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비정질 실리콘 박막의 결정화 방법

  • 기술번호 : KST2015143382
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 촉매 금속을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 있어서 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판을 저온 상태에서 상기 촉매 금속을 포함하는 용액으로 코팅한 후 이를 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 하는 방법에 관한 것으로, 촉매 금속을 포함하는 금속 용액을 제조하는 제1단계, 상기 제1단계에서 제조된 금속 용액으로 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판을 코팅하는 제2단계 및 상기 제2단계에서 코팅된 기판을 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 제3단계를 포함한다.상기와 같은 촉매 금속을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법을 이용하는 것에 의하여 종래의 결정화 방법과 비교하여 결정화 과정이 현저하게 단순해지고 그 결과 제품의 생산 수율을 향상시킬 수 있으며, 제품의 생산 비용 저감 및 기판의 변형이나 손상을 방지할 수 있다. 결정화, 촉매 금속
Int. CL H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020070005608 (2007.01.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0806846-0000 (2008.02.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 경기 수원시 장안구
2 황성현 대한민국 경기 수원시 장안구
3 정성욱 대한민국 경기 수원시 장안구
4 박형준 대한민국 경기 수원시 장안구
5 이정인 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0052458-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0073698-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0670854-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0007621-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0007615-56
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0075620-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
촉매 금속을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 있어서,상기 촉매 금속을 포함하는 금속 용액을 제조하는 제1단계,상기 제1단계에서 제조된 금속 용액으로 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판을 코팅하는 제2단계, 및상기 제2단계에서 코팅된 기판을 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 제3단계를 포함하되,상기 금속 용액은 촉매 금속을 용해하는 용매물질과 용해된 촉매 금속을 상기 기판에 접착시키는 접착물질을 더 포함하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 제1단계에서 금속 용액에 포함되는 촉매 금속은 니켈(Ni)인 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제1단계에서 금속 용액은 염화니켈(NiCl2
5 5
제4항에 있어서,상기 제2단계에서 기판의 코팅은 제1단계에서 제조된 금속 용액을 미리 설정된 온도로 유지한 상태에서 미리 설정된 시간 동안 상기 기판을 상기 금속 용액에 담구어 이루어지는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 미리 설정된 온도는 70℃ ~ 80℃ 이고, 상기 미리 설정된 시간은 10초 ~ 20초인 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 제2단계는 기판의 코팅이 완료된 후 DI 워터를 이용하여 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 제3단계의 열처리는 알티피(rapid thermal processing, RTP) 공정에 의해 이루어지는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 열처리 시간은 40분 ~ 100분 인 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.