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이미지센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142680
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층과; 상기 산화물반도체층 상에 형성된 게이트절연막과; 상기 게이트절연막 상에 형성된 게이트전극과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
Int. CL H01L 27/146 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140012695 (2014.02.04)
출원인 주식회사 레이언스, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0091900 (2015.08.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.01)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 레이언스 대한민국 경기도 화성시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전승익 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김명호 대한민국 인천광역시 서구
3 장한빈 대한민국 경기도 화성시 삼
4 최덕균 대한민국 서울특별시 광진구
5 최명재 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0110376-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2015-5001543-45
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0118963-80
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0388617-78
9 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.08.05 무효 (Invalidation) 1-1-2020-0824144-43
10 보정요구서
Request for Amendment
2020.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0120674-00
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0620303-24
12 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2020.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0133772-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스전극 및 드레인전극과;상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층과;상기 산화물반도체층 상에 형성된 게이트절연막과;상기 게이트절연막 상에 형성된 게이트전극과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하는 이미지센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 산화물반도체층은 상기 소스전극 및 드레인전극 상부나 하부에 구성된이미지센서
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 포토다이오드는,상기 드레인전극으로부터 연장된 제1전극과;상기 제1전극 상에 형성된 반도체층과;상기 반도체층 상에 형성된 제2전극을 포함하는이미지센서
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 반도체층은, 상기 제1전극 상에 순차적으로 위치하는 n+층과, i층과, p+층을 포함하는 이미지센서
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극과 포토다이오드 상에, 상기 소스전극을 노출하는 제1콘택홀과, 상기 제2전극을 노출하는 제2콘택홀을 포함하는 보호막과;상기 보호막 상에, 상기 제1콘택홀을 통해 상기 소스전극과 연결되는 독출배선과, 상기 제2콘택홀을 통해 상기 제2전극과 연결되는 바이어스전극을 포함하고, 상기 게이트절연막은 상기 제1콘택홀을 포함하는이미지센서
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 산화물반도체층의 표면에 형성된 산화막을 포함하는 이미지센서
7 7
소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와;상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층을 형성하는 단계와;상기 산화물반도체층을 N2O 플라즈마 처리하는 단계와;상기 산화물반도체층 표면에 산화막을 형성하는 단계와;상기 산화물반도체층 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2015119418 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2015119418 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.