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중성빔을 이용한 기판 표면의 조성 혼입 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015142946
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 낮은 에너지로 산화막 표면을 처리해줌으로써 산화막의 전기적 손상을 최소화하면서 박막 특성을 향상시킬 수 있는 중성빔을 이용하여 기판의 특성향상을 위한 중성빔 표면 조성 혼입(incorporation)장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 발생 챔버 내에 장착되고, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온소스부, 상기 이온소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고, 상기 중성빔으로 상기 피처리 기판의 표면을 개질하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 중성빔을 이용한 기판의 표면조성 혼입 장치 및 방법을 이용하는 것에 의해, 기존의 MOSFET 뿐 아니라, SONOS, TANOS 등과 같은 차세대 반도체 소자의 산화막 특성 향상에 전반적으로 사용할 수 있는 장비 및 공정 기술을 향상시킬 수 있다. 이온, 소스, 중성빔, 개질
Int. CL H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01J 37/32412(2013.01)H01J 37/32412(2013.01)H01J 37/32412(2013.01)H01J 37/32412(2013.01)
출원번호/일자 1020070135247 (2007.12.21)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0959640-0000 (2010.05.17)
공개번호/일자 10-2009-0067553 (2009.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20100526) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 김성우 대한민국 서울특별시 마포구
3 박병재 대한민국 충남 논산시 두마면 남선리 ***번지 군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0920148-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0068202-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0130035-18
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0312009-19
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0389174-16
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0456357-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0523789-85
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0523790-21
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0486911-04
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0003395-56
12 등록결정서
Decision to grant
2010.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0069098-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
중성빔을 이용한 기판의 표면 조성 혼입 장치로서, 상기 표면 조성 혼입 장치는 플라즈마 발생 챔버 내에 장착되고, 이온빔을 생성하도록 질소(nitrogen) 계열, 산소(oxygen) 계열, CxFy 계열 및 불소(fluorine) 계열 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온소스부, 상기 이온소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 및 상기 그리드 어셈블리를 관통하는 이온빔을 중성빔으로 전환하고, 상기 이온빔이 충돌하도록 상기 이온빔의 직진 방향에 대하여 일정한 각도로 기울어진 슬릿(slit) 형상으로 형성된 복수 개의 반사판을 구비하는 반사체를 포함하고, 상기 중성빔은 상기 중성빔의 진행 경로 상에 위치된 피처리 기판의 표면 조성에 혼입하되, 상기 피처리 기판은 SiO2로 이루어진 소자로서, 상기 소자의 게이트 산화막을 중성빔으로 혼입하여 상기 피처리 기판의 전기적 특성을 개질하거나, Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2,, Y2O3, Ta2O5 및 La2O3를 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 고유전 물질로 이루어진 소자로서, 상기 소자의 산화막을 중성빔으로 혼입하는 것에 의해 상기 피처리 기판의 전기적 특성을 개질하며, 상기 피처리 기판의 특성 개질은 상기 중성빔으로 처리시 산화막의 두께 변화가 없는 1 eV 내지 100 eV의 에너지로 실행되는 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 표면 조성 혼입 장치
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 피처리 기판의 특성 개질은 10 eV의 에너지로 실행되는 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 표면 조성 혼입 장치
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삭제
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삭제
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 피처리 기판은 SONOS(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon), TANOS(tantalium-aluminium oxide-nitride-oxide-silicon) 또는 SANOS(silicon-aluminium oxide-nitride-oxide-silicon)소자 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 표면 조성 혼입 장치
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이온빔을 생성하도록 질소(nitrogen) 계열, 산소(oxygen) 계열, CxFy 계열 및 불소(fluorine) 계열 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 주입하는 단계, 주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 단계, 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계, 상기 중성빔을 피처리 기판에 생성된 표면 조성에 혼입하는 것에 의해 상기 피처리 기판의 전기적 특성을 개질하는 단계를 포함하되, 상기 피처리 기판은 SiO2로 이루어진 소자로서, 상기 소자의 게이트 산화막을 중성빔으로 혼입하여 상기 피처리 기판의 전기적 특성을 개질하거나, Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2,, Y2O3, Ta2O5 및 La2O3를 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 고유전 물질로 이루어진 소자로서, 상기 소자의 산화막을 중성빔으로 혼입하는 것에 의해 상기 피처리 기판의 전기적 특성을 개질하고, 상기 피처리 기판의 특성 개질은 상기 중성빔으로 처리시 산화막의 두께 변화가 없는 5 eV 내지 100 eV의 에너지로 실행되는 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 표면 조성 혼입 방법
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10 10
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11 11
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