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하기 화학식의 반복단위로 구성되는 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물
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제1항에 있어서, 상기 Ar1, Ar2, Ar3는, 방향족화합물로서 치환체가 없거나, 알킬치환체가 있거나, 실리콘, 산소, 황 또는 질소 원자를 포함하는 알킬 곁사슬을 치환체로 하는 방향족 화합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물
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제1항 또는 2항에 있어서, 상기 Ar1 와 Ar2가 바람직하게는 1,4-페닐렌기이고, Ar3가 바람직하게는 1,4-페닐렌기, 이소프로필리덴디페닐렌기, 또는 헥사플로로 이소프로필리덴디페닐렌기인 것을 특징으로 하는 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물
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제2항에 있어서, 상기 실리콘, 산소, 황 또는 질소 원자를 포함하는 알킬 곁사슬 치환체는, 탄소수가 30개 이하, 실리콘은 원자수가 100개 이하, 질소는 원자 수가 100개 이하, 산소는 원자수가 100개 이하, 황은 원자 수가 100개 이하인 것을 지칭하는 것을 특징으로 하는 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물
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제1항에 있어서, 상기 화학식에서 그라프트된 폴리스티렌 술폰산을 대체하여 아크릴 산, 메타크릴 산, 비닐 포스폰 산, 비닐 케톤 또는 비닐 피롤리딘과 같은 단량체중에서 선택된 하나 이상의 단량체와 스티렌술폰산과의 공중합물이 사용되고, 공중합물중 스티렌술폰산 단량체의 비율이 25몰% 이상인 것을 특징으로 하는 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 폴리스티렌 술폰산은, 스티렌술폰산을 포함하여 2개 이상의 단량체의 공중합으로부터 얻어진 것이며, 술폰산 기가 페닐기에 대하여 오르도, 메타, 파라 중 임의의 어느 한곳에 위치한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물
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제6항에 있어서, 상기 폴리스티렌 술폰산은, 스티렌술폰산의 비닐기에 수소대신 불소가 3개 치환된 단량체가 사용되는 것을 특징으로 하는 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물
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폴리술폰에 리빙 라디칼 중합을 개시 할 수 있도록 관능기를 도입시키고, 관능기가 도입된 폴리술폰에 스티렌술폰산과 용매를 혼합한 후 질소 기류하에서 중합하며, 중합물을 분리한후 이를 메탄올에 침전시켜 고분자를 필터링한 후 이를 건조시키는 구성으로 이루어 진 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 관능기로 클로로메틸기가 사용되며, 폴리술폰은 Udel®, Radel®중에서 선택 사용되고, 그라프트 공중합을 위하여 염화구리 및 디피리딜이 사용되는 것을 특징으로 하는 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리술폰 공중합물의 제조방법
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제8항의 방법으로 제조된 공중합물을 이용하여 제조한 연료전지용 고분자 전해질 막
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제10항에 있어서, 상기 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 공중합물에 무기 첨가제가 그라프트 공중합체 중량의 5~40중량%로 포함되어 제조되는 것을 특징으로 하는 연료전지용 고분자 전해질 막
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제11항에 있어서, 상기 무기첨가제는, H2PO4, TiO2, Al2O3 또는Hm(XxYyOz)(nH2O) 중에서 선택된 적어도 하나이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지용 고분자 전해질 막
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제12항에 있어서, 상기 Hm(XxYyOz)(nH2O)는, X가 B, Al, Ga, Ge, Si, Sn, P, As, Sb, Te 및 제 1,2,3 그룹 전이원소 중에서 선택된 어느 하나이며, Y는 제 1,2,3 그룹 전이원소 중에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 연료전지용 고분자 전해질 막
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제12항에 있어서, 상기 Hm(XxYyOz)(nH2O)는, X가 B, Al, Ga, Ge, Si, Sn, P, As, Sb, Te 및 제 1,2,3 그룹 전이원소 중에서 선택된 어느 하나이며, Y는 제 1,2,3 그룹 전이원소 중에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 연료전지용 고분자 전해질 막
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