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발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015142479
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광다이오드가 제공된다. 상기 발광다이오드는 기판 상에 위치하는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 위치하고, 상기 제1 반도체층의 일부를 노출하는 활성층, 상기 활성층 상에 위치하는 제2 반도체층, 상기 노출된 제1 반도체층 상에 위치하는 제1 전극 및 상기 제2 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은 상기 기판의 일변의 일측에 위치하는 제1 주요부와, 상기 제1 주요부로부터 상기 기판의 다른 변들을 따라 신장하는 제1 연장부를 갖고, 상기 제2 전극은 상기 기판의 상기 일변의 타측에 위치하는 제2 주요부와, 상기 제2 주요부로부터 신장하되 상기 기판의 중심부에서 상기 제1 연장부와 대향하는 제2 연장부를 갖는다.발광다이오드, 전극, 주요부, 연장부
Int. CL H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020060110445 (2006.11.09)
출원인 한양대학교 산학협력단, 갤럭시아포토닉스 주식회사
등록번호/일자 10-0752589-0000 (2007.08.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060108577   |   2006.11.03
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 갤럭시아포토닉스 주식회사 대한민국 경기도 평택시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심종인 대한민국 서울특별시 강남구
2 이응신 대한민국 서울 동대문구
3 장동현 대한민국 경기도 부천시 원미구
4 윤주선 대한민국 경기도 화성시
5 박영호 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 갤럭시아포토닉스 주식회사 대한민국 경기도 평택시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0820596-00
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0144478-35
3 우선심사신청서
Request for Accelerated Examination
2006.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0880876-74
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0893340-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0111270-72
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0219760-95
7 의견서
Written Opinion
2007.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0219762-86
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0256533-96
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.07.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0026819-14
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.07.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0027202-22
11 등록결정서
Decision to grant
2007.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0423952-86
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2009-5169870-57
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 위치하는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 위치하고, 상기 제1 반도체층의 일부를 노출하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 제2 반도체층; 상기 노출된 제1 반도체층 상에 위치하고, 상기 기판의 일변의 일측에 위치하는 제1 주요부와, 상기 제1 주요부로부터 상기 기판의 다른 변들을 따라 신장하는 제1 연장부를 갖는 제1 전극; 및상기 제2 반도체층 상에 위치하고, 상기 기판의 상기 일변의 타측에 위치하는 제2 주요부와, 상기 제2 주요부로부터 상기 기판의 중심부로 신장하고 상기 제1 연장부와 대향하는 제2 연장부를 갖는 제2 전극을 포함하며,상기 기판은 서로 대향하는 두 쌍의 변들을 포함하되, 상기 두 쌍의 변들은 시계방향으로 차례로 배치되는 제1 변, 제2 변, 제3 변 및 제4 변을 포함하고,상기 제1 주요부는 상기 제1 변 및 상기 제2 변에 인접하게 배치되고, 상기 제1 연장부는 상기 제2 변, 상기 제3 변 및 상기 제4 변에 인접하게 배치되도록 상기 제2 변, 상기 제3 변 및 상기 제4 변을 따라 신장하고, 상기 제2 주요부는 상기 제1 변 및 상기 제4 변과 인접하게 배치되고, 상기 제2 연장부는 상기 제3 변 및 제4 변과 대향하도록 신장하는 발광다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 간 대향거리는 일정한 발광다이오드
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제1 연장부는 "ㄷ"형 모양을 갖고, 상기 제2 연장부는 "ㄱ"형 모양을 갖는 발광다이오드
6 6
기판 상에 위치하는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 위치하고, 상기 제1 반도체층의 일부를 노출하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 제2 반도체층;상기 제2 반도체층 상에 위치하고, 상기 기판의 일변의 일측에 위치하는 제2 주요부와, 상기 제2 주요부로부터 상기 기판의 다른 변들을 따라 신장하는 제2 연장부를 갖는 제2 전극; 및상기 노출된 제1 반도체층 상에 위치하고, 상기 기판의 상기 일변의 타측에 위치하는 제1 주요부와, 상기 제1 주요부로부터 상기 기판의 중심부로 신장하고 상기 제2 연장부와 대향하는 제1 연장부를 갖는 제1 전극을 포함하며,상기 기판은 서로 대향하는 두 쌍의 변들을 포함하되, 상기 두 쌍의 변들은 시계방향으로 차례로 배치되는 제1 변, 제2 변, 제3 변 및 제4 변을 포함하고,상기 제2 주요부는 상기 제1 변 및 상기 제4 변과 인접하게 배치되고, 상기 제2 연장부는 상기 상기 제4 변, 상기 제3 변 및 상기 제2 변에 인접하게 배치되도록 상기 제4 변, 상기 제3 변 및 상기 제2 변을 따라 신장하고,상기 제1 주요부는 상기 제1 변 및 상기 제2 변에 인접하게 배치되고, 상기 제1 연장부는 상기 제2 변 및 제3 변과 대향하도록 신장하는 발광다이오드
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삭제
8 8
삭제
9 9
제 6 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 간 대향거리는 일정한 발광다이오드
10 10
제 6 항에 있어서,상기 제1 연장부는 "ㄱ"형 모양을 갖고, 상기 제2 연장부는 "ㄷ"형 모양을 갖는 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.