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터치 패널의 전극 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015143238
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 한 쌍의 기판들을 구비한 터치 패널의 전극 형성 방법에 있어서, (a) 화학 기상 증착법을 이용하여 금속 촉매층에 탄소를 흡수시키는 단계와, (b) 상기 금속 촉매층을 냉각시켜 그래핀을 성장시키는 단계와, (c) 상기 기판들 중 적어도 하나에 상기 그래핀을 배치하여 도전막을 형성하는 단계와, (d) 상기 금속 촉매층을 가공함으로써 상기 도전막의 표면에 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 터치 패널의 전극 형성 방법을 제공한다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01)
CPC G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01)
출원번호/일자 1020100010138 (2010.02.03)
출원인 한화테크윈 주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1657520-0000 (2016.09.08)
공개번호/일자 10-2011-0090396 (2011.08.10) 문서열기
공고번호/일자 (20160919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.13)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한화에어로스페이스 주식회사 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종현 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 홍병희 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한화에어로스페이스 주식회사 경상남도 창원시 성산구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0075413-16
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document
2010.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-5004466-11
3 보정요구서
Request for Amendment
2010.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0011942-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5131126-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0449233-60
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0449232-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5092726-15
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0537224-27
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0984912-47
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0984911-02
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0900340-31
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0157062-13
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0157058-29
17 등록결정서
Decision to grant
2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0514134-78
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2017-5084566-32
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086933-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
한 쌍의 기판들을 구비한 터치 패널의 전극 형성 방법에 있어서,(a) 화학 기상 증착법을 이용하여 금속 촉매층에 탄소를 흡수시키는 단계;(b) 상기 금속 촉매층을 냉각시켜 그래핀을 성장시키는 단계;(c) 상기 금속 촉매층에 성장된 그래핀을 이용하여 상기 기판들 중 적어도 하나에 도전막을 형성하는 단계; 및(d) 상기 그래핀을 성장시키는데 사용되었으며 상기 도전막에 배치된 금속 촉매층의 부분 중 전극 패턴이 되는 부분을 제외하고 나머지 부분을 제거함으로써 상기 도전막에 전극들을 형성하는 단계;를 포함하는 터치 패널의 전극 형성 방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
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5 5
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6 6
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7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 (a)단계 전에, 촉매 지지층을 구비한 베이스 부재를 준비하는 단계; 및 상기 촉매 지지층에 상기 금속 촉매층을 배치하는 단계;를 더 포함하는 터치 패널의 전극 형성 방법
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서,상기 (b)단계와 상기 (c)단계 사이에는,상기 촉매 지지층을 제거함으로써 상기 베이스 부재로부터 상기 금속 촉매층을 분리하는 단계를 더 포함하는 터치 패널의 전극 형성 방법
11 11
삭제
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1 KR101675794 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101695256 KR 대한민국 FAMILY
3 KR1020110090134 KR 대한민국 FAMILY
4 US09098162 US 미국 FAMILY
5 US20120319976 US 미국 FAMILY
6 WO2011096700 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2011096700 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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