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플라즈마에 인접하게 배치되는 탐침;상기 탐침에 발생된 출력전류를 측정하는 측정회로부; 및적어도 2개의 주파수를 갖는 교류전압을 인가하며, 상기 각각의 출력전류의 크기와 위상 성분의 정보로부터 상기 탐침에 증착된 유전층의 두께를 산출하는 데이터처리부를 포함하며,상기 플라즈마와 상기 탐침 사이는,상기 유전층이 증착되어 발생되는 증착 캐패시턴스와, 상기 플라즈마에 인접하게 발생되는 쉬스 영역의 쉬스 캐패시턴스 및 쉬스 저항의 회로 구성으로 근사되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단장치
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제1항에 있어서,상기 데이터처리부는,상기 각각의 출력전류의 제1 고조파 크기, 위상차 및 상기 회로 구성의 전체 임피던스의 실수 성분으로부터 상기 쉬스 저항과 상기 쉬스 캐패시턴스를 산출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단장치
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제3항에 있어서,상기 데이터처리부는,상기 회로 구성의 전체 임피던스의 허수 성분과 쉬스 영역의 캐패시턴스의 임피던스의 차이로부터 증착 캐패시턴스를 계산하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단장치
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제1항에 있어서,상기 출력전류를 상기 데이터처리부로 전달하는 인터페이스부; 및상기 데이터처리부로부터 계산된 상기 유전층의 두께를 디스플레이하는 디스플레이부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단장치
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탐침에 제1, 제2 주파수의 교류전압을 인가하는 단계;상기 탐침에 발생된 출력전류를 측정하는 단계; 및상기 각각의 출력전류의 크기와 위상 성분의 정보로부터 상기 탐침에 증착된 유전층의 두께를 산출하는 단계를 포함하며,상기 유전층의 두께를 산출하는 단계는,상기 유전층이 증착되어 발생되는 증착 캐패시턴스와, 탐침에 인접하게 발생되는 쉬스 영역의 쉬스 캐패시턴스 및 쉬스 저항의 회로 구성으로 근사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 방법
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제6항에 있어서,상기 유전층의 두께를 산출하는 단계는,상기 각각의 출력전류의 제1 고조파 크기, 위상차 및 상기 회로 구성의 전체 임피던스의 실수 성분으로부터 상기 쉬스 저항과 상기 쉬스 캐패시턴스를 산출하는 단계;상기 회로 구성의 전체 임피던스의 허수 성분과 쉬스 영역의 캐패시턴스의 임피던스의 차이인 [수학식 8]로부터 상기 증착 캐패시턴스를 계산하는 단계; 및상기 증착 캐패시턴스로부터 상기 유전층의 두께를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단방법
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제7항에 있어서,상기 쉬스 저항과 상기 쉬스 캐패시턴스를 산출하는 단계는,상기 각각의 출력전류에서 측정된 제1 고조파 크기, 위상 차 및 상기 회로 구성의 전체 임피던스의 실수 성분으로부터 쉬스 저항과 상기 쉬스 캐패시턴스의 관계식을 도출하는 단계;상기 관계식을 연립하여 상기 쉬스 저항을 계산하는 단계; 및상기 어느 하나의 제1 고조파 크기, 상기 각각의 출력전류에서 측정된 위상 차 및 상기 회로 구성의 전체 임피던스의 실수 성분으로부터 상기 쉬스 캐패시턴스를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단방법
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