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이온빔 소스, 상기 이온빔 소스에서 이온빔을 추출하여 가속시키는 그리드 및 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하는 중성빔 소스에 있어서, 상기 이온빔 소스는, 플라즈마가 생성되는 공간을 형성하고 하단부가 상기 그리드와 연결되는 챔버;선형이며, 상기 챔버 내부를 폭방향으로 관통하여 양단부가 상기 챔버의 측면 외부로 노출되는 적어도 하나의 유도 코일부; 및상기 각 유도 코일부 일측 단부에 고주파 전원을 인가하여 상기 챔버내에서 플라즈마를 발생시키는 전원 공급부를 포함하는 중성빔 소스
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이온빔 소스, 상기 이온빔 소스에서 이온빔을 추출하여 가속시키는 그리드 및 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하는 중성빔 소스에 있어서, 상기 이온빔 소스는, 플라즈마가 생성되는 공간을 형성하고 하단부가 상기 그리드와 연결되는 챔버;두 개의 선형부가 하나의 연결부로 연결된 U자형이며, 상기 챔버 내부를 폭방향으로 관통하여 상기 각 선형부의 단부 및 연결부가 상기 챔버의 서로 반대쪽 측면 외부로 각각 노출되는 적어도 하나의 유도 코일부; 및상기 각 유도 코일부의 선형부 중 어느 하나의 단부에 고주파 전원을 인가하여 상기 챔버내에서 플라즈마를 발생시키는 전원 공급부를 포함하는 중성빔 소스
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 각 유도 코일부는 구리, 스테인레스스틸 또는 알루미늄 중 어느 하나로 이루어진 유도 코일과, 상기 유도 코일을 둘러싸는 절연재를 포함하는 중성빔 소스
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제3항에 있어서,상기 전원 공급부는 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 균일하게 제어하기 위하여 상기 적어도 하나의 유도 코일부 각각에 인가되는 전원을 독립적으로 제어할 수 있는 중성빔 소스
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제4항에 있어서,상기 각 유도 코일부의 선형부 중 전원이 인가되지 않는 단부는 접지시키는 중성빔 소스
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제5항에 있어서,상기 적어도 하나의 유도 코일부는 챔버 상부에 배치되고, 각 유도 코일부는 수평적으로 서로 이격되어 있는 중성빔 소스
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제6항에 있어서,상기 중성빔 소스는 육면체 형상인 중성빔 소스
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이온빔 소스, 상기 이온빔 소스에서 이온빔을 추출하여 가속시키는 그리드 및 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하는 중성빔 소스에 있어서, 상기 이온빔 소스는, 플라즈마가 생성되는 공간을 형성하고 하단부가 상기 그리드와 연결되는 챔버;서로 평행한 복수의 선형부가 상기 챔버 내부를 폭방향으로 관통하여 각 선형부의 양단부가 상기 챔버의 측면 외부로 노출되고, 상기 복수 선형부의 양단부 중 같은 방향에 있는 일측 단부들이 제1연결부로 서로 연결된 제1 유도 코일부; 서로 평행한 복수의 선형부가 상기 챔버 내부를 폭방향으로 관통하여 각 선형부의 양단부가 상기 챔버의 측면 외부로 노출되고, 상기 복수 선형부의 양단부 중 같은 방향에 있는 일측 단부들이 제2연결부로 서로 연결된 제2 유도 코일부; 및상기 제1,2 연결부에 고주파 전원을 인가하여 상기 챔버내에서 플라즈마를 발생시키는 전원 공급부를 포함하고,상기 제1,2 연결부는 챔버에 대해서 서로 반대 방향에 위치하고, 제1,2 코일부의 선형부는 서로 교대로 배치되는 중성빔 소스
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제8항에 있어서,상기 제1,2 유도 코일부는 각각 구리, 스테인레스스틸 또는 알루미늄 중 어느 하나로 이루어진 유도 코일과, 상기 유도 코일을 둘러싸는 절연재를 포함하는 중성빔 소스
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제9항에 있어서,상기 전원 공급부는 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 균일하게 제어하기 위하여 상기 제1,2 연결부 각각에 인가되는 전원을 독립적으로 제어할 수 있는 중성빔 소스
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제10항에 있어서,상기 제1,2 유도 코일부의 양단부 중 서로 연결되지 않은 단부는 접지시키는 중성빔 소스
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제11항에 있어서,상기 제1,2 유도 코일부는 챔버 상부에 수평적으로 배치되는 중성빔 소스
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제12항에 있어서,상기 중성빔 소스는 육면체 형상인 중성빔 소스
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이온빔 소스, 상기 이온빔 소스에서 이온빔을 추출하여 가속시키는 그리드 및 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하는 중성빔 소스의 플라즈마 밀도 제어방법에 있어서, 상기 이온빔 소스 내부에 발생되는 플라즈마의 밀도 분포가 균일한지 여부를 판단하는 제1단계;와상기 제1단계의 판단 결과에 따라 이온빔 소스 내부에 배치된 적어도 하나의 선형 이온 소스에 공급되는 고주파 전원을 제어하는 제2단계를 포함하는 중성빔 소스의 플라즈마 밀도 제어방법
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