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보조 기판 상에 서로 다른 질량을 갖는 구조체들을 형성하는 단계;상기 구조체들 상에 점성 기판(viscosity substrate)을 형성하는 단계;상기 구조체들을 상기 점성 기판 내부로 이동시키는 단계; 및상기 보조 기판을 제거하는 단계를 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 구조체들을 상기 점성 기판 내부로 이동시키는 단계는, 상기 점성 기판 및 상기 보조 기판을 뒤집어, 상기 점성 기판이 상기 보조 기판보다 지면(ground)에 더 인접하게 배치시키는 단계를 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 구조체들은 은 나노 구조체를 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 점성 기판은, 상기 보조 기판과 인접한 제1 면, 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하고, 상기 구조체들을 상기 점성 기판 내부로 이동시키는 단계에 의해, 상대적으로 질량이 큰 상기 구조체들은 상기 제2 면에 인접하게 배치되고, 상대적으로 질량이 작은 상기 구조체들은 상기 제1 면에 인접하게 배치되는 것을 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 보조 기판을 제거하기 전, 상기 점성 기판을 경화시키는 단계를 더 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 점성 기판을 형성하기 전, 상기 구조체들이 형성된 상기 보조 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 구조체들을 상기 보조 기판 상에 형성하기 전, 상기 보조 기판의 상부면 상에 이형층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 구조체들은 상기 이형층 상에 형성되는 것을 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 보조 기판 상에 상기 구조체들을 형성하기 전, 상기 보조 기판의 표면의 표면 에너지를 감소시키는 전처리 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 전처리 공정은, 상기 보조 기판의 상기 표면에 플라즈마(plasma), UV(ultra violet), 또는 오존(ozone) 중에서 적어도 어느 하나를 제공하는 것을 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판이 제조 방법
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제1 면, 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판 내부에 배치된 서로 다른 질량을 갖는 구조체들을 포함하되,상기 베이스 기판의 상기 제1 면에서 상기 베이스 기판의 제2 면으로 갈수록, 상기 베이스 기판 내의 상기 구조체들의 질량이 증가되며, 상기 제1 면에 인접한 상기 구조체들의 크기는, 상기 제2 면에 인접한 상기 구조체들의 크기보다 작은 것을 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판
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제10 항에 있어서, 상기 구조체들은 탄소나노튜브 물질, 반도체 물질, 산화물 반도체 물질, 코어쉘(core/shell) 형태를 가지는 양자점 물질, 전도성 유기물, 코어쉘 형태를 가지는 반도체 나노선 물질 중 하나로 이루어진 미세 구조를 갖는 기판
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제10 항에 있어서, 상기 구조체들은, 나노 와이어(wire) 및 나노 입자(particle)을 포함하고, 상기 나노 입자는 상기 제2 면보다 상기 제1 면에 인접하게 배치되고, 상기 나노 와이어는 상기 제1 면보다 상기 제2 면에 인접하게 배치되는 것을 포함하는 미세 구조체를 갖는 기판
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제12 항에 따른 미세 구조체를 갖는 기판의 상기 나노 와이어를 전극으로 사용하고, 제12 항에 따른 미세 구조체를 갖는 기판의 상기 나노 입자를 광 추출 패턴으로 사용하는 전자 소자
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