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광통신 수신기, 이에 사용되는 과전류 보상 회로 및 칩

  • 기술번호 : KST2015142690
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다중 모드에 사용 가능한 과전류 보상 회로를 포함하는 광통신 수신기 및 이에 사용되는 칩이 개시된다. 상기 칩은 복수의 모드들에 공통적으로 사용되고, 포토 다이오드에 연결되며, 상기 포토 다이오드로부터 출력된 광 전류가 기설정값 이상의 과전류인 경우 상기 광 전류의 적어도 일부를 방전시키는 과전류 보상부를 가지는 과전류 보상 회로를 포함한다. 상기 과전류 보상 회로는 특정 모드에서 상기 광 전류 중 교류를 필터링하는 필터링부를 추가적으로 포함한다.
Int. CL H04B 10/60 (2013.01) H02H 3/08 (2006.01) H04B 10/69 (2013.01)
CPC H04B 10/60(2013.01) H04B 10/60(2013.01) H04B 10/60(2013.01)
출원번호/일자 1020130161532 (2013.12.23)
출원인 한양대학교 산학협력단, 주식회사 오이솔루션
등록번호/일자 10-1541972-0000 (2015.07.29)
공개번호/일자 10-2015-0074286 (2015.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20150806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.23)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 오이솔루션 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤태열 대한민국 서울 서초구
2 박문수 대한민국 경기 안양시 동안구
3 이지영 대한민국 서울 성동구
4 이지영 대한민국 서울 구로구
5 박준영 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 오이솔루션 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1177630-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0036779-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0237951-43
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0548262-63
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0548261-17
9 등록결정서
Decision to grant
2015.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0451627-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2016-0064827-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 모드들에 공통적으로 사용되고, 포토 다이오드에 연결되며, 상기 포토 다이오드로부터 출력된 광 전류가 기설정값 이상의 과전류인 경우 상기 광 전류의 적어도 일부를 방전시키는 과전류 보상부를 가지는 과전류 보상 회로를 포함하되,상기 과전류 보상 회로는 과전류시 상기 광 전류 중 적어도 일부를 방출시키기 위한 트랜지스터들 및 상기 광 전류 중 교류를 필터링하는 필터링부를 가지며, 상기 필터링부는 제 1 모드에서는 상기 트랜지스터들 사이에 연결되고 제 2 모드에서는 상기 트랜지스터들 사이에 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
2 2
제1항에 있어서, 상기 필터링부는 캐패시터이며, 상기 캐패시터는 EPON 모드에서는 상기 과전류 보상부에 연결되고 버스트 모드에서는 상기 과전류 보상부에 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
3 3
제1항에 있어서, 상기 트랜지스터들은 미러 구조를 가지는 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터이되, 상기 필터링부는 상기 제 3 트랜지스터의 게이트와 상기 제 4 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
4 4
제3항에 있어서, 상기 트랜지스터들의 게이트들 사이에 패드가 연결되고, 상기 필터링부는 캐패시터로서 상기 패드에 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
5 5
제3항에 있어서,미러 구조를 가지는 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터를 포함하는 미러 회로를 더 포함하되,상기 제 1 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터의 일단은 전압원에 연결되며, 상기 제 1 트랜지스터는 상기 전압원과 포토 다이오드 사이에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 포토 다이오드와 접지 사이에 연결되며, 상기 제 4 트랜지스터는 상기 제 2 트랜지스터와 접지 사이에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트와 드레인이 연결되며, 상기 제 3 트랜지스터의 게이트와 드레인이 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
6 6
제5항에 있어서,상기 제 2 트랜지스터와 상기 제 3 트랜지스터 사이에 연결된 적어도 하나의 제 5 트랜지스터 및 상기 제 5 트랜지스터의 게이트 및 상기 전압원에 연결되는 적어도 하나의 저항을 가지는 전압 다운 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
7 7
제1항에 있어서, 상기 필터링부는 캐패시터이되,상기 모드들 중 하나에서의 캐패시터의 캐패시턴스는 다른 모드에서의 캐패시턴스와 다른 것을 특징으로 하는 광통신 수신기용 칩
8 8
광통신 수신기에 사용되는 과전류 보상 회로에 있어서,포토 다이오드에 연결되며, 상기 포토 다이오드로부터 출력된 광 전류가 기설정값 이상의 과전류인 경우 상기 광 전류의 적어도 일부를 방전시키는 과전류 보상부; 및상기 과전류 보상부에 연결되는 필터링부를 포함하되,상기 과전류 보상부는 과전류시 상기 광 전류 중 적어도 일부를 방출시키기 위한 트랜지스터들을 가지며, 상기 필터링부는 제 1 모드에서는 상기 트랜지스터들 사이에 연결되고 제 2 모드에서는 상기 트랜지스터들 사이에 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 과전류 보상 회로
9 9
제8항에 있어서, 상기 트랜지스터들은 미러 구조를 가지는 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터이되,상기 필터링부는 캐패시터로서 상기 트랜지스터들의 게이트들 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 과전류 보상 회로
10 10
제9항에 있어서, 상기 트랜지스터들의 게이트들 사이에 패드가 연결되고, 상기 캐패시터는 상기 패드에 연결되는 것을 특징으로 하는 과전류 보상 회로
11 11
제8항에 있어서, 상기 광 전류 중 교류가 상기 과전류 보상 회로의 보상 회로 루프를 통하여 부궤환되는 것을 방지하도록 상기 보상 회로 루프 상에 연결되는 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과전류 보상 회로
12 12
제8항에 있어서, 상기 과전류 보상부는 상기 포토 다이오드와 전치 증폭기의 입력단이 만나는 노드에 연결되며, 상기 과전류시 상기 광 전류 중 일부를 방전시켜 상기 전치 증폭기로 입력되는 광 전류의 양을 감소시키는 것을 특징으로 하는 과전류 보상 회로
13 13
제8항에 있어서, 전압원과 상기 과전류 보상부 사이에 연결된 적어도 하나의 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 게이트와 상기 전압원에 연결되는 적어도 하나의 저항을 가지는 전압 다운 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과전류 보상 회로
14 14
포토 다이오드;전치 증폭기; 및상기 포토 다이오드 및 상기 전치 증폭기에 연결되며, 상기 포토 다이오드로부터 출력된 광 전류가 기설정값 이상의 과전류인 경우 상기 전치 증폭기로 입력되는 광 전류의 일부를 방전시켜 상기 전치 증폭기로 입력되는 전류를 감소시키는 과전류 보상 회로를 포함하되,상기 과전류 보상 회로는 복수의 모드들에 공통적으로 사용되며 트랜지스터들을 포함하는 과전류 보상부 및 특정 모드에서만 추가되며 상기 과전류 보상부에 연결되는 필터링부를 가지며, 상기 필터링부는 제 1 모드에서는 상기 트랜지스터들 사이에 연결되고 제 2 모드에서는 상기 트랜지스터들 사이에 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
15 15
제14항에 있어서, 상기 트랜지스터들은 미러 구조를 가지는 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터이되, 상기 필터링부는 캐패시터로서 상기 트랜지스터들의 게이트들 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 광통신 수신기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.