| 1 |
1
투명한 비정질 기판;상기 투명한 비정질 기판 위에 배치된 제 1 반사층;상기 제 1 반사층 위에 배치된 결정질의 투명한 버퍼층;상기 투명한 버퍼층 위에 배치된 것으로, 전기장에 따라 굴절률이 변화하는 결정질의 전광 박막층;상기 전광 박막층 위에 배치된 투명 전극; 및상기 투명 전극 위에 배치된 제 2 반사층을 포함하는 광 이미지 셔터
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 투명한 비정질 기판은 유리로 이루어진 광 이미지 셔터
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 전광 박막층의 격자 상수에 대한 상기 투명한 버퍼층의 격자 상수와의 차이는 20% 이하인 광 이미지 셔터
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 전도성을 갖는 1차 버퍼층 및 상기 결정질의 전광 박막층과 동일한 결정 구조를 갖는 2차 버퍼층을 포함하는 광 이미지 셔터
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 1차 버퍼층은 투명 전도성 산화물 재료로 이루어지는 광 이미지 셔터
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물 재료는 ITO, AZO, IZO, SnO2, In2O3 또는 ZnO계 재료로 이루어지는 광 이미지 셔터
|
| 7 |
7
제 4 항에 있어서,상기 2차 버퍼층은 SrTiO3로 이루어지는 광 이미지 셔터
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 ZnO 계 재료로 이루어지는 광 이미지 셔터
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 ZnO에 Al 또는 Ga을 1mol% 내지 5mol%로 도핑하여 형성되는 광 이미지 셔터
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 ZnO 계 재료는 Al-In-Zn-O, In-Ga-Zn-O, Sn-Ga-Zn-O 또는 Sn-Al-Zn-O를 포함하는 광 이미지 셔터
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 ZnO/Ag/ZnO의 다층 구조를 갖는 광 이미지 셔터
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층과 상기 투명 전극은 동일한 재료로 이루어지는 광 이미지 셔터
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서,상기 전광 박막층은 KTa1-xNbxO3(0≤x≤1)(KTN), LiNbO3(LN), Pb(ZrO1-xTix)O3(0≤x≤1)(PZT) 및 DAST(4-dimethylamino-N-methyl-4 stilbazolium) 중에서 적어도 하나의 재료를 포함하는 광 이미지 셔터
|
| 14 |
14
투명 기판;상기 투명 기판 위에 배치된 제 1 반사층;상기 제 1 반사층 위에 배치된 투명 전극;상기 투명 전극 위에 배치된 것으로, 전기장에 따라 굴절률이 변화하는 결정질의 전광 박막층;상기 전광 박막층 위에 배치된 결정질의 투명한 버퍼층; 및상기 투명한 버퍼층 위에 배치된 제 2 반사층을 포함하는 광 이미지 셔터
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 전도성을 갖는 1차 버퍼층 및 상기 결정질의 전광 박막층과 동일한 결정 구조를 갖는 2차 버퍼층을 포함하는 광 이미지 셔터
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서,상기 1차 버퍼층은 ITO, AZO, IZO, SnO2, In2O3 또는 ZnO계 재료로 이루어지며, 상기 2차 버퍼층은 SrTiO3로 이루어지는 광 이미지 셔터
|
| 17 |
17
제 14 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 ZnO 계 재료로 이루어지는 광 이미지 셔터
|
| 18 |
18
제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 광 이미지 셔터를 셔터로서 사용하는 광학 장치
|
| 19 |
19
투명한 비정질 기판 위에 제 1 반사층을 형성하는 단계;상기 제 1 반사층 위에 결정질의 투명한 버퍼층을 형성하는 단계;상기 투명한 버퍼층 위에 전기장에 따라 굴절률이 변화하는 결정질의 전광 박막층을 증착하는 단계;상기 전광 박막층 위에 투명 전극을 형성하는 단계; 및상기 투명 전극 위에 제 2 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,상기 결정질의 전광 박막층은 300℃ 이하의 저온에서 레이저 증착법(pulsed laser depostion; PLD)에 따라 형성되는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
| 21 |
21
제 19 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 전도성을 갖는 1차 버퍼층 및 상기 결정질의 전광 박막층과 동일한 결정 구조를 갖는 2차 버퍼층을 포함하는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
| 22 |
22
제 21 항에 있어서,상기 1차 버퍼층은 ITO, AZO, IZO, SnO2, In2O3 또는 ZnO계 재료로 이루어지며 상기 2차 버퍼층은 SrTiO3로 이루어지는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
| 23 |
23
제 19 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 ZnO 계 재료로 이루어지는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 ZnO에 Al 또는 Ga을 1mol% 내지 5mol%로 도핑하여 형성되는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
| 25 |
25
제 23 항에 있어서,상기 ZnO 계 재료는 Al-In-Zn-O, In-Ga-Zn-O, Sn-Ga-Zn-O 또는 Sn-Al-Zn-O를 포함하는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
| 26 |
26
제 23 항에 있어서,상기 투명한 버퍼층은 ZnO/Ag/ZnO의 다층 구조를 갖도록 형성되는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
| 27 |
27
결정질 기판 위에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 위에 제 1 반사층을 형성하는 단계;상기 제 1 반사층 위에 결정질의 투명한 버퍼층을 형성하는 단계;상기 투명한 버퍼층 위에 전기장에 따라 굴절률이 변화하는 결정질의 전광 박막층을 증착하는 단계;상기 전광 박막층 위에 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극 위에 제 2 반사층을 형성하는 단계;플립-칩 본딩 방식으로 투명 기판 위에 상기 제 2 반사층을 접합하는 단계; 및상기 희생층을 제거하여 상기 제 1 반사층 위의 결정질 기판을 떼어내는 단계를 포함하는 광 이미지 셔터의 제조 방법
|
