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반도체 장치

  • 기술번호 : KST2015143231
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 제1 코일, 송신 회로, 제2 코일 및 수신 코일을 포함하는 반도체 장치가 제공된다. 상기 송신 회로는 데이터를 수신하고 상기 데이터의 논리 값에 따라 상기 제1 코일에 전류가 흐르게 한다. 상기 제2 코일은 제3 노드와 제4 노드 사이에 연결되고 상기 제1 코일과 유도 결합된다. 상기 수신 회로는 제1 및 제2 클럭 신호들을 수신하고 상기 제2 코일에 접속되어 상기 제2 코일에 유도되는 유도 전압으로부터 상기 데이터를 수신한다. 또한, 상기 수신 회로는 적분 회로 및 비교 회로를 포함한다. 상기 적분 회로는 상기 제1 클럭 신호에 응답하여, 상기 제3 노드의 전압 레벨에 대응하는 신호를 적분하여 제5 노드로부터 제1 적분 신호를 출력하고 상기 제4 노드의 전압 레벨에 대응하는 신호를 적분하여 제6 노드로부터 제2 적분 신호를 출력한다. 또한, 상기 비교 회로는 상기 제2 클럭 신호에 응답하여, 상기 제1 적분 신호에 대응하는 신호의 전압 레벨과 상기 제2 적분 신호에 대응하는 신호의 전압 레벨을 비교하고, 제7 노드로부터 제1 비교 신호를 출력하고 제8 노드로부터 제2 비교 신호를 출력한다.
Int. CL G11C 7/10 (2006.01) G06K 17/00 (2006.01) H04B 5/00 (2006.01)
CPC H04B 5/0075(2013.01) H04B 5/0075(2013.01) H04B 5/0075(2013.01) H04B 5/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020110115363 (2011.11.07)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0137204 (2012.12.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 미국  |   61/494,938   |   2011.06.09
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현기 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 권기원 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 전정훈 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0877318-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 [우선권증명서류]서류제출서
[Certificate of Priority] Submission of Document
2012.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0365208-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되는 제1 코일;데이터 및 클럭 신호를 수신하고 상기 제1 코일에 접속되어 상기 클럭 신호에 응답하여 상기 데이터의 논리 값에 대응하는 전류가 상기 제1 코일에 흐르게 하는 송신 회로;상기 제1 코일과 유도 결합되는 제2 코일; 및 상기 제2 코일에 접속되어 상기 제2 코일에 유도되는 유도 전압으로부터 상기 데이터를 수신하는 수신 회로를 포함하며,상기 송신 회로는,상기 데이터 및 상기 클럭 신호의 논리 조합에 의해 제어되어, 전원 노드와 상기 제1 노드를 연결하는 제1 스위칭 소자;상기 데이터 및 상기 클럭 신호의 논리 조합에 의해 제어되어, 상기 전원 노드와 상기 제2 노드를 연결하는 제2 스위칭 소자;상기 데이터 및 상기 클럭 신호의 논리 조합에 의해 제어되어, 상기 제1 노드와 접지 노드를 연결하는 제3 스위칭 소자; 및상기 데이터 및 상기 클럭 신호의 논리 조합에 의해 제어되어, 상기 제2 노드와 상기 접지 노드를 연결하는 제4 스위칭 소자를 포함하고,상기 클럭 신호가 제1 레벨일 때 상기 제1 코일에 전류가 흐르며, 상기 제1 코일에 흐르는 전류의 방향은 상기 데이터의 논리 값에 의해 정해지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드를 DC 바이어싱하는 바이어스 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
3 3
제2 항에 있어서, 상기 바이어스 회로는 상기 송신 클럭 신호가 제2 레벨일 때, 상기 데이터의 논리 값에 대응하는 전류에 대응하는 리플 전류가 상기 제1 코일에 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
4 4
제1 코일;데이터를 수신하고 상기 데이터의 논리 값에 따라 상기 제1 코일에 전류가 흐르게 하는 송신 회로;제3 노드와 제4 노드 사이에 연결되고 상기 제1 코일과 유도 결합되는 제2 코일; 및 제1 및 제2 클럭 신호들을 수신하고 상기 제2 코일에 접속되어 상기 제2 코일에 유도되는 유도 전압으로부터 상기 데이터를 수신하는 수신 회로를 포함하며,상기 수신 회로는,상기 제1 클럭 신호에 응답하여, 상기 제3 노드의 전압 레벨에 대응하는 신호를 적분하여 제5 노드로부터 제1 적분 신호를 출력하고 상기 제4 노드의 전압 레벨에 대응하는 신호를 적분하여 제6 노드로부터 제2 적분 신호를 출력하는 적분 회로; 및상기 제2 클럭 신호에 응답하여, 상기 제1 적분 신호에 대응하는 신호의 전압 레벨과 상기 제2 적분 신호에 대응하는 신호의 전압 레벨을 비교하고, 제7 노드로부터 제1 비교 신호를 출력하고 제8 노드로부터 제2 비교 신호를 출력하는 비교 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
5 5
제4 항에 있어서, 상기 수신 회로는, 상기 제3 노드의 전압 레벨을 증폭하여 제1 증폭 신호를 상기 제3 노드의 전압 레벨에 대응하는 신호로서 상기 적분 회로에 제공하고, 상기 제4 노드의 전압 레벨을 증폭하여 제2 증폭 신호를 상기 제4 노드의 전압 레벨에 대응하는 신호로서 상기 적분 회로에 제공하는 증폭 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
6 6
제4 항에 있어서, 상기 수신 회로는, 상기 제3 노드로부터 출력되는 신호를 저대역 통과 필터링하여 제1 필터링 신호를 상기 제3 노드의 전압 레벨에 대응하는 신호로서 상기 적분 회로에 제공하고, 상기 제4 노드로부터 출력되는 신호를 저대역 통과 필터링하여 제2 필터링 신호를 상기 제4 노드의 전압 레벨에 대응하는 신호로서 상기 적분 회로에 제공하는 필터 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
7 7
제4 항에 있어서, 상기 수신 회로는, 상기 제2 클럭 신호에 응답하여, 상기 제1 적분 신호를 샘플링하여 제1 샘플링 신호를 상기 제1 적분 신호에 대응하는 신호로서 상기 비교 회로에 제공하고, 상기 제2 적분 신호를 샘플링하여 제2 샘플링 신호를 상기 제2 적분 신호에 대응하는 신호로서 상기 비교 회로에 제공하는 샘플링 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
8 8
제4 항에 있어서, 상기 수신 회로는, 상기 제1 클럭 신호에 응답하여 상기 제5 노드와 상기 제6 노드를 등화시키는 제1 등화 회로, 및 상기 제2 클럭 신호에 응답하여 상기 제7 노드와 상기 제8 노드를 등화시키는 제2 등화 회로 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
9 9
제4 항에 있어서, 상기 수신 회로는, 제3 클럭 신호, 상기 제1 비교 신호 및 상기 제2 비교 신호를 수신하여, 상기 제1 비교 신호와 상기 제2 비교 신호를 상기 제3 수신 클럭 신호와 동기화함으로써 상기 데이터를 복원하는 클럭 동기화 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
10 10
제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 코일 및 상기 송신 회로를 포함하는 제1 칩; 및상기 제1 칩과 이격하여 배치되고, 상기 제2 코일 및 상기 수신 회로를 포함하는 제2 칩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.