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아민 화합물로 개질된 과불소화설폰산 멤브레인 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142674
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면 과불소화술폰산 고분자 막에 아민 화합물을 가교시켜 수소이온전도도는 유지되면서도 메탄올 투과도 및 바나듐투과도가 감소한 양이온 교환막을 제공하며, 상기 양이온 교환막은 직접메탄올 연료전지, 산화환원흐름전지에 사용할 수 있을 뿐 아니라 소금물전해액 장치, 전기투석 장치 등에도 적용할 수 있다.
Int. CL H01M 8/20 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130097147 (2013.08.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1461417-0000 (2014.11.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.16)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조창기 대한민국 서울 강남구
2 김병국 대한민국 서울 영등포구
3 김선미 대한민국 충청남도 예산군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0742345-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0019618-79
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0670412-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
과불소화술폰산 고분자에 아민 화합물로 가교시킨 양이온 교환막으로서,상기 아민 화합물은 술폰산기를 포함하며, 상기 과불소화술폰산 고분자는 카보닐디이미다졸에 의해 술폰산기가 술폰이미다졸기로 치환되는 것을 특징으로 하는 양이온 교환막
2 2
제1항에 있어서,상기 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물인 것을 특징으로 하는 양이온 교환막
3 3
제1항에 있어서,상기 아민 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 아민 화합물인 것을 특징으로 하는 양이온 교환막
4 4
제1항에 있어서,상기 아민 화합물은 SO3H, COOH, PO3H2 또는 이들의 알칼리금속염으로 치환 또는 비치환된 H2N-(CH2)n-NH2 또는 H2N-(CH2)n-H (n은 2-6의 정수이다
5 5
제1항에 있어서,상기 아민 화합물의 함량은 과불소화술폰산 고분자 기준 1-30 mol부인 것을 특징으로 하는 양이온 교환막
6 6
제1항에 있어서,상기 양이온 교환막에 H3PO4, TiO2, Al2O3, 화학식 3으로 표시되는 무기 첨가제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 무기첨가제를 첨가하는 것을 특징으로 하는 양이온 교환막
7 7
제6항에 있어서,상기 무기 첨가제의 함량은 양이온 교환막 기준 5-40 중량부인 것을 특징으로 하는 양이온 교환막
8 8
과불소화술폰산 고분자와 카보닐디이미다졸을 반응시켜 술폰산기가 술폰이미다졸기로 활성화된 과불소화술폰산 고분자를 제조하는 단계;상기 활성화된 과불소화술폰산 고분자와 아민 화합물을 반응시켜 가교된 과불소화술폰산 고분자를 제조하는 단계; 및상기 가교된 과불소화술폰산 고분자를 유리판에 캐스팅하고 열처리하는 단계;를 포함하는 양이온 교환막의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 카보닐디이미다졸의 함량은 과불소화술폰산 고분자 기준 10-70 mol부인 것을 특징으로 하는 양이온 교환막의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 카보닐디이미다졸의 함량은 과불소화술폰산 고분자 기준 40-60 mol부인 것을 특징으로 하는 양이온 교환막의 제조방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 아민 화합물의 함량은 과불소화술폰산 고분자 기준 1-30 mol부인 것을 특징으로 하는 양이온 교환막의 제조방법
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 양이온 교환막을 이용하는 고분자전해질연료전지
13 13
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 양이온 교환막을 이용하는 산화환원흐름전지
14 14
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 양이온 교환막을 이용하는 소금물 전기분해조
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.