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다공성 기재 및상기 기재 상에 무기산화물이 도포된 박막 형의 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 다공성 기재는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 다공성 기재는 10 내지 80%의 기공도를 갖는 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 다공성 기재는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리에틸렌나프탈렌으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 다공성 기재는 수접촉각이 10 내지 120 도인 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 무기산화물은 BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3(PZT), 하프니아(HfO2), SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO2, Y2O3, Al2O3, TiO2 및 SiO2 로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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7
제 1 항에 있어서, 상기 코팅층은 1 내지 500 nm의 두께인 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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8
제 1 항에 있어서, 기공 크기가 10 nm 내지 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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9
제 1 항에 있어서, 기공도가 5 내지 75%인 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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10
제 1 항에 있어서, 상기 코팅층은 기재 표면 및 기공 내부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막
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11
다공성 기재 상에 무기물 전구체를 증착시켜 무기산화물이 도포된 박막형 코팅층을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 무기물 전구체는 SiCl4(silicon tetrachloride), TEMASi(tetrakis-ethyl-methyl-amino-Silcon), TiCl4(titanium chloride), TTIP(titanium-tetrakis-isoproproxide), TEMAT(tretrakis-ethyl-methyl TDMAT(tetrakis-ethyl-methyl-amino-Titanium), TDMAT(tetrakis-ethyl-methyl-amino-titanium), TDMAT(tetrakis-dimethyl-amino-titanium), TDEAT(tetrakis-diethyl-amino-titanium), TMA(Tri-methyl-Aluminum), MPTMA(methyl-Pyrrolidine-Tri-methyl-Aluminum), EPPTEA(ethyl-pyridine-triethyl-aluminum), EPPDMAH(ethyl-pyridine-dimethyl-aluminum hydridge), IPA(C3H7-O)3Al), TEMAH(tetrakis-ethyl-methyl-amino-hafnium), TEMAZ(Tetrakis-ethyl-methyl-amido-zirconium), TDMAH(tetrakis-dimethyl-amino-hafnium), TDMAZ(tetrakis-dimethyl-amino-zirconium), TDEAH(tetrakis-diethyl-amino-hafnium), TDEAZ(tetrakis-diethyl-amino-zirconium), HTB(hafnium tetra-tert-butoxide), ZTB(zirconium tetra-tert-butoxide), HfCl4(hafnium chloride), Ba(C5H7O2)2, Sr(C5H7O2)2, Ba(C11H19O2)2, Sr(C11H19O2)2, Ba(C5HF6O2)2, Sr(C10H10F7O2)2, Ba(C10H10F7O2)2 Sr(C10H10F7O2)2, Ba(C11H19O2)-CH3(OCH2CH2)4OCH3, Sr(C11H19O2)2-CH3(OCH2HC2)4OCH3), Ti(OC2H5)4, Ti(OC3H7)4, Ti(OC4H9)4, Ti(C11H19O2)2(OC3H7)2, Ti(C11H19O2)2(O(CH2)2OCH3)2, Pb(C5H7O2)2, Pb(C5HF6O2)2, Pb(C5H4F3O2)2, Pb(C11H19O2)2, Pb(C11H19O2)2, Pb(C2H5)4, La(C5H7O2)3, La(C5HF6O2)3, La(C5H4F3O2)3, La(C11H19O2)3, Zr(OC4H9)4, Zr(C5HF6O2)4, Zr(C5H4F3O2)4, Zr(C11H19O2)4, Zr(C11H19O2)2(OCH3H7)2, TMSTEMAT(MeSiN=Ta(NEtMe)3), TBITEMAT(Me3CN=Ta(NEtME)3), TBTDET(Me3CN=Ta(Net2)3), PEMAT(Ta[N(CH3)(C2H5)]5), PDEAT(Ta[N(C2H5)2]5), PDMAT(Ta[N(CH3)2]5) 및 TaF5로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 증착은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD), 화학 용액 성장법(chemical bath deposition; CBD) 또는 열 증착법(thermal evaporation deposition)으로 실시하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막의 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 다공성 기재는 성형 분리막 제조 후에 연신하여 제작된 것을 특징으로 하는 전기화학소자용 분리막의 제조방법
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15
제 11 항 내지 제 14 항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 전기화학소자용 분리막
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양극, 음극, 분리막 및 전해질을 포함하는 전기화학소자에 있어서,상기 분리막은 제 1 항 내지 제 10 항 중에서 선택된 어느 한 항의 분리막인 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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제 16 항에 있어서, 상기 전기화학소자는 리튬 이차전지인 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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