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산화막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015143234
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화막 형성방법이 개시된다. 개시된 산화막 형성방법은 SiC 기판 상에 SiO2 산화막을 형성하는 단계와 이 SiO2 산화막 상에 전자빔을 조사하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/84 (2006.01)
CPC H01L 21/02351(2013.01) H01L 21/02351(2013.01)
출원번호/일자 1020090131294 (2009.12.24)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0074357 (2011.06.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신현진 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 최재영 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 전철호 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 안종렬 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803760-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0511754-24
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0048192-51
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0394234-18
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0551275-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SiC 기판을 준비하는 단계; 상기 SiC 기판 상에 SiO2 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 SiO2 산화막 상에 전자빔을 조사하는 단계;를 포함하는 산화막 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 SiO2 산화막은 열산화(thermal oxidation)법에 의해 형성되는 산화막 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 SiO2 산화막이 형성된 후, 상기 SiC 기판과 상기 SiO2 산화막 사이에는 SiOC 막이 존재하는 산화막 형성방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전자빔의 조사에 의하여 상기 SiC 기판과 상기 SiO2 산화막 사이에 존재하는 SiOC 막이 제거되는 산화막 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전자빔은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.