 필터링부와 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
10 10
제 6 항에 있어서,상기 복수의 과전류 보상 회로부는,상기 포토 다이오드로부터 출력된 광전류가 특정 값을 초과하는 경우 상기 전치 증폭기로 입력되는 광전류의 일부를 방전시켜 상기 전치 증폭기로 입력되는 전류를 감소시키는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
11 11
제 6 항에 있어서,상기 복수의 과전류 보상 회로부는 와이어 본딩(wire bonding)을 통해 상기 스위칭 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.