| 1 |
1
저유전 상수값을 가지는 박막을 제조하는 방법에 있어서, 플라즈마 보강 CVD 법으로 중합체 전구체 물질을 사용하여 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키는 단계; 및상기 증착된 박막을 RTA장치를 이용하여 후열처리를 수행하는 단계;를 포함하는 저유전 상수값을 가지는 박막을 제조하는 방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 RTA장치를 이용하여 후열처리를 수행하는 단계는 산소가스 또는 질소가스를 포함하는 기체 분위기 하에서 수행하는 것인 저유전 상수값을 가지는 박막을 제조하는 방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키는 단계는,거품기 내에서 중합체 전구체 물질을 증발시켜 전구체 용액을 증발시키는 단계;상기 증발된 전구체를 상기 거품기로부터 배출하여 플라즈마 증착용 반응기로 유입시키는 단계; 및 상기 반응기의 플라즈마를 이용하여 상기 반응기 내의 기판 위에 플라즈마 중합된 박막을 증착하는 단계;를 포함하는 저유전 상수값을 가지는 박막을 제조하는 방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 중합체 전구체 물질은 데카메실사이클로펜타실옥제인 및 사이클로헥산인 것을 특징으로 하는 저유전 상수값을 가지는 박막을 제조하는 방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 후열처리를 수행하는 단계는, RTA 장치의 챔버 내에 상기 기판을 넣고, 챔버 내에 배치된 복수 개의 할로겐 램프로 상기 기판에 대하여 열을 발생시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 저유전 상수값을 가지는 박막을 제조하는 방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 후열처리를 수행하는 단계는, 300 내지 550℃에서 1 내지 5분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 저유전 상수값을 가지는 박막을 제조하는 방법
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서, 상기 후열처리를 수행하는 단계는, 450 내지 550℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 저유전 상수값을 가지는 박막을 제조하는 방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 후열처리를 수행하는 단계는 0
|
| 9 |
9
제 3항에 있어서, 상기 반응기의 운반기체 압력은 6×10-1 Torr 이고, 기판의 온도는 35 ℃이며, 반응기로 공급되는 전력은 15 W이며, 이로부터 만들어내는 플라즈마 주파수는 13
|
| 10 |
10
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 따라 제조된 저유전 상수값을 가지는 박막
|
