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테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저시스템

  • 기술번호 : KST2015143007
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 반도체 레이저, 광도파로 및 격자부가 하나의 기판상에 하이브리드 집적되게 구성하되, 격자부의 일부 격자의 반사파장을 조절하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템에 관한 것이다.
Int. CL H04B 10/2581 (2006.01) H01S 3/10 (2006.01)
CPC H01S 3/08009(2013.01) H01S 3/08009(2013.01) H01S 3/08009(2013.01) H01S 3/08009(2013.01)
출원번호/일자 1020080046196 (2008.05.19)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0120254 (2009.11.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경식 대한민국 경기 수원시 권선구
2 민병철 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤배 대한민국 서울특별시 종로구 우정국로 ** 동덕빌딩 *층(세한국제특허법률사무소)
2 강철중 대한민국 서울특별시 종로구 우정국로 ** 동덕빌딩 **층(세한국제특허법률사무소)
3 박지영 대한민국 서울시 관악구 관악로 * 서울대학교연구공원 본관 ***호(서울대학교산학협력단)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0353005-97
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0687249-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0018808-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0096597-81
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0288541-92
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0288542-37
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0414193-10
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0545947-78
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0057937-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양측면이 각각 고반사 코팅 및 무반사 코팅된 반도체 레이저; 상기 반도체 레이저의 무반사 코팅된 측면에 연결되어, 상기 반도체 레이저로부터의 광의 통로를 제공하는 광도파로; 및 상기 반도체 레이저로부터 출력되어 상기 광도파로를 통해 전달되는 다수의 파장 중에서 서로 다른 두 개의 브라그 파장을 갖는 격자부;를 포함하되, 상기 격자부는 제1 격자 및 제2 격자를 포함하며, 상기 반도체 레이저, 광도파로 및 격자부는 하나의 평판도파로 칩에 하이브리드 집적된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 격자 및 제2 격자는 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 격자 및 제2 격자는 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 격자는, Λ1의 주기로 굴절률 n1 및 굴절률 n2를 반복적으로 갖도록 구성된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 격자는, Λ2의 주기로 굴절률 n3 및 굴절률 n4를 반복적으로 갖도록 구성된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 격자 또는 제2 격자 중의 하나의 온도를 상승시키는 히터가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
7 7
제6항에 있어서, 상기 히터는 Cr-Au 박막 히터인 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
8 8
제6항에 있어서, 상기 히터는 상기 격자부가 위치한 코어층의 상부인 상부 클래딩층의 표면에 구비되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
9 9
제8항에 있어서, 상기 히터는 온도를 상승시키고자 하는 격자의 직상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
10 10
제1항에 있어서, 상기 격자부는 실리카로 제작된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
11 11
제1항에 있어서, 상기 격자부는 열광학성 폴리머로 제작된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
12 12
제6항에 있어서, 상기 히터의 동작에 따라, 온도가 상승되는 격자의 주기 및 굴절률이 변하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
13 13
제6항에 있어서, 상기 히터의 동작에 따라, 온도가 상승되는 격자의 브라그 파장이 변하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
14 14
제6항에 있어서, 상기 격자부, 상기 광도파로 및 상기 칩의 기판의 온도를 일정하게 유지하기 위해, 상기 격자부 및 상기 기판 아래에 배치된 TEC(Thermoelectric cooler) 및 서미스터(thermistor)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
15 15
제1항에 있어서, 상기 평판도파로 칩은 전기광학 결정 또는 전기광학 폴리머로 제작된 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
16 16
제15항에 있어서, 상기 칩의 상부 클래딩 표면에 하나의 전극이 구비되고, 하부 클래딩 및 기판 사이에 하나의 전극이 구비되되, 상기 전극의 쌍은 광 도파로의 진행방향으로 주기적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
17 17
제15항에 있어서, 상기 격자부의 양 측면에 전극들이 각각 구비되며, 상기 전극의 쌍은 광 도파로의 진행방향으로 주기적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
18 18
제1항에 있어서, 상기 격자부의 출력단을 통해 출력되는 빔을 광전도 물질에서 혼합시킴으로써 테라헤르츠 파를 발생시키는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
19 19
제18항에 있어서, 상기 광전도 물질은 안테나 역할을 하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 주파수 발생 및 광센싱용 두 파장 레이저 시스템
20 20
제18항에 있어서, 상기 테라헤르츠 주파수는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 성균관대학교 특정기초연구지원사업 PLC 격자소자가 집적화된 편광조절 레이저 기술 개발에 대한 연구