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금속막의 화학기계적 연마에서 부식을 방지할 수 있는 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법

  • 기술번호 : KST2015142713
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화학기계적 연마 공정 후 상기 금속막층의 두께를 일정한 수준으로 제어할 수 있는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법이 개시된다. 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 슬러리 조성물은, 연마입자 및 부식 방지제를 포함하며, 상기 화학기계적 연마 공정 후 상기 금속막층의 두께를 일정한 수준으로 제어하기 위해 상기 연마입자의 크기 및 상기 부식 방지제의 농도가 일정한 범위내로 조절된 것을 특징으로 한다. 금속막용 연마액, 벤조트라이아졸(Benzotriazole), 금속막 CMP, 콜로이달, 슬러리
Int. CL C09G 1/02 (2006.01.01) H01L 21/321 (2006.01.01)
CPC C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020040027673 (2004.04.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0102354 (2005.10.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0165134-19
2 과오납통지서
Notice of Erroneous Payment
2004.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0029442-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.26 수리 (Accepted) 4-1-2008-5082579-78
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0169402-27
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0169403-73
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0212093-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
웨이퍼 표면에 형성된 금속막층에 대한 화학기계적 연마 공정시 연마제거율 제어를 위한 화학기계적 연마용 슬러리 조성물에 있어서, 연마입자 및 첨가제를 포함하며, 상기 화학기계적 연마 공정시 연마제거율 제어를 위해 상기 연마입자의 크기 및 상기 첨가제의 농도가 일정한 범위내로 조절된 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 연마입자의 크기는 40 nm 내지 1000 nm의 범위내로 조절된 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 부식방지제의 농도는 10 중량ppm 내지 10 중량%이하로 조절된 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 연마입자는 실리카계를 사용하는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 연마입자는 실리카계를 사용하는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 연마입자는 콜로이달 실리카를 사용하는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 부식 방지제는 BTA를 사용하는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
8 7
제 5 항에 있어서, 상기 부식 방지제는 BTA를 사용하는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.